Науки и техники, занимающаяся изучением и разработкой
Download 342,27 Kb.
|
Итоговые тесты Э иС 1 для подготовки 1 num
Часть пространства, в котором двигаются электроны и дырки
88% 68% 70% 80%
9.84 Ω 9.4 Ω 10 Ω 9.2 Ω
155 W 320 W 300 W 310 W
112 В 25 В 60 В 200 В
Фотоэлектрическое устройство Электропреобразовательное устройство Электроосветительное устройство Термоэлектрическое устройство
Ширина базы большая, примеси n-типа неравномерно распределены Ширина базы малая, примеси n-типа неравномерно распределены Ширина базы малая, примеси n-типа равномерно распределены Ширина базы большая, примеси n-типа равномерно распределены
Светодиод Динистор Резистор Фотодиод
Актив Режим насыщения Инверс Режим отсечки
3 2 4 5
один p-n переход и два электрода два p-n перехода и два электрода два p-n перехода и три электрода три p-n перехода и четыре электрода
электроосвещающее фотоэлектрическое электропреобразовательное электронакапливающее
Инверс Актив Режим насыщения Режим отсечки
один p-n переход и два электрода два p-n перехода и два электрода один p-n переход и три электрода три p-n перехода и четыре электрода
Диод ганна Диод шоттки Туннельный диод Варикап
Обратное включение Режим электрического пробоя Прямое включение Режим теплового пробоя
Обработки сигналов Уменьшения сигналов Усилителя сигналов Распределения сигналов
1 2 3 4
наноэлектроникa микроэлектроника нанотехнология электроника
А-В О-А-В С-О-А-В О-С
При IЭ =const; IКf =(UКБ) При UКЭ= const; IБ=f(UБЭ) При UКБ= const; IЭf= (UЭБ) При IБ =const; IКf =(UКЭ)
C-Д О-А-В С-О-А-В О-С Download 342,27 Kb. Do'stlaringiz bilan baham: |
Ma'lumotlar bazasi mualliflik huquqi bilan himoyalangan ©fayllar.org 2025
ma'muriyatiga murojaat qiling
ma'muriyatiga murojaat qiling