O‘zmu xabarlari Вестник нууз acta nuuz

ЭФФЕКТЫ АНИЗОТРОПИИ МАГНИТОСОПРОТИВЛЕНИЯ В ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ СЛОЯХ GaMnAs И 
GaMnAs:Be 
Аннотация 
В настоящей статье исследовано влияние солегирования примесью Be GaMnAs на анизотропию магнетосопротивления, 
измеренного при различных ориентациях магнитного поля. Показано, что солегирование Be ведет к изменению 
характера анизотропии магнетосопротивления в области полей до 3000 Э. Обнаруженный эффект может быть связан с 
изменением ориентации оси легкого намагничивания от направления, лежащего в плоскости эпитаксиального слоя, к 
направлению лежащему нормально к плоскости эпитаксиального слоя. Изменение направления оси легкого 
намагничивания может быть связано с уменьшением механических напряжений в объеме эпитаксиального слоя при 
введении примеси Be в полупроводниковую матрицу GaMnAs. 
Ключевые слова: магнитная анизотропия, магнетосопротивление, молекулярно-лучевая эпитаксия, ось легкого 
намагничивания, GaMaAs, GaMnAs:Be. 
Введение. На сегодняшний день разбавленные магнитные полупроводники на основе соединений A3B5 
рассматриваются в качестве базовых материалов спинтроники – области полупроводниковой электроники, в которой 
центральное место занимает использование спиновой степени свободы в твёрдотельных системах [1-3]. Эффективность 
внедрения элементов спинтроники в полупроводниковую наноэлектронику зависит как от возможности эффективного 
контроля и управления спиновой ориентацией носителей заряда в этих элементах, так и от возможности их интеграции с 
традиционными, немагнитными, элементами наноэлектронных структур. Возможность создания приборов и структур 
полупроводниковой спинтроники требует создания материалов, сочетающих в себе полупроводниковые и магнитные 
свойства. Наиболее полно отвечают этим требованиям твердые растворы магнитной примеси Mn в GaAs. В твердых 
O‘ZBEKISTON MILLIY 
UNIVERSITETI
XABARLARI, 2021, [3/2/1]