Oxygen in Silicon Single Crystals

Oeder R., Wagner P. Infrared-Absorption of Thermal Donors in Silicon // Mat. Res. Soc. Symp. Proc.-1983.-V.14.-P. 171-175.

Nishino Т., Nakayama H., Hamakawa Y. Photoluminescence characterization of

impurities and Defects in Semiconductors // In: Japan Annual Reviews in Elec­tronics, Computers and Telecommunications, edited by J.Nishizawa (OHMSHA, LTD and North-Holland Publishing Company).-1983.-V.8.-P. 295-310.

112. 
     Курило П. М., Сеитов E., Хитрень М. И. Влияние термической обработки на
     

электрические свойства n-Si, содержащего высокую концентрацию кисло­рода // ФТП.-1970.-Т. 4, Вып. 12.-С. 2267-2270.

113. 
     Kanamori A., Kanamori M. Comparison of Two Kinds of Oxygen Donors in Sili­
     

con by Resistivity // J. Appl. Phys.-1979.-V.50, N 12.-P. 8095-8101.

114. 
     Werner R., Schirmer O. F. Paramagnetic Resonance of a New-Oxygen-Donor Related Center in Silicon // Phys. Rev. B.-1986.-V.34, N 2.-P. 1381-1383.
     
115. 
     Мордкович В. H. О влиянии кислорода на проводимость в кремнии // ФТТ.
     

-1964.-Т.6, Вып. З.-С. 847-851.

116. 
     Schmalz К., Kirscht F.-G., Klose К., Richter H., Tittelbach-Helmrich К. DLTS Study on Deep Level Defects in Cz-p-Si due to Heat Treatment at 600 to 900°C // Phys. Stat. Sol. (a).-1987.-V.100, N 2.-P. 567-582.
     
117. 
     Бабич В. М., Баран Н. П., Доценко Ю. П., Зотов К. И., Ковальчук В. Б. Обра­
     

зование термоакцепторов, сопутствующих термодонорам-II в кислородсо­держащих кристаллах кремния // УФЖ.-1988.-Т.ЗЗ, N 4.-С. 593-598.

118. 
     Бабич В. М., Баран Н. П., Бугай А. А., Кончиц А. А., Шанина Б. Д. Электро- дипольный спиновый резонанс локализованных электронных состояний на дислокационных диполях в недеформированном кислородсодержащем кремнии // ЖЭТФ.-1988.-Т. 94, N 4.-С. 319-330.
     

228

119. 
     Cazcarra V., Zunino P. Influence of Oxygen on Silicon Resistivity // J. Appl. Phys.
     

-1980.-V.51, N 8.-P. 4206-4211.

120. 
     Bean A. R., Newman R. C. The Effect of Carbon on Thermal Donor Formation in
     

Heat Treated Pulled Silicon Crystals // J. Phys. Chem. Solids.-1972.-V.33, N 2. -P. 255-268.

121. 
     Leroueille J. Influence of Carbon on Oxygen Behavior in Silicon // Phys. Stat. Sol. (a).-1981 .-V.67, N 1.-P. 177-181.
     
122. 
     Lindstrom J. L., Weman H., Oehrlein G. S. Thermal Donors and Carbon-Oxygen
     

Defects in Silicon // Phys. Stat. Sol (a).-1987.-V.99, N 2.-P. 581-591.

123.