Pechat platalar Berilgan o'tkazuvchanlik turlari va yarim o'tkazgichli qatlamlarni yaratish jarayoni

Plastina sirtining oksidlanishi

Diffuziyalash operatsiyalarida kremniy sirtini himoyalash va niqoblash uchun kislorod yoki suv bug’lari atmosferasida 1000...1300°S haroratda plastinalarni oksidlash qo’llaniladi. Bunda 0,1...1 mkm qalinlikdagi kremniy ikki oksidining dielektrik qatlami hosil qilinadi.
Kremniy ikki oksidining dielektrik qatlamlari quyidagilar uchun ishlatiladi:

• 
  yarim o’tkazgichli plastinaning sirtini tashqi ta'sirlardan himoyalash;
  
• 
  niqoblarni hosil qilish, ularning oynasi orqali aralashmalar kiritiladi va alohida yarim o’tkazgichli aralashmalarning talab qilinadigan konfiguratsiyasi ta'minlanadi;
  
• 
  «metall—dielektrik—yarim o’tkazgich» (MDYaO’) tuzilmasili tranzistorlar zatvori ostida dielektrikni hosil qilish;
  
• 
  IMS elementlarini o’zaro izolyasiyalash (ajratish).
  

Shunday qilib, kremniy IMSlarni tayyorlash uchun asosiy material hisoblanadi.

2. Litografiya jarayonlari

Litografiya (o’yma naqsh) yarim o’tkazgichli plastinaga aralashmalarni kiritilishining lokal xarakterini ta'minlash va elementlarning berilgan konfiguratsiyasini olinishi maqsadlarida niqoblardagi oynalarni yaratish uchun IMSlarni tayyorlashda ishlatiladi.
Litografiya usullari orasidan hozirga vaqtda fotolitografiya eng keng qo’llaniladi. Fotolitografiyaning asosida fotorezistlar hisoblanadigan materiallardan foydalanish yetadi. Bu oddiy fotografiyada ma'lum bo’lgan fotoemulsiyalarning bir turi hisoblanadi. Fotorezistlar ultrabinafsha nurlarga sezgir, shuning uchun ularga uncha bo’lmagan qorong’i xonada ishlov berish mumkin. Fotorezistlar negativ va pozitiv bo’lishi mumkin. Negativ fotorezistlar yorug’lik ta'sirida polimerlashadi va kislotali va ishqorli ta'sirlarga barqaror bo’lib oladi. Shunday qilib, fotoshablon ta'minlaydigan lokal yoritishdan keyin yoritilmagan oraliqlar oddiy fotonegativagi kabi ishlov beriladi. Pozitiv fotorezistlarda yorug’lik,
aksincha, polimer zanjirlarini buzadi va demak, yoritilgan oraliqlarga ishlov beriladi
Fotoshablon qalin shisha plastina bo’lib, uning tomonlaridan biriga yorug’lik uchun ochiq ko’rinishdagi oraliqlar-oynalar zarur rasmili yupqa ko’rinadigan plyonka qoplangan. 1:1 masshtabdagi bu oynalar bo’lajak IMSlar oynalariga mos keladi. Binobarin, IMSlar guruhli usulda ishlatiladi, fotoshablonda ko’plab bir turli rasmlarga ruxsat etadi. Har bir rasmning o’lchami bo’lajak IMS kristalining o’lchamiga mos keladi.
Fotolitografik jarayonlar kompleksi IMSning tayyorlanishi texnologik jarayonida ko’p martta (3 dan 1 martagacha) takrorlanadi. Har bir marta kremniyning oksidlangan plastinasiga yupqa fotorezist qatlami yuritiladi, u fotoshablon orqali ultrabinafsha nurlanish manbaidan yoritiladi. Keyin fotorezist ko’rinadigan qilinadi va kremniy ikki oksidi sirtidagi zarur oynalar ochiladi. Bu oynalarda kremniy ikki oksidi ftoristli ammoniy va o’tkir kislota aralashmasi orqali ishlov beriladi, bu bilan yarim o’tkazgichli taglik sirti tanlab ochiladi. Shunday qilib, IMS elementlarini tayyorlashda diffuziyalash va epitaksiyalash jarayondaridan foydalanish uchun sharoit yaratiladi. Fotolitografiya bosqichlari 2.7- rasmda tasvirlangan.
Ko’plab yillar davomida ishlov berish uchun turli nam kimyoviy jarayonlar ishlatildi (―nam‖ atamasi yarim o’tkazgichli tuzilmalarga ishlov berish uchun kimyoviy aktiv komponentlarning suvli va suvsiz aralashmalaining ishlatilishini ko’zda tutadi). Lekin mikrosxemalarning integratsiyalanishi darajasi va axborot sig’imini uzluksiz oshirish zarurati shunga olib keldiki, nam jarayonlar zarur ruxsat etishni ta'minlay olmadi.