O‘zbekiston respublikasi axborot texnologiyalari va kommunikatsiyalarini rivojlantirish vazirligi muhammad al-xorazmiy nomidagi toshkent axborot texnologiyalari

Variant №27. Bipolyar tranzistor: 2N3004; R₁=28 kOm; U_KE=4V.



2N3904 Bipolyar tranzistorining texnik xarakteristikalari:

Parametrlar	Qiymatlari
Strukturasi	n-p-n
Material turi	Si
Maksimal belgilangan Kollektor-Emitter kuchlanishi	40V
Maksimal belgilangan Kollektor-Baza kuchlanishi	60V
Maksimal belgilangan Emitter-Baza kuchlanishi	6V
Maksimal belgilangan doimiy Kollektor toki	0.2 A
Kollektor quvvatining tarqalishi	0.35Wt
Tranzistorning tok bo’yicha kuchaytirish koeffitsenti (hfe)	100dan 200gacha
Tokni uzatish belgilangan chastotasi	300MHz
Kollektor o‘tish sig‘imi (Cc)	8pF
Korpusi	To-92

1-qism. Kirish va chiqish xarakteristikalari oilasini o‘lchash:



1-rasm. Umumiy emitter ulanish sxemasidagi bipolyar tranzistorning kirish va chiqish xarakteristikalar oilasini o‘lchash prinspial sxemasi



2-rasm. Umumiy emitter ulanish sxemasidagi bipolyar tranzistorning kirish va chiqish xarakteristikalari oilasini o‘lchash prinspial sxemasining NI Multisim dasturiy muhitida yig‘ilgan holati

UE ulanish sxemasidagi BT ning kirish va chiqish xarakteristikalari oilasi o‘lchash uchun:

E₁ manba sifatida o‘zgarmas tok manbasi SIGNAL_CURRENT_SOURCES dan DC_CURRENT yoki DC_INTERACTIVE_CURRENT dan foydalanamiz.

E₂ manba sifatida o‘zgarmas kuchlanish manbasi POWER_SOURCES dan DC_ POWER yoki SIGNAL_VOLTAGE_SOURCES dan DC_INTERACTIVE_VOLTAGE dan foydalanamiz.

1. 
   – jadval. UE ulanish sxemasidagi BT ning kirish xarakteristikalari oilasi:
   

1 – jadval.

	IB(mkA)	0	20	40	60	80	100	120	140	160	180	200
	UBE (V)	0	0.568	0.59	0.602	0.611	0.618	0.623	0.628	0.632	0.635	0.638
	IB(mkA)	0	20	40	60	80	100	120	140	160	180	200
	UBE (V)	0	0.695	0.716	0.728	0.737	0.743	0.749	0.753	0.758	0.761	0.764

1. 
   – jadval. UE ulanish sxemasidagi BT ning chiqish xarakteristikalari oilasi:
   

2 – jadval.

	UKE, V	0	1	2	3	4	6	8	10	12	14	16
	IK, mA	0	3.829	3.896	3.963	4.03	4.153	4.29	4.414	4.554	4.681	4.823
	UKE, V	0	1	2	3	4	6	8	10	12	14	16
	IK, mA	0	22.93	23.21	23.5	23.85	24.49	25.05	25.69	26.33	26.89	27.53
	UKE, V	0	1	2	3	4	6	8	10	12	14	16
	IK, mA	0	29.39	29.82	30.25	30.59	31.35	32.2	32.97	33.82	34.59	35.35

2. 
   Olingan natijalarga ishlov berish:
   

1 va 2-jadvallar asosida olingan o‘lchash natijalari asosida kirish xarakteristikalari oilasi (ya’ni U_KE=const bo‘lganda, I_B=f(U_BE)) va chiqish xarakteristikalari oilasi (ya’ni I_B=const bo‘lganda, I_K=f(U_KE)) bog‘liklik grafiklar chiziladi va va h-parametrlarni kirish va chiqish xaratkeristikalar oilasidan aniqlanishi mumkin (h_11E va h_12E – kirish xarakteristikalar oilasidan, h_21E va h_22E – chiqish xarakteristikalar oilasidan):



Kirish xarakteristikasi oilasi (KXO) I_B=f(U_BE) bunda U_KE=0 va 2 V.



Chiqish xarakteristikasi oliasi (ChXO) I_K=f(U_KE) bunda I_B=25;150 va 200mkA.

2. 
   h parametrlarni hisoblash:
   

1. 
   h_11E parametr - tranzistorning kirish differensial qarshiligini hisoblash:
   

, bo‘lganda 𝑈_𝐾𝐸 = 𝑐𝑜𝑛𝑠𝑡; Bu yerda: ∆𝑈_𝐵𝐸 = 𝑈_{𝐵𝐸.𝑚𝑎𝑥} − 𝑈_{𝐵𝐸.𝑚𝑖𝑛}va

∆𝐼_𝐵 = 𝐼_𝐵.𝑚𝑎𝑥 − 𝐼_𝐵.𝑚𝑖𝑛;

∆𝑈𝐵𝐸 = 𝑈𝐵𝐸.𝑚𝑎𝑥 − 𝑈𝐵𝐸.𝑚𝑖𝑛 = 0,736 − 0,715 = 0,021𝑉; ∆𝐼𝐵 = 𝐼𝐵.𝑚𝑎𝑥 − 𝐼𝐵.𝑚𝑖𝑛 = 75 − 30 =45𝑚𝑘𝐴;

2. 
   h_12E parametr - tranzistorning Kuchlanish bo‘yicha teskari aloqa koeffitsiyentini hisoblash
   

h_12E parametrni hisoblash:

, bo‘lganda 𝐼_𝐵 = 𝑐𝑜𝑛𝑠 ; bu yerda: ∆𝑈_𝐵𝐸 = 𝑈_{𝐵𝐸.𝑚𝑎𝑥} − 𝑈_{𝐵𝐸.𝑚𝑖𝑛} va

∆𝑈𝐾𝐸 = 𝑈𝐾𝐸.𝑚𝑎𝑥 − 𝑈𝐾𝐸.𝑚𝑖𝑛;

∆𝑈𝐵𝐸 = 𝑈𝐵𝐸.𝑚𝑎𝑥 − 𝑈𝐵𝐸.𝑚𝑖𝑛 = 0,751 − 0,611 = 0,14𝑉; ∆𝑈𝐾𝐸 = 𝑈𝐾𝐸.𝑚𝑎𝑥 − 𝑈𝐾𝐸.𝑚𝑖𝑛 = 2 − 0 = 2 𝑉;

3. 
   h_21B parametr - tranzistorning tok bo‘yicha differensial uzatish koeffitsiyentini hisoblash:
   

h_21E parametrni hisoblash:

, bo‘lganda 𝑈_𝐾𝐸 = 𝑐𝑜𝑛𝑠 . Bu yerda: ∆𝐼_𝐵 = 𝐼_{𝐵.𝑚𝑎𝑥} − 𝐼_{𝐵.𝑚𝑖𝑛} va

∆𝐼𝐾 = 𝐼𝐾.𝑚𝑎𝑥 − 𝐼𝐾.𝑚𝑖𝑛;

∆𝐼_𝐵 = 𝐼_{𝐵.𝑚𝑎𝑥} − 𝐼_{𝐵.𝑚𝑖𝑛} = 200 − 25 = 175𝑚𝑘𝐴; ∆𝐼_𝐾 = 𝐼_{𝐾.𝑚𝑎𝑥} − 𝐼_{𝐾.𝑚𝑖𝑛} = 31,37 − 4,756 = 26.614𝑚𝐴;

.

4. 
   h_22B parametr - tranzistorning differensial o‘tkazuvchanligini hisoblash:
   

parametrni hisoblash:

, bo‘lganda 𝐼_𝐵 = 𝑐𝑜𝑛𝑠 ; bu yerda: ∆𝐼_𝐾 = 𝐼_{𝐾.𝑚𝑎𝑥} − 𝐼_{𝐾.𝑚𝑖𝑛} va

∆𝑈𝐾𝐸 = 𝑈𝐾𝐸.𝑚𝑎𝑥 − 𝑈𝐾𝐸.𝑚𝑖𝑛;

∆𝐼_𝐾 = 𝐼_{𝐾.𝑚𝑎𝑥} − 𝐼_{𝐾.𝑚𝑖𝑛} = 25.05 – 22.5 = 2,55𝑚𝐴; ∆𝑈𝐾𝐸 = 𝑈𝐾𝐸.𝑚𝑎𝑥 − 𝑈𝐾𝐸.𝑚𝑖𝑛 = 10 − 2 = 8𝑉;



Xulosa:

Men bu labaratoriya mashgulotida umumiy baza ulanish sxemasining bipolyar transistorlarning asosiy static xarakteristikalari va parametrlarini tadbiq qildim. Umumiy baza ulanish sxemasidagi bipolyar tranzistorning kirish va chiqish xarakteristikalari oilasini o’lchash sxemasi ni multism dasturi orqaqli virtual yasandik va berikgan transistor va qiymatlarni qo’yib tajribani bajardik, olingan natijarlarni jadvalga joyladik va jadvallar asosida olingan o’lchash natijalari asosida kirish xarakteristikalari oilasi va chiqish xarakteristikalari oilasi bog’liqlik grafiklari chizildi va aniqlanishi mumkin bo’lgan h qiymatlarni hisoblab oldik.