Muhammad Al-Xorazmiy nomida Toshkent Axborot texnologiyalari universiteti Mustaqil ish

Muhammad Al-Xorazmiy nomida Toshkent Axborot texnologiyalari universiteti
Mustaqil ish
Маvzu Oddiu invertorli tranzistor-tranzistorli mantiq
Guruh 040_21


Bajardi Komilov Ilhomjon

Reja:

1. 
   Sodda invertorli TTM ME sxemasi
   

2. 
   Murakkab invertorli TTM ME sxemasi
   

3. 
   IIM ME sxemasi
   
4. 
   Foydanilgan adabiyotlar
   

Axborotni qayta ishlash va saqlash vazifalarini bajaruvchi zamonaviy mikroelektron apparatlarda turli integratsiya darajasiga ega bo’lgan IMSlar ishlatiladi. Ayniqsa, KIS va O’KIS integratsiya darajasiga ega bo’lgan IMSlar keng qo’llanilmoqda. TTM va EBM elementlari yuqori tezkorlikni ta’minlaydi, ammo iste’mol quvvati va o’lchamlari katta bo’lganligi sababli, faqat kichik va

o’rta integratsiya darajasiga ega bo’lgan IMSlar yaratishdagina qo’llaniladi. 1962-yilda planar texnologik jarayon asosida kremniy oksidili (SiO2) MDYA – tranzistor yaratildi, keyinchalik esa uning asosida guruh usulida ishlab chiqarish yo’lga qo’yildi. Integral BTlardan farqli ravishda bir turdagi MDYA integral tranzistorlarda izolatsiyalovchi cho’ntaklar hosil qilish talab etilmaydi. Shuning uchun, bir xil murakkablikka ega bo’lganda, MDYA – tranzistorli IMSlar BTlarga nisbatan kristallda kichik o’lchamlarga ega va yasalish texnologiyasi sodda bo„ladi. Kremniy oksidili MDYA ISlarning asosiy kamchiligi – tezkorlikning kichikligidir. Yana bir kamchiligi – kata iste’mol kuchlanishi bo’lib, u MDYA ISlarni BT ISlar bilan muvofiqlashtirishni murakkablashtiradi. MDYA ISlar asosan uncha kata bo’lmagan tezkorlikka ega bo’lgan va kichik tok iste’mol qiladigan mantiqiy sxemalar va KISlar yaratishda qo’llaniladi. MDYA ISlarda eng yuqori entegratsiya darajasiga erishilgan bo’lib, bir kristallda yuz minglab va undan ko’p komponentlar joylashishi mumkin. MDYA – tranzistorli mantiq (MDYATM) asosida yuklamasi MDYA–tranzistorlar asosida yaratilgan elektron kalit – invertorlar yotadi. Sxemada passiv elementlarning ishlatilmasligi, IMSlar tayyorlash texnologiyasini soddalashtiradi. Mantiqiy IMSlar tuzishda n– yoki p– kanali induksiyalangan MDYA tranzistorlardan foydalanish mumkin. Ko’proq n– kanalli tranzistorlar qo’llaniladi, chunki elektronlarning harakatchanligi kovaklarnikiga nisbatan yuqori bo’lganligi sababli mantiqiy IMSlarning yuqori tezkorligi ta’minlanadi. Bundan tashqari, n–MDYATM sxemalar kuchlanish nominali va mantiqiy 0 va 1 sathlari bo’yicha TTM sxemalar bilan t o’liq muvofiqlikka ega.