Науки и техники, занимающаяся изучением и разработкой


Download 342.27 Kb.
bet5/8
Sana12.03.2023
Hajmi342.27 Kb.
#1262418
1   2   3   4   5   6   7   8
Bog'liq
Итоговые тесты Э иС 1 для подготовки 1 num

IЭ
IKn


I
П
Эn
  П

1



  1. Коэффициент переноса электронов показывающий Потерю электронного тока эмиттера на рекомбинацию в базе характеризует…

IKn


I
П
Эn

1
  П
I эn
IЭ



  1. Коэффициент передачи тока эмиттера.

  П
IKn


I
П
Эn

1
I эn
IЭ



  1. Коэффициентом передачи тока базы


1
IKn


I
П
Эn
  П
I эn
IЭ



  1. Активный режим работы биполярного транзистора наступает, когда

оба перехода включены в обратном направлении
эмиттерный переход включен в обратном направлении а коллекторный переход в прямом направлении
эмиттерный переход включен в прямом направлении а коллекторный переход в обратном направлении
оба перехода включены в прямом направлении



  1. Режим отсечки в работе биполярного транзистора наступает, когда

оба перехода включены в прямом направлении
эмиттерный переход включен в обратном направлении а коллекторный переход в прямом направлении
оба перехода включены в обратном направлении
эмиттерный переход включен в прямом направлении а коллекторный переход в обратном направлении



  1. Режим насыщения работы биполярного транзистора наступает, когда

оба перехода включены в обратном направлении
эмиттерный переход включен в обратном направлении а коллекторный переход в прямом направлении
оба перехода включены в прямом направлении
эмиттерный переход включен в прямом направлении а коллекторный переход в обратном направлении



  1. Инверсный режим работы биполярного транзистора наступает, когда

оба перехода включены в прямом направлении
оба перехода включены в обратном направлении
эмиттерный переход включен в прямом направлении а коллекторный переход в обратном направлении
эмиттерный переход включен в обратном направлении а коллекторный переход в прямом направлении



  1. При каком условии вычисляются входные статические характеристики биполярного транзистора включённого с ОБ?

При UКБ= const; IЭf =(UЭБ) При UКЭ =const; IБ=f(UБЭ) При IЭ =const; IКf= (UКБ) При IБ =const; IКf=(UКЭ)



  1. При каком условии вычисляются входные статические характеристики биполярного транзистора включённого с ОЭ?

При UКЭ= const; IБ=f(UБЭ) При UКБ =const; IЭf =(UЭБ) При IЭ =const; IКf =(UКБ) При IБ =const; IКf= (UКЭ)



  1. При каком условии вычисляются входные статические характеристики биполярного транзистора включённого с ОБ?

При UКЭ =const; IБ=f(UБЭ) При IЭ =const; IКf= (UКБ) При UКБ= const; IЭf =(UЭБ) При IБ =const; IКf =(UКЭ)



  1. Эмиттер БТ в активном режиме служит для…

инжекции неосновных носителей в базу транзистора экстракции неосновных носителей из базы транзистора
инжекции основных носителей в базу транзистора экстракции основных носителей из базы транзистора



  1. Эмиттер БТ в инверсном режиме служит для

инжекции основных носителей в базу транзистора экстракции неосновных носителей из базы транзистора инжекции неосновных носителей в базу транзистора экстракции основных носителей из базы транзистора



  1. Коллектор БТ в активном режиме служит для

инжекции основных носителей в базу транзистора экстракции неосновных носителей из базы транзистора инжекции неосновных носителей в базу транзистора экстракции основных носителей из базы транзистора



  1. Коллектор БТ в инверсном режиме служит для

экстракции неосновных носителей из базы транзистора инжекции основных носителей в базу транзистора
инжекции неосновных носителей в базу транзистора
экстракции основных носителей из базы транзистора



  1. Какой режим работы транзистора используется для неискаженного усиления cигнала?

активный режим
режим насыщения режим отсечки инверсный режим



  1. Какой режим работы транзистора используется для замыкания цепей передачи сигнала (транзистор имеет наименьшее сопротивление)?

активный режим режим насыщения режим отсечки инверсный режим



  1. Какой режим работы транзистора используется для размыкания цепей передачи сигналов (транзистор имеет наибольшее сопротивление)?

активный режим режим насыщения режим отсечки инверсный режим



  1. Укажите БТ с p-n-p структурой








  1. Укажите БТ с n-p-n структурой







  1. Покажите транзистор Шоттки







  1. Покажите схему с ОБ



  1. Покажите схему с ОЭ






  1. Покажите схему с ОК





  1. Покажите выходную характеристику биполярного транзистора в схеме включения с ОЭ





  1. Покажите выходную характеристику биполярного транзистора в схеме включения с ОВ



  1. Покажите входную характеристику биполярного транзистора в схеме включения с общей базой





  1. Коэффициент усиления усилителя без обратной связи К 120. Определить коэффициент усиления усилителя Кос после введения отрицательной обратной связи с коэффициентом передачи цепи обратной связи β 0,015..

428.5
42.85
0.428
0.5



  1. В схеме с ОЭ напряжение Uкэ=15В. Если коэффициент передачи равен 50, а рассеиваемая мощность равна 75мВт вычислите управляемый ток базы.

1мА 0,1 А
0,1 мА
1 А



  1. В полевых транзисторах в образовании тока участвуют Электроны и дырки

Положительные ионы
Только электроны или только коваклар Положительные и отрицательные ионы



  1. Как называются области полевого транзистора? Эмиттер, база, коллектор

Анод, катод Эмиттер, база Сток, исток, затвор



  1. Какой электрод являтся управляющим в полевом транзисторе? затвор

исток сток база

  1. В каком типе полевом транзисторе ток стока изменяется также за счет изменения ширины канала?

МДП транзистор со встроенным p-каналом МДП транзистор с индуцированным n-каналом
Полевой транзистор с управляющим р–n- переходом МДП транзистор



  1. Одним из основных параметров любого типа полевого транзистора является крутизна, которую можно рассчитать по формуле

S dIC

Download 342.27 Kb.

Do'stlaringiz bilan baham:
1   2   3   4   5   6   7   8




Ma'lumotlar bazasi mualliflik huquqi bilan himoyalangan ©fayllar.org 2024
ma'muriyatiga murojaat qiling