Phototransistor

Bipolyar fototranzistorlar

h

Fototranzistor –yorug’likni sezuvchi va bunda sodir bo’ladigan elektr tok kuchini kuchaytiruvchi yarimo’tkazgichli asbob, u fotodiodga qaraganda ancha yaxshi sezgirlikni ta'minlaydigan shaffof qopqoqli asosi tranzistordan hosil bo'lgan yarim o'tkazgichli yorug'lik sensori.

Fototranzistor tuzilishi

Surat tranzistorining bazasi va kollektor maydonlari oddiy tranzistor uchun ishlatilganidan ancha katta. Ushbu qurilmalar odatda diffuziya yoki ion implantatsiyasi yordamida ishlab chiqarilgan.

Dastlabki fotosurat tranzistorlari germaniy yoki kremniydan butun qurilmada homo-birikma tuzilishini ishlatgan. Zamonaviy fototranzistorlar galliy arsenidi va shunga o'xshashlar kabi III-V turdagi materiallardan foydalanadilar.

P-n o'tishining har ikki tomonida turli xil materiallardan foydalanadigan geterostrukturalar ham mashhur, chunki ular yuqori konversiya samaradorligini ta'minlaydi. Ular, odatda, mos keladigan panjarali tuzilmalarga ega bo'lgan materiallarning epitaksial o'sishi yordamida tayyorlanadi. Ushbu foto tranzistorlar odatda mesa tuzilishini ishlatadilar. Ba'zida fototranzistor ichidagi kollektor uchun Schottky (metall yarimo'tkazgich) birikmasidan foydalanish mumkin, ammo hozirgi kunda bu amaliyot kamroq uchraydi, chunki boshqa tuzilmalar ishlashning yuqori darajasini taklif qiladi.

• Optimal konversiyani va shu sababli sezgirlikni ta'minlash uchun emitentning aloqasi ko'pincha fototranzistor strukturasida qoplanadi. Bu nurning maksimal miqdori fototranzistor ichidagi faol hududga yetib borishini ta'minlaydi.