Nókis 2021 Tema: Yarım ótkizgishli fotoqarsılıqlar temasın ótiwde informaciya texnologiyaların qollaw Reje

11-súwret
Endi qurılǵan sistemaǵa sırtqı maydan qoyamız, yaǵnıy 11-b súwrette kórsetilgenindey etip tok deregine jalǵaymız. Sırtqı maydannıń kernewliligi irkiwshi qatlam maydanınıń baǵıtı menen sáykes kelsin. Nátiyjede elektronlar maydanǵa qarsı, al tesiksheler maydan boylap qozǵalıp shegaralıq betten uzaqlasadı. Irkiwshi qatlam keńeyip, onıń keńligi qoyılǵan potenciallar ayırmasına baylanıslı boladı. Irkiwshi qatlamda elektronlar hám tesikler sanı kem bolǵanlıǵı ushın ol ózin dielektrik sıyaqlı tutadı hám nátiyjede p-n ótkeli arqalı tok ótpeydi.
Sırtqı maydannıń irkiwshi qatlamdı keńeytetuǵın baǵıtqa irkiwshi yamasa keri baǵıt delinedi.
Endi toktıń baǵıtın 11-d súwrettegidey etip ózgertemiz. Elektronlardıń hám tesikshelerdiń qozǵalıs baǵıtı ózgeredi p-n ótkeli ornında olar rekombinaciyalanadı, yaǵnıy bir-birewin neytrallaydı hám nátiyjede irkiwshi qatlam juqalanıp onıń qarsılıǵı kemeyedi. Demek, bul baǵıtta, yaǵnıy p-yarım ótkizgishten n-yarım ótkizgish tárepke tok ótedi. Sonıń ushın da bul baǵıtqa ótkiziwshi yamasa tuwrı baǵıt delinedi. Solay etip p-n ótkeli bir tárepleme ótkiziwsheńlikke iye bolıp, bunday yarım ótkizgishli diod tuwrılaǵıshlar sıpatında qollanıladı hám onıń shártli belgileniwi 11-e súwrette kórsetilgen. Yarım ótkizgishli diodlar lampalı diodlarǵa qaraǵanda qolaylı isenimli hám kólemi kishkene bolǵanlǵı ushın olardı radiotexnikadan tolıq qısıp shıǵardı. Yarım ótkizgishli diodlar tek tuwrılaǵısh sıpatında ǵana emes, al detektor (esapqa alıwshı ) sıpatında da qollanılıwı múmkin.
Tranzistor. Triod. Yarım ótkizgishli triod-tranzistordı jasaw ushın aralaspalı yarım ótkizgish materialınıń úsh quramlıq bólegi (sonıń ushın da triod dep ataladı) bolıwı kerek: eki p hám bir n-tipli yamasa kerisinshe. 12-súwrette p-n-p tipli tranzistor kórsetilgen. Tranzistor shınjırǵa jalǵanǵanda eki batareyadan paydalanıladı.
Olardıń birewiniń oń polyusı transistordıń emitteri (e) dep atalatuǵın p-bólegine, al teris polyusi baza (b) dep atalatuǵın ortadaǵı n-bólegine jalǵanadı. Ekinshi batareyanıń oń polyusı bazaǵa, al teris polyusi kollektor (k) dep atalatuǵın ekinshi p-bólegine jalǵanadı. Usınday jalǵanıwda emitterdegi tesiksheler bazaǵa ketip, olardan bunnan keyingi bazadan kollektorǵa qaraǵan qozǵalısı ekinshi batareya tásirinde ámelge asadı. Birinshi batareyanıń kernewi artıwı menen baza arqalı kollektorǵa barıp jetetiwshi emitterdegi tesiksheler sanı da artadı. Demek, lampalı triodta tor hám katod arasındaǵı kernew anod togin basqaratuǵını sebepli, tranzistorda da baza hám emitter arasındaǵı kernew kollektor togin basqaradı. 12-súwrette yarım ótkizgishli triodtıń shártli belgileniwi kórsetilgen . Yarım ótkizgishli triodlar kúsheytkishler hám generatorlar sıpatında qollanıladı.

12-súwret.
Bunday túrdegi tranzistorlardıń islew principi p–n–p túrdegi tranzistordan parıqlanbaydı. Bul tranzistorda tek tok baǵıtı kollektordan emitter tárepte boladı.
Integral mikrosxemalar. Ótken ásirdiń 70-jıllarında on swmlıq teńgedey keletuǵın yarımótkizgish material bóleginde mıńlaǵan mikroskoplı tranzistorlar jaylastırılǵan mikrosxemalar oylap tabıldı. Olarda tranzistorlar menen birgelikte diodlar, kondensatorlar, rezistorlar hám basqa radioelektron elementler de jaylastırılǵanlıqtan integral mikrosxema dep ataldı.