O’zbekiston respublikasi oliy va o’rta maxsus ta’lim vazirligi toshkent axborot texnologiyalari universiteti urganch filiali

teskari aylantirish orqali 1 yoziladi . Keyin WL tasdiqlanadi va saqlanishi kerak 

---

13 
bo'lgan qiymat qulflanadi. Bu ishlaydi, chunki bit liniyasi kiritish drayverlari 
hujayradagi nisbatan zaif tranzistorlarga qaraganda ancha kuchliroq bo'lishi uchun 
mo'ljallangan, shuning uchun ular oldingi holatni osongina bekor qilishi mumkin. 
o'zaro bog'langan invertorlar. Amalda, NMOS tranzistorlariga kirish M
5
va M 
6 
pastki NMOS (M 1
, M 
3
) yoki yuqori PMOS (M 
2
, M 
4
) tranzistorlaridan kuchliroq 
bo'lishi kerak . Buni osongina olish mumkin, chunki PMOS tranzistorlari bir xil 
o'lchamda NMOSga qaraganda ancha zaifdir. Shunday qilib, bitta tranzistor juftligi 
(masalan, M 
3
va M 
4
) yozish jarayoni bilan biroz bekor qilinganda, qarama-qarshi 
tranzistorlar juftligi (M 
1
va M 
2
) eshik kuchlanishi ham o'zgaradi. Bu shuni 
anglatadiki, M 
1
va M 
2
tranzistorlari osonroq bekor qilinishi mumkin va 
hokazo. Shunday qilib, o'zaro bog'langan invertorlar yozish jarayonini 
kattalashtiradi. 
Avtobus harakati 
[ 
tahrirlash 
]
 
Kirish vaqti 70 ns bo'lgan operativ xotira
 manzil satrlari haqiqiy bo'lgan vaqtdan 
boshlab 70 ns ichida haqiqiy ma'lumotlarni chiqaradi. Ba'zi SRAM hujayralarida 
"sahifa rejimi" mavjud bo'lib, unda sahifadagi so'zlar (256, 512 yoki 1024 so'z) 
sezilarli darajada qisqaroq kirish vaqti bilan (odatda taxminan 30 ns) ketma-ket 
o'qilishi mumkin. Sahifa yuqori manzil satrlarini o'rnatish orqali tanlanadi, so'ngra 
so'zlar pastki manzil qatorlari bo'ylab ketma-ket o'qiladi. 
Ishlab chiqarish muammolari 
[ 
tahrirlash 
]
SRAM xujayralarining FinFET
 tranzistorli amaliyoti joriy etilishi bilan ular 
hujayra o'lchamlaridagi samarasizlikdan aziyat cheka boshladilar. So'nggi 30 yil 
ichida (1987 yildan 2017 yilgacha) doimiy ravishda kamayib borayotgan 
tranzistor 
o'lchami
 (tugun o'lchami) bilan SRAM hujayra topologiyasining o'zi qisqarishi 
sekinlashdi va hujayralarni yanada zichroq joylashtirishni qiyinlashtirdi. 
[4]
 
Hajmi bilan bog'liq muammolardan tashqari, zamonaviy SRAM xujayralarining 
muhim muammosi statik oqimning oqishidir. Ijobiy ta'minotdan (V 
dd
), hujayra 
orqali va erga oqib o'tadigan oqim hujayra harorati ko'tarilganda eksponent 
ravishda ortadi. Hujayra quvvatining chiqishi ham faol, ham bo'sh holatda sodir 
bo'ladi, shuning uchun foydali ish bajarilmasdan foydali energiya 
sarflanadi. Garchi so'nggi 20 yil ichida bu masala qisman ma'lumotlarni saqlash 
kuchlanish texnikasi (DRV) tomonidan 5 dan 10 gacha qisqartirish stavkalari bilan 
hal qilingan bo'lsa ham, tugun hajmining pasayishi qisqarish tezligining taxminan 
2 ga tushishiga olib keldi 
[4].
 

---

14 
Ushbu ikki muammo tufayli energiya tejamkor va zich SRAM xotiralarini ishlab 
chiqish yanada qiyinlashdi, bu esa yarimo'tkazgich sanoatini STT-MRAM
 va 
F-
RAM
 kabi alternativalarni izlashga undadi . 
[4] [21]
 
Kompyuter terminologiyasi ba'zan uning murakkabligi bilan urib. Shu sababli, 
foydalanuvchi va bir vaqtning o'zida final xaridor bir kompyuter sotib olayotganda 
tanlash ayrim muammolar bilan duch yoki konfiguratsiya yangilash. kompyuterga 
eng muhim xususiyatlaridan biri, deb atalmish Vaqt. RAM u faoliyat bir chastota 
parametr, shuningdek, kompyuter va boshqa modullar uchun davolash kechikishlar 
hajmi sifatida xarakterlanadi. 
tasodifiy kirish xotira - Vaqt nima savol javob ketadi oldin, biz operativ xotira 
asosiy tamoyilini tasvirlab.