Методы выращивания монокристаллов
Download 301.12 Kb. Pdf ko'rish
|
Раздел 4
- Bu sahifa navigatsiya:
- Метод Чохральского
|
Метод Чохральского
Схема выращивания кристаллов методом Чохральского. Выращивание из расплавов Исходное вещество плавится, как правило, в металлическом тигле с помощью высокочастотного или традиционного резистивного нагрева. Кристалл обычно растет по нормальному механизму и формируется в виде цилиндрической були. Метод Чохральского Схема выращивания кристаллов методом Чохральского. Особенность метода - фронт кристаллизации находится несколько выше общего зеркала расплава на высоту I столбика жидкой фазы , удерживаемой силой поверхностного натяжения: I = 2 σ / ρ rg, где σ – удельное поверхностное натяжение, r – радиус фронта кристаллизации, ρ – плотность расплава, а g – ускорение свободного падения. Выращивание из расплавов Скорость вытягивания зависит от физико- химических характеристик кристаллизуемого вещества и от диаметра кристалла (чаще всего составляет от 1 до 80 мм/час). Верхний предел скорости роста лимитируется максимально допустимой интенсивностью отвода теплоты через кристалл в окружающее пространство. !!!!! Важно соблюдать равенство скоростей роста и вытягивания кристалла. Возрастание скорости вытягивания при сохранении заданного температурного градиента приводит к уменьшению диаметра кристалла, что вызывает в конечном счете его отрыв от расплава. В противоположном случае, чрезмерное увеличение площади фронта роста приводит к образованию поликристаллического агрегата. Download 301.12 Kb. Do'stlaringiz bilan baham: 
|