O’zbekiston respublikasi oliy va o’rta maxsus ta’lim vazirligi toshkent axborot texnologiyalari universiteti urganch filiali


Download 0.82 Mb.
Pdf ko'rish
bet2/13
Sana25.04.2023
Hajmi0.82 Mb.
#1398599
1   2   3   4   5   6   7   8   9   ...   13
Bog'liq
971-19 O\'rnatilgan tizimlar fanidan

 
Statik tasodifiy kirish xotirasi ( statik RAM yoki SRAM ) har bir bitni saqlash 
uchun 
qulflash sxemasidan (flip-flop) foydalanadigan tasodifiy kirish 
xotirasi
 (RAM) turidir . SRAM - 
o'zgaruvchan xotira
 ; quvvat o'chirilganda 
ma'lumotlar yo'qoladi. 
Statik atamasi SRAM-ni 
DRAM
 -dan ( dinamik tasodifiy kirish xotirasi) ajratib 
turadi - SRAM quvvat mavjud bo'lganda o'z ma'lumotlarini doimiy ravishda ushlab 
turadi, DRAM-dagi ma'lumotlar soniyalarda parchalanadi va shuning uchun vaqti-
vaqti bilan 
yangilanib
 turishi kerak . SRAM DRAMga qaraganda tezroq, lekin 
kremniy maydoni va narxi jihatidan qimmatroq; u odatda 
protsessorning kesh
 va 
ichki 
registrlari
 uchun , DRAM esa kompyuterning 
asosiy xotirasi
 uchun ishlatiladi 




Tarkib 

1
Tarix
 

2
Xususiyatlari
 

3
Ilovalar va foydalanish
 

3.1
O'rnatilgan foydalanish
 

3.2
Kompyuterlarda
 

3.3
Xobbilar
 

4
SRAM turlari
 

4.1
O'zgaruvchan bo'lmagan SRAM
 

4.2
Pseudostatik RAM
 

4.3
Transistorlar turi bo'yicha
 

4.4
Flip-flop turi bo'yicha
 

4.5
Funktsiya bo'yicha
 

4.6
Xususiyat bo'yicha
 

5
Chipga birlashtirilgan
 

6
Dizayn
 

7
SRAM ishlashi
 

7.1
Kuting
 

7.2
O'qish
 

7.3
Yozish
 

7.4
Avtobus harakati
 

8
Ishlab chiqarish muammolari
 

8.1
Tadqiqot
 

9
Shuningdek qarang
 

10
Ma'lumotnomalar
 



Tarix 

tahrirlash 
]
Yarimo'tkazgichli bipolyar SRAM 1963 yilda Fairchild Semiconductor 
kompaniyasida Robert Norman tomonidan ixtiro qilingan. 
[1]
 MOS SRAM 1964 
yilda Fairchild Semiconductor kompaniyasida Jon Shmidt tomonidan ixtiro 
qilingan. Bu 64-bitli MOS p-kanalli SRAM edi. 
[2] [3]
 
SRAM CMOS ixtiro qilingan 1959 yildan beri har qanday yangi 
CMOS
 -ga 
asoslangan texnologiya ishlab chiqarish jarayonining asosiy haydovchisi 
bo'lgan. 
[4]
 1965-yilda 
[5]
 Arnold Farber va Eugene Schlig, IBM kompaniyasida 
ishlagan holda, tranzistor
 eshigi va 
tunnel diodli mandali
 yordamida qattiq 
simli 
xotira xujayrasini
 yaratdilar . Ular mandalni ikkita tranzistor va 
ikkita 
rezistor
 bilan almashtirdilar , bu konfiguratsiya Farber-Schlig xujayrasi 
sifatida tanildi. 1965 yilda Benjamin Agusta va uning IBMdagi jamoasi Farber-
Schlig xujayrasi asosida 80 tranzistor, 64 rezistor va 4 diodli 16 bitli silikon xotira 
chipini yaratdilar. 
Xususiyatlari 

tahrirlash 
]
U o'zgaruvchan xotira
 sifatida tavsiflanishi mumkin bo'lsa-da , 
SRAM 
ma'lumotlarning doimiyligini
 ko'rsatadi . 
[6]
 
SRAM oddiy ma'lumotlarga kirish modelini taklif qiladi va yangilash sxemasini 
talab qilmaydi. Ishlash va ishonchlilik yaxshi va ishlamay qolganda quvvat sarfi 
kam. 
[7]
 
SRAMni amalga oshirish uchun har bir bit uchun ko'proq tranzistorlar kerak 
bo'lganligi sababli, u DRAMga qaraganda kamroq zichroq va qimmatroq va o'qish 
yoki yozishga kirish vaqtida yuqori 
quvvat sarfiga ega. 
SRAM ning quvvat sarfi 
unga qanchalik tez-tez kirishiga qarab juda katta farq qiladi. 
[7]
 
Ilovalar va foydalanish 

tahrir 
]
STM32F103VGT6 mikrokontrollerining
 matritsasidagi SRAM 
hujayralari 
skanerlash elektron mikroskopida
 ko'rinib 



turibdi . 
STMicroelectronics
 tomonidan 180 
nanometrlik
 jarayon yordamida ishlab 
chiqarilgan . Hujayralarning topologiyasi aniq ko'rinadi. 
Optik mikroskopda
 ko'rilgan STM32F103VGT6 
mikrokontrolleridagi 
180 nanometrli
 SRAM hujayralarining taqqoslash tasviri 

Download 0.82 Mb.

Do'stlaringiz bilan baham:
1   2   3   4   5   6   7   8   9   ...   13




Ma'lumotlar bazasi mualliflik huquqi bilan himoyalangan ©fayllar.org 2024
ma'muriyatiga murojaat qiling