Усовершенствованная
разновидность
метода
запаянной ампулы.
Источник кристаллизуемого материала нагревается
до высокой температуры в вакууме и испускает
атомы
или
молекулы,
которые,
попадают
на
подложку, где и осаждаются.
Для избирательной кристаллизации на отдельных
подложках используются экраны с отверстиями, или
«
маски», соответствующей конфигурации, которые
«
вырезает» пучки частиц.
Несомненным
достоинствам
метода
является
возможность точно управлять плотностью пучка, а
следовательно и скоростью роста кристаллов.
Кристаллизация из газовой фазы
Do'stlaringiz bilan baham: