O‘zmu xabarlari Вестник нууз acta nuuz

O‘zMU xabarlari Вестник НУУз ACTA NUUz
 
FIZIKA 
3/2/1 2021 
- 353 -
На зависимостях Rh(H), полученных для GaMnAs:Be участки положительного МС отсутствуют для обеих осей, а 
наблюдается лишь плато МС при напряженности магнитного поля H до 1500-2000 Э. Различие в характере 
магнетосопротивления, измеренного для кристаллических осей [110] и [110] проявляется лишь в некотором 
уменьшении ширины плато для оси [110]. Таким образом, при ориентации магнитного поля нормально к поверхности 
образца, в области магнитных полей до 3000 Э анизотропия МС для образца GaMnAs:Be выражена слабее, чем для 
образца несолегированного Be. 
Рассмотрим теперь магнетосопротивление эпитаксиальных слоев при параллельной ориентации магнитного поля 
относительно поверхности образца. В этом случае положительное магнетосопротивление наблюдается как в образцах 
GaMnAs, так и в образцах GaMnAs:Be. 
Наибольшая величина положительного магнетосопротивления наблюдается вдоль оси [110] для образца 
солегированного Be. Кроме того, величина положительного магнетосопротивления остается положительной вплоть до 
значений 3500 Э. Для кристаллической оси [110] также наблюдаются участки положительного магнетосопротивления в 
области напряженности магнитного поля от H = 1000 Э до H = -1000 Э.
Рис. 2. Магнетосопротивление эпитаксиальных слоев GaMnAs и GaMnAs:Be при параллельной ориентации H 
относительно поверхности образца: 1 – GaMnAs:Be [110], 2 – GaMnAs:Be [110], 3 – GaMnAs [110], 4 – GaMnAs [110]. 
В образцах GaMnAs эффект положительного магнетосопротивления выражен слабее. На зависимостях Rh(H), 
измеренных для образца GaMnAs, в области полей от Н = 500 Э до Н = -500 Э также наблюдаются участки 
положительного магнетосопротивления, однако величина его не превышает 0,1% для оси [110] и 0,02% для оси [110]. 
Таким образом проведенные измерения магнетосопротивления эпитаксиальных слоев GaMnAs и GaMnAs:Be 
показали, что солегирование Be ведет к изменению характера магнитной анизотропии при различной ориентации 
магнитного поля относительно исследуемой оси. Такое изменение, на наш взгляд, может быть связано с уменьшением 
механических напряжений в объеме эпитаксиального слоя. Уменьшение механических напряжений, в свою очередь 
ведет к изменению ориентации оси легкого намагничивания от направления, лежащего в плоскости эпитаксиального 
слоя, к направлению перпендикулярному плоскости эпитаксиального слоя [12]. 
Заключение. Проведены измерения магнетосопротивления эпитаксиальных слоев GaMnAs и GaMnAs:Be. 
Показано, что характер анизотропии МС зависит от ориентации магнитного поля относительно поверхности 
эпитаксиального слоя. Установлено, что изменение характера анизотропии может быть связано с механических 
напряжений в объеме эпитаксиального слоя, при солегировании GaMnAs примесью Be.