O’zbekiston Respublikasi Raqamli texnologoyalar vazirligi Muhammad Al-Xorazmiy nomidagi Toshkent axborot texnologiyalari universiteti

Tranzistor teshilishi va uning barqaror ishlash sohasini kengaytirish usullari

BT larda ikki turdagi elektr teshilishlar kuzatiladi: birlamchi va ikkilamchi.

Birlamchi teshilish odatda tranzistor kuchaytirgich rejimida ishlaganda kuzatiladi va kollektor-baza yoki kollektor-emitter kuchlanish ma’lum bo‘sag‘aviy kuchlanishdan ortganda, kollektor (emitter) tokining keskin ortishi bilan belgilanadi.
Ikkilamchi teshilish tranzistorning impuls yoki kalit rejimida kuzatiladi va o‘zini kollektor-emitter kuchlanish bir vaqtda keskin pasayganda kollektor toki keskin oshishi bilan namoyon qiladi.
Bunday teshilish natijasida tranzistor asosidagi elektron kalit boshqarilmaydigan bo'lib qoladi va uni bu holatdan chiqarib bo‘lmaydi.UE ulangan tranzistorning statik chiqish xarakteristikalarida birlamchi va ikkilamchi teshilish sohalari ko‘rsatilgan.
Birlamchi teshilish sodir bo‘lish mexanizmi va rivojlanishi yetarlicha sodda.
U boshlanishining birinchi sababi, teskari siljitilgan KO‘ da zaryad tashuvchilarning ko‘chkili ko ‘payishi bilan bog‘liq.
Zaryadlarning ko‘chkili ko‘payishi, kollektorga berilgan teskari kuchlanish qiymati, bo‘sag‘aviy kuchlanishdan katta bo‘lganda boshlanadi.
Teshilishning rivojlanishiga kollektoming xususiy toki bilan emitter toki orasida musbat teskari aloqa mavjudligi yordam beradi.
KO‘ da kuchlanish (kollektor zanjiridagi qarshilikda kuchlanish tushishi natijasida) kam ayishiga qaram asdan kollektor toki (chiqish xarakteristikalarda manfiy differensial qarshilikli sohalar) ortib boradi.

UB ulangan sxemani ko‘rib chiqamiz va boshida emitter kirish uzilgan (I_E=0) deb faraz qilamiz.

Bu holatda KO‘ izolatsiyalangan bo‘lib qoladi va uning teshilishi, sharoitiga muvofiq, alohida olingan teskari siljitilgan p-n o'tishning teshilishiga o‘xshaydi. p-n o‘tishda zaryad tashuvchilar ko‘payish koeffitsientini M bilan belgilaymiz.
Unda ko‘chkili ko‘payish sharoitida K 0 ‘ xususiy toki qiymati quyidagicha bo'ladi:
I^*_KB0 =M • I_K0
bu yerda: I_K0 — berilgan U_KB kuchlanishda zaryad tashuvchilaming faqat termik generatsiyasi va ekstraksiyasi bilan belgilangan xususiy toki qiymati.

UE ulangan sxema baza toki bilan boshqarilganda birlamchi teshilish kuchlanishi UB ulangan sxemadagi U_KB0 teshilish kuchlanishiga nisbatan 23 marta kichik bo‘ladi.

Ushbu kuchlanish I_B = 0 bo'lganda (baza elektrodi uzilganda) minimal qiymatga ega bo'ladi. Shu sababli UE ulangan sxema, kirish zarjirining uzilishiga, ayniqsa, katta quvvatli tran zisto rlar ishlatilganda, mutlaqo yo‘l qo‘yib bo‘lmaydi.
Baza elektrodiga ballast qarshiliklar ulanishi maqsadga muvofiq emas, chunki u kollektor va emitter tok lari orasidagi musbat teskari aloqa koeffitsientini oshiradi va tranzistorning barqaror ishlash sohasi qisqaradi. Demak, barqaror ishlash sohasi kengligiga yuqori talablar qo‘yilgan

funksional (impuls va kalit) qurilmalarni ishlab chiqishda baza toki bilan boshqariluvchi UE ulangan sxemalardan foydalanmaslik kerak.

Kirish kuchlanishi bilan boshqarilganda yoki em itter zanjirida teskari manfiy aloqani shakllantirish yoki tarkibiy tranzistorlar qo‘llash kerak. Oxirgi holda tarkibiy tranzistorning chiqish tranzistori emitter toki bilan boshqariluvchi rejimga qo'yiladi.
Bunda emitter toki qiymati ikkinchi (ishga tushiruvchi) tranzistor orqali beriladi va unda kollektor toki kollektor-baza kuchlanishiga juda sust bog‘liq bo‘ladigan yoki bog‘liq bo‘lmaydigan rejimga qo‘yiladi. Masalan, to‘yinish rejimining boshlang‘ich sohasi (injeksiya — voltaik rejimda) ishlatiladi. Yuqorida keltirilgan ko‘rsatmalardan foydalanishning amaliy natijalari quyida keltirilgan.