Микроструктура и комбинационные рассеяние света тонких пленок sb

Рисунок 2 – Рентгенограммы пленок Sb₂Se₃ различного состава, полученных при Т_подл =400°C
имеют меньшие энергии образования, чем другие поверхности, поскольку плоскости [hk1] заканчиваются поверхностями при отсутствии оборванных связей. В результате эти предпочтительные ориентации оказались полезными для разработки высокоэффективных солнечных элементов на основе Sb2Se3 из-за меньшей рекомбинации и улучшенного транспорта носителей заряда благодаря мягким границам зерен и лучшей способности переноса носителей. Таким образом, пленки Sb₂Se₃ обладают сильной анизотропией. Эта уникальная тенденция, по-видимому, связана с анизотропными свойствами одномерной кристаллической структуры Sb₂Se₃ [5].
Для получения более подробной информации о структуре тонких пленок Sb_xSe_y, осажденных при различных соотношениях Sb/Se, были выполнены измерения комбинационного рассеяния, как показано на рис. 3. Как видно из рисунка, спектры комбинационного рассеяния имеют пики примерно при 80, 100, 126, 145 , 153, 190, 211, 237 и 441 см^-1. Пики, возникающие в области 79-97 см^-1, можно отнести к валентной моде Sb-Se (Ag) [6]. Пики в этой области также могут быть связаны с Se с ромбоэдрической структурой в пленках Sb₂Se₃ [7]. Пики приблизительно при 100, 127, 150, 190 и 211 см^-1 обычно регистрируются и относятся к фазе Sb₂Se₃ [5,8]. Пик около 150–153 см^–1 связывают с модой A₂u связи Sb–Sb [5], а пики около 190 и 211 см^–1 обычно связывают с Ag-модой связи Sb–Se. –Sb деформационные колебания Sb₂Se₃ [58]. Пики при 301-371 (F₂g-мода) могут быть связаны с примесями Sb₂O₃.
Для образцов тонких пленок с отношением Sb/Se≈0,52, 0,67, 0,7 и 0,76 наблюдаются сильные пики при 190 и 211 см^-1, соответствующие связям Sb-Se, и слабые пики при 100, 150, 365 см^-1. связанные со связями Sb-Sb, примесями Sb₂O₃. В тонких пленках с отношением Sb/Se≈ 0,98 и 1,17 слабые вторичные пики Sb-Sb сменяются сильным пиком.