O. S. Rayimjonova M. G. Tillaboyev sh. U. Ergashev

Maydoniy tranzistorlar asosidagi elektron kalitlar. Hozirgi vaqtda bipolyar 
tranzistorlar “kalit qurilma” lar maydonidan faol ravishda almashtirilmoqda. Ko'p 
xollarda maydoniy tranzistorlar muqobil bo'lib xizmat qiladi. Maydoniy tranzistorlar 
boshqaruv sxemasi orqali statik quvvatni iste'mol qilmaydi, ularda asosiy bo’lmagan 
tashuvchilari yo'q, ya'ni ularning yutilishi uchun vaqt kerak emas va nihoyat, yuqori 
termo barqarorlikni ta'minlash uchun haroratning oshishi bilan stok tokining 
pasayishi yuz beradi. 
Elektron kalitlarni qurish uchun turli xil maydoniy tranzistorlar orasida eng 
keng tarqalgani MDYA tranzistorlari - induksiyalangan kanalga ega tranzistorlar 
(xorijiy adabiyotlarda - boyitilgan turdagi). Ushbu turdagi tranzistorlar kanal 
o'tkazuvchanligi sodir bo'ladigan chegaraviy kuchlanish bilan tavsiflanadi. Stok va 
Istik o'rtasidagi past kuchlanish mintaqasida (ochiq tranzistor) ekvivalent qarshilik 
bilan ifodalanishi mumkin (to'yingan bipolyar tranzistordan farqli o'laroq - 
kuchlanish manbai). Ushbu turdagi maydoniy tranzistorlar ma’lumotnomasida stoic-
istok ochiq holatdagi R
SIotcr
- parametrini o'z ichiga oladi. Past kuchlanishli 
tranzistorlar uchun bu qarshilikning qiymati Oh mning o'ndan yuzdan bir qismiga 
teng, bu esa statik rejimda tranzistorda kam quvvat sarflanishiga olib keladi. 
Afsuski, R
SIotcr
maksimal ruxsat etilgan stok istok kuchlanishining oshishi bilan 
sezilarli darajada oshadi. 
2.10.3-rasm. Induksiyalangan zatvorli MDYa tranzistor asosidagi kaliti 

---

78 
Shuni yodda tutish kerakki, MDYA tranzistorining to'yinganlik rejimi 
bipolyar tranzistorning to'yinganlik rejimidan tubdan farq qiladi. Maydoniy 
tranzistorlardagi kalitlarda o’tish jarayonlari tashuvchilarni kanal orqali o'tkazish va 
elektrodlararo sig’imlarni qayta zaryadlash, yuklama va montaj bilan bog'liq. 
Elektronlarning tezkorligi teshiklarga qaraganda tezroq bo'lganligi sababli, n-kanalli 
tranzistorlar p-kanallarga qaraganda yaxshiroq javob tezligiga ega. 
Maydoniytranzistorlardagi kalit qurilmalar sxemasida ko'pincha umumiy 
manba sxemasi qo'llaniladi, 2.10.3a-rasmda ko'rsatilgan. Agar tranzistor yopiq 
bo'lsa, u orqali nazoratsiz (dastlabki) stok toki oqadi. Tranzistor ochiq bo'lsa, 
tranzistor orqali tok yuklama qarshiligining qiymati va manba kuchlanishi orqali 
aniqlanishi kerak. Tranzistorni ochish uchun boshqaruv kuchlanishining amplitudasi 
quyidagi shartlardan tanlanadi: 
(2.10.4) 
Bu erda, I
H
- yuklama toki, U
0
- chegara kuchlanish, S
0 
- VAX xarakteristikasining 
tikligi. 
MDYA tranzistorlaridagi kalitlardagi o’tish jarayonlar 2.10.3-rasmda 
ko'rsatilganidek sodir bo'ladi. 
2.10.3-rasm. MT asosidagi kalitining kuchlanish diagrammalari 

---

79 
Birinchi bosqichda C
ZI
sig’imi zaryadlanadi va C
ZS
ni chegara kuchlanishiga 
to'g'ri keladidagn. Bunday holda, tranzistor qulflangan bo'lib qoladi. Ushbu 
bosqichning davomiyligi: 
(2.10.4) 
Ikkinchi bosqichda tranzistor ochiladi va faol kuchaytirish rejimiga o'tadi. 
Ushbu bosqichda C
ZS
ni qayta zaryadlash manfiy teskari aloqa (Miller effekti) ta'siri 
tufayli sekinlashadi. 3-bosqichda zatvor kuchlanishi amalda o'zgarmas bo'lib qoladi. 
C
ZS
sig'imini qayta zaryadlash oxirida zatvordagi kuchlanish U
Umax 
qiymatiga 
oshadi. O'chirish teskari tartibda amalga oshiriladi. 
MDYA tranzistorlaridagi kalitlarda o’tish jarayonlarning davomiyligini 
hisoblash qulayligi uchun zaryad yoqish Q
Zvkl
parametridan foydalanish tavsiya 
etiladi. Misol uchun, Q
Zvkl
=20 nKl bo'lgan tranzistor 1mA oqim bilan 20 ms va 1A 
oqim 
bilan 
20 
ns 
uchun 
yoqilishi 
mumkin. 
Belgilangan 
parametr 
ma'lumotnomalarda keltirilgan va ishlab chiqaruvchi tomonidan eksperimental 
tarzda aniqlanadi. 
Kalit MDYA tranzistorlari stok istok kuchlanishining (dv/dt) o'zgarishining 
maksimal ruxsat etilgan tezligi bilan tavsiflanadi. Agar bu qiymat oshib ketgan 
bo'lsa, tranzistor oldindan aytib bo'lmaydigan natijalar bilan o'z-o'zidan ochilishi 
mumkin. Ushbu cheklovning ikkita sababi bor: 
Birinchidan, dU dt SI / ta'sirida kuchlanish U
SI
ni sig'imli bo'luvchi S
ZS
/S
ZI
orqali tranzistor zatvoriga o'tkazish. Tranzistor o'chirilganda U
SI
kuchlanishining 
o'zgarishi natijasida yuzaga keladigan eshik kuchlanishining kattaligini quyidagi 
formula bo'yicha aniqlash mumkin: 
(2.10.4) 
Shuni ham yodda tutish kerakki, U
0
qiymati harorat oshishi bilan kamayadi. 

---

80 
Ikkinchidan, MDYA tranzistorlarini ishlab chiqarish texnologiyasi parazit 
bipolyar tranzistorning shakllanishiga olib keladi (2.1.5-rasm). Yuqorida 
tavsiflangan mexanizmga o'xshash mexanizmning ta'siri natijasida bu parazit 
tranzistor o'z-o'zidan yoqilishi va buzilish rejimiga o'tishi mumkin. 
2.10.5-rasm. MDYa tranzistoridagi parazit tuzilmalar 
Ushbu ta'sirlarni bartaraf etish uchun ishlab chiqaruvchining tavsiyalariga 
qat'iy rioya qilish va eshik pallasida nazorat signalining manbai minimal ichki 
qarshilikka ega bo'lishi kerak. 
Kommutatsiya quvvatini oshirish zarur bo'lsa, maydoniytranzistorlarning 
parallel ulanishi mumkin (2.10.6-rasm).
2.10.6-rasm. PT ning parallel ulanishi sxemasi 
Bunday holda, chegara kuchlanishlarining yaqin qiymatlari bo'lgan 
tranzistorlardan foydalanish va o'chirilganda ("qo'ng'iroq") tranzistorlarning bir-

---

81 
biriga o'zaro ta'sirini kamaytirish uchun mo'ljallangan eshik pallasida qarshiliklarni 
o'rnatish kerak.