O’zbekiston respublikasi oliy va o’rta maxsus ta’limi vazirligi

 

 

3.6. Tranzistorlarni qo‘llanilish sohalari. 

Hozirgi zamonda radiotexnika va elektronika rivojlanishi natijasida radioaloqa, 

radioeshittirish, televideniya, radiolokatsiya, radionavigatsiya, radioastronomiya, 

radioteleboshqarish, elektron hisoblash texnikasi, kompyuter texnologiyasi va boshqa 

murakkab elektron qurilmalarni asosini tranzistorlar tashkil etadi (29-rasm).   

Tranzistorlarni  juda  ko‘p  turlari  yaratilgan  va  ular  benuqson,  uzoq  muddat 

ishlashi bilan ajralib turadi.  

Bundan  tashqari  tranzistorlar  past  chastotali  signallarni  kuchaytirish  uchun 

qo‘llaniladi.  Tranzistorlarda  qurilgan  kuchlanish  kuchaytirgichlari  asosan  ikki  xil 

turga ajraladi.  

1 tur. Qarshilikli tranzistor kuchaytirgichlari.  

2 tur. Transformatorli tranzistor kuchaytirgichlari. 

Kuchaytirgichning kirishiga signal berilmasa tranzistorning emitter, kollektor, 

baza zanjirlaridan hamda bo‘luvchi qarshiliklardan toklar o‘tib turadi. 

54 

 

Tranzistorli past chastota kuchaytirgichlarning amaliy chizmasi 28-rasmda 

ko‘rsatilgan mVt, bu chizmada signal chiqish joyida maksimal quvvat R=200 tengdir. 

Tranzistorli  kuchaytirgichning  eng  ko‘p  tarqalgan  qo‘llanilish  sohasi           

28-rasmda berilgan. 

 

30-rasm. Past chastotalarni kuchaytirib beruvchi tranzistorli radioqurilma (UNCh 

kaskadi). 

 

 

55 

 

Xulosa 

Bugingi  kunda  ilmiy-texnikaning  zamonaviy  yo’qlanishi  elektronikaning 

rivojlanishi  bilan  chanbarchas  bog`liqdir.    Elektronika  gaz,  qattiq  jism  vakuum  va 

boshqa muxitdagi elementar zaryadlangan zarrachalarga elektromagnit maydon ta`sir 

natijasida  xosil  bo’lgan  elektr  o’tkazuvchanlikni  o’rganish  va  undan  foydalanish 

masalalari  bilan  shugullanadigan  fan sohasidir. Elektronika  yutuqlari natijasi sifatida 

elektrovakuum  va  yarim  o’tkazgichli  asboblarning  turli  xil  va  ijobiy  xususiyatlarida 

namoyon  bo’ladi.  Zamonaviy  elektornikani  o’rganish  uchun  avvalam  bor 

radioelektronika  asboblarining  tuzilishi,  ishlash  printsipi  va  fizikaviy  asoslarini  bilib 

olish kerak.  

Integral 

mikrosxemalar 

radio 

elektron 

apparaturalarda 

elementlararo 

ulanishlarni  ta`minlash  bilan  birgalikda,  ularning  kichik  o`lchamlarini,    energiya 

ta`minotini,  massa  va    material  hajmini  ta`minlaydilar.  Ko`p  sonli  chiqishlar  va 

qobiqlarning  yo`qligi  radio  elektron  apparaturalarning  hajmi  va  massasini 

kichraytiradi. Moddaning yarim o‘tkazgichlik xossasiga asoslangan elementlarda fizik 

jarayonlar    mikronlar  tartibidagi  sohalarda  yuz  berib,  zamonaviy  mikrochiplarda 

kremniy  kristalining    kichik  bo‘lagida  bir-biriga  ulangan  millionlab  diodlar, 

tranzistorlar, qarshiliklar, kondensatorlar joylashgan. 

Yarim  o‘tkazgichli diod (YO’D) ikki elektrodli qurilma bo‘lib, uning ishlashi 

n-p  o‘tishni  elektrik  xususiyatlarga,  yoki  metal  yarim  o‘tkazuvchi  kontaktini 

ishlatilishiga  asoslangan.  Bu  xususiyatlarga  quyidagilar  kiradi:  bir  tomonlama 

o‘tkauvchanlik,  volt-amper  tavsifini  nochiziqligi,  volt-amperli  tavsifini  manfiy 

qarshilikka  ega  bo‘lagi  mavjudligi,  elektrli  buzilishda  teskar  tokni    keskin  oshib 

ketishi,  n-p  o‘tishni  sig‘imi  mavjudligi  n-p  o‘tishni  qaysi  xususiyatlari  ishlatilishiga 

bog‘liq  xolda  yarim  o‘tkazuvchi  diodlar  to‘g‘irlash,  detektrlash,  o‘zgartirish,  elektr 

tebranishlarni  generatsiyalash    shuningdek  o‘zgarmas  tok  zanjirlarida  kuchlanishni 

stabillash va o‘zgsharuvchan reaktiv elementlari sifatida qo‘llash mumkin.  

56 

 

Ilgari  zamonda  vakuumli  lampalarga  elektron  asos solgan  bo‘lsa,  endilikda  yarim 

o‘tkazgichli  qurilmalar,  elektronikaning  beqiyos  rivojlanishiga  ustqurma  bo‘lib 

xizmat  qilmoqda.  Elektr  o‘tkazuvchanlik  jihatidan  yarim  o‘tkazgichlar  metallar  va 

dielektriklar oralig‘ida sodir bo‘ladi. Bugungi kunda bir yoki bir nechta n-p o‘tishli va 

uch  yoki  undan  ko‘p  uchlari  bo‘lgan  elektr  o‘zgartiruvchi  yarim  o‘tkazgichli  asbob 

tranzistor deb nomlanadi. 

Tranzistorlar konstruksiyasi bo‘yicha nuqtali va yassi bo‘lishi mumkin, biroq, 

garchi  nuqtali  tranzistorlar  oldin  paydo  bo‘lishiga  qaramasdan,  ularning  nostabil 

ishlashi  shunga  olib  kelidiki,  bugungi  kunda  faqat  yassi  tranzistorlar  ishlab 

chiqariladi. Yarim o‘tkazgichli tranzistorlarning muhim xossalari turli tashqi omillar: 

 T-temperatura;           F-yorug‘lik oqimi; 

 R-bosim kuchi;             E-elektr maydon kuchlanganligi;   

va  boshqa  tashqi  ta’sirlarida  elektr  o‘tkazuvchanlikni  tez  o‘zgarishidir.  Yarim 

o‘tkazgichlar  tarkibida  bir  oz  aralashma  qo‘shilganda,  ularning  elektr 

o‘tkazuvchanligi  bir  necha  ming  marta  o‘zgarishiga  olib  keladi.  Xulosa  qilib  shuni 

ta’kidlash mumkinki yarim o‘tkazgichlarda elektronlar kontsentratsiyasi kam ekanligi 

(metallarga solishtirganda ancha kam) va tashqi omillarga bog‘liqligi sababdir. Tashqi 

elektr  maydon  ta’sirida  erkin  elektronlar  harakatlanib,  elektron  o‘tkazuvchanlikni 

hosil  qiladi  (N-o‘tkazuvchanlik).  Tashqi  elektr  maydon  ta’sirida  teshiklar  maydon 

yo‘nalishiga siljiydi. Ana shu teshiklar siljishi kattalik jihatidan elektronlar zaryadiga 

teng bo‘lgan musbat zaryadlar tokiga ekvivalent. Bu jarayon teshikli o‘tkazuvchanlik 

deb 

ataladi 

(R-o‘tkazuvchanlik). 

Shunday 

qilib 

yarim 

o‘tkazgichlarning 

o‘tkazuvchanligi  elektron  o‘tkazuvchanlik  va  teshikli  o‘tkazuvchanlik  yig‘indisidan 

iborat ekan.  

Ushbu  bitiruv  malakaviy  ishi  shu  muammolarga  bagishlanadi.  Xozirgi  vaqtda 

elektronika asboblarning turli xildagi turlarining soni shunchalik ko’pki, ularning xar 

birini qarab chiqishning imkoni yo’q. 

 

57 

 

Foydalanilgan adabiyotlar 

1. 

M.Ismoilov  ,P  .Xabibullayev  ,  M.  Xaulin.  “  Fizika  kursi”.  Toshkent, 

O’zbekiston, 2000-y 

2. 

Qo‘yliyev B.T. Tabiatning fizik xossalari bitmas-tuganmasdir. Qarshi, 2005 y. 

3. 

Nigmatov K. Radioelektronika asoslari. T., 1994 y. 

4. 

Б . М. Я в о р с к и й , А .А .Д е т л а ф. «К у р с  фи з и к и » I-III т о м. М:  

“

В ыcшaя  шkо л а ” 1994 г . 

5. 

Teshaboev  A,  Zaynobiddinov  S,  va  boshq.  Yarimo`tkazgich 

asboblar fizikasi. Toshkent. 2005  y. 

6. 

Teshaboev  A.,  Zaynobiddinov  S.,  va  boshq.  Yarimo `tkazgichlar 

fizikasi. Toshkent. 2006 y. 

7. 

Glebovich A.A. Elektrotexnika va san’a t elektronikasi asoslaridan 

laboratorya ishlari. O’qituvchi,Toshkent 1978 y. 

8. 

X.  Nigmatov,  A.T.  Mirzaev,  D.O.Tolipov  Elektron  kusheytkichlar. 

Toshkent «Universitet»1999  y. 

9. 

Г е р шу н с к и й  Б .С . О с н о в ы э л е к т р о н и к и  и  

ми к р о э л е к т р о н и к и . М., 1990. 

10. 

Ма н а е в  Э .И. Ос н о в ы р а д и о э л е к т р о н и к и . М., 1989 г . 

11. 

Мо л ч а н о в  А .П., З а н а д в о р о в  П.Н. К у р с  э л е к т р о н и к и  

и  р а д и о т е х н и к и . М., На у к а , 1976 г . 

12. 

С т е п а н е н к о  И.П. О с н о в ы т е о р и и  т р а н з и с т о р о в  и  

т р а н з и с т о р н ых  с х е м. М., Э н е р г и я , 1977 г . 

13. 

Фе д о т о в  Я .А .  О с н о в ы фи з и к и  п о л у п р о в о д н и к о в ых  

п р и б о р о в .  М., 1970 

14. 

Па с ын к о в  В .В . и  д р . По л у п р о в о д н и к о в ые  

п р и б о р ы.М., 1973 г. 

15. 

С п р а в о ч н и к  п о  п о л у п р о в о д н и к о в ым  д и о д а м, 

т р а н з и с т о р а м и  и н т е г р а л ь н ым с х е ма м/ По д  р е д . 

58 

 

Н.Н. Г о р юн о в а . М., 1972 г. 

16.  Мэ д л е н д  Г .Р . и  д р . Ин т е г р а л ь н ые  с х е м ы/ М., 1970 г. 

17.  П а р ф е н о в  О .Д . Т е х н о л о г и я  м и к р о с х е м . М., 1977г.. 

18. 

С т у п е л ь ма н  В .Ш.,  Фи л а р е т о в  Г .А . 

По л у п р о в о д н и к о в ые  п р и б о р ы.М.,1972 

19. 

Г у с е в  В .Г ., Г у с е в  Ю.М  Э л е к т р о н и к а . М.1991 г . 

20. 

Г а в р и л о в   .Р .А .,  С к в о р ц о в .А .М.,  О с н о в ы  фи з и к и  

п о р л у п р о в о д н и к о в  и з д  М «Ма ши н о с т р о е н и е » 1966 г . 

21. 

Д е ми р ч я н   К .С .  Т е о р и ч е с к а я   э л е к т р о   т е х н и к а . 

Мо с к в а , 1985 г . «Э н е р г и я », 1-2 ч а с т ь . 

22. 

Ма т х а н о в   И.Н.  О с н о в ы  а н а л и з а   э л е к т р и ч е с к и х  

ц е р е й . Мо с к в а , 1985 г ., «Э н е р г и я ». 

23. 

Фе д о р о в  

А .А . 

Э л е к т р о с н а б же н и я  

п р о м. 

п р е д п р и я т и я . Мо с к в а , 1976 г . «Э н е р г и я ». 

24. 

В е н и к о в  В .А . Ма т е ма т и ч е с к и е  з а д а ч и  э н е р г е т и к и . 

Мо с к в а , «В ыс ша я  шк о л а », 1980 г . 

25. 

Же р е б с о в  

И.П. 

О с н о в ы 

э л е к т р о н и к и . 

М. 

Э н е р г о а т о ми з д а т  1989 г . 

26. 

www.pedagog.uz

  

27. 

http://www.ziyonet.uz/

  

28.  www. fizik. Ru