Oʻzbekiston respublikasi raqamli texnologiyalar vazirligi muhammad al-xorazmiy nomidagi toshkent axborot texnologiyalari universiteti elektronika va radiotexnika kafedrasi Elektronika va sxemalar 2 fanidan mustaqil ishi mavzu

Maydoniy tranzistorning ulanish sxemalari
Boshqarishga energiya sarflari nuqtai nazaridan maydoniy tranzistorlarni boshqarish umuman olganda bipolyar tranzistorni boshqarishga qaraganda tejamliroq olinadi. Bu maydoniy tranzistorlarning hozirgi ommaviyligi orqali tushuntiriladigan omillardan biri hisoblanadi. Maydoniy tranzistorlarning asosiy ulanish sxemalarini umumiy asosda ko‘rib chiqamiz.

5- rasm. UE, UK va UBli kuchaytirish kaskadlarining ishlatilish sxemalari

Umumiy istokli ulanish
Maydoniy tranzistorlarni umumiy istokli ulanish sxemasi bipolyar tranzistor uchun umumiy emitterli sxemaning o‘xshashi hisblanadi. Bunday ulanish sxemasi quvvat va tok bo‘yicha sezilarli kuchaytirishni berishi mumkinligi bois juda keng tarqalgan, bunda stok zanjiri kuchlanishining fazasi o‘zgarmaydi (6- rasm).
6- rasm. Maydoniy tranzistorni umumiy istokli ulanishi

Zatvor-istok to‘g‘ridan-to‘g‘ri o‘tishining kirish qarshiligi yuzlab megaomlarga yetadi, uni zatvorni umumiy o‘tkazgichga galvanik tortish (maydoniy tranzistorni o‘tishlardan himoyalash) maqsadida zatvor va istok orasiga rezistorni qo‘shish bilan kamaytirish mumkin.

Bu R_z rezistorning qiymati (odatda 1 dan 3 MOmgacha) zatvor-istok qarshiligini kuchli shuntlamaslik va bunda teskari surilgan boshqarish o‘tishi tokidan o‘ta yuklanishga yo‘l qo‘ymaslik uchun mos tanlanadi.
Umumiy istokli sxemadagi maydoniy tranzistorning sezilarli kirish qarshiligi undan kuchlanishni kuchaytirish sxemalarida foydalanishda aynan maydoniy tranzistorning muhim afzalligi hisoblanadi, axir stok zanjirining R_s qarshiligi odatda 1...10 kOmlardan oshmaydi.
Umumiy stokli ulanish
Maydoniy tranzistorning umumiy stokli ulanish sxemasi (istokli takrorlagich) bipolyar tranzistor (emitterli takrorlagich) uchun umumiy kollektorli sxemaning o‘xshashi hisoblanadi. Bunday ulanish chiqish qarshiligi kirish qarshiligi bilan fazada bo‘lishi kerak bo‘ladigan moslashtirish kaskadlarida ishlatiladi (7- rasm).

7- rasm. Maydoniy tranzistorni umumiy stokli ulanishi

Zatvor-istok o‘tishining kirish qarshiligi odingi holdagi kabi yuzlab megaomlarga yetadi, bunda R_i kirish qarshiligi nisbatan uncha katta bo‘lmaydi. Bu ulanish sxemasi umumiy istokli sxemaga qaraganda yuqoriroq chastotalar diapazoni bilan farqlanadi. Kuchlanish bo‘yicha kuchaytirish koeffitsienti birga yaqin, chunki bu sxema uchun istok-stok va zatvor-istok kuchlanishi odatda qiymat bo‘yicha yaqin bo‘ladi.

Umumiy zatvorli ulanish
Umumiy zatvorli ulanish bipolyar tranzistor uchun umumiy bazali kaskadga o‘xshash bo‘ladi. Bu yerda tok bo‘yicha kuchaytirish bo‘lmaydi, shuning uchun quvvat bo‘yicha kuchaytirish umumiy istokli kaskaddagidan ko‘p martaga kichik bo‘ladi. Kuchaytirishda kuchlanish boshqarish kuchlanishi kabi o‘sha fazaga ega bo‘ladi (8- rasm).

8- rasm. Maydoniy tranzistorni umumiy zatvorli ulanishi

Binobarin, chiqish toki kirish tokiga teng, u holda tok bo‘yicha kuchaytirish koeffitsienti birga teng, kuchlanish bo‘yicha kuchaytirish koeffitsienti esa birdan katta bo‘ladi.

Bu ulanish sxemasida tok bo‘yicha parallel manfiy teskari aloqa xususiyati mavjud, ya’ni boshqarish kirish kuchlanishi ortganida istokning potensiali ortadi, mos ravishda stok toki kamayadi va istok zanjirining R_i qarshiligidagi kuchlanishni kamaytiradi.