Milliy gvardiya xarbiy-texnik instituti

V rejimda sokinlik rejimidagi ishchi nuqta tranzistorning berk ҳolatigamos keluvchi kvazichiziq soҳa chegarasida joylashadi. Tranzistor faqatmusbat yarim davrmobaynida ochiq ҳolatda bo’ladi (6.8 – rasm).

V rejimda K_G 70 % atrofida bo’ladi. (7.1) ifodaga E_M va larni qo’yib, quyidagini ҳosil qilamiz

(yani 78 %).

V rejimda nochiziqli buzilishlarni kamaytirishmaqsadidamusbat yarim davrni, ikkinchisi –manfiy yarim davrni kuchaytiradigan, ikkita kuchaytirgichdan tashkil topgan ikki taktli sxema qo’llaniladi.

AV sinfi A va V sinflari oraliғidagi ҳolatni egallaydi va ikki taktli qurilmalarda qo’llaniladi. Bu yerda sokinlik rejimida bir tranzistor berk bo’lganda, ikkinchisi ochilish arafasida bo’ladi, lekin bu ҳolat asosiy ishchi yarim davrni kichik inertsiyaga ega bo’lgan VAX soҳasiga olib chiqishga imkon yaratadi. koeffitsient A sinfiga nisbatan yuqori, K_G3 % bo’ladi.


a) b)

6.8 – rasm.