Полупроводник – это кристаллическое твердое тело, электрическая проводимость которого равна {
Download 0.62 Mb.
|
Elektronika Yakuniy Javoblari.uz.ru.docx
- Bu sahifa navigatsiya:
- Термическая перфорация диода …….
- Сколько pn-переходов в симисторе а. 1 б. 3 в. 2 * д. 4 В схемах используется стабилизатор....
- Биполярные транзисторы используются в схемах.
|
Полупроводниковый напиток.....
а. имеет один p-n переход и три электрода * б. имеет один p-n переход и два электрода в. имеет только pn-переход, без электродов д. имеет два p-n перехода и три электрода Термическая перфорация диода ……. а. резкое увеличение тока в результате туннелирования валентных электронов из p-домена в n-домен * б. увеличение обратного тока в результате неконтролируемого необратимого процесса при нагреве точки p в. резкое увеличение тока при правильном подключении диода д. резкое увеличение тока в результате ударной ионизации на p-переходе Сколько pn-переходов в симисторе? а. 1
в. 2 * д. 4 В схемах используется стабилизатор.... а. * для стабилизации напряжения б. скорректировать ток трансформатора в. для преобразования переменного тока в постоянный д. как электрический конденсатор Биполярные транзисторы используются в схемах. а. чтобы выключить будильник б. для разделения сигналов * с. для увеличения мощности сигнала д. задерживать сигналы В активном режиме эмиттер биполярного транзистора.....обслуживает * инжектировать основные носители заряда в базу транзистора инжектировать основные носители заряда в базу транзистора для извлечения неосновных носителей заряда из базы для извлечения основных носителей заряда из базы В каком режиме работает биполярный транзистор при обработке аналоговых сигналов? а) * активный б) закрытый в) насыщенность г) инверсия 3. Ширина запретной зоны по арсениду галлия составляет ... а) * 1,43 эВ б) > 3 эВ в) 1,12 эВ г) 0,67 эВ 4. Укажите диод, работающий на основных носителях заряда. а) * диод с барьером Шоттки б) диод Ганна в) туннельный диод г) обратный диод 5. База обслуживает зарядные устройства.... а) * для передачи б) для инъекций в) для добычи г) собирать 6. Биполярный транзистор а) * Электрический преобразователь б) электроосветительное устройство в) фотоэлектрический прибор г) термоэлектрический прибор 7. Биполярный транзистор... а) * имеет два p-n перехода и три электрода б) имеет один p-n переход и два электрода в) имеет один p-n переход и три электрода г) имеет только p-n переход, без электродов 8. Биполярный транзистор... используется. а) * Для преобразования электрических сигналов в электрические сигналы б) для преобразования оптических сигналов в электрические сигналы в) для преобразования электрических сигналов в оптические сигналы г) для преобразования тепловых сигналов в электрические сигналы 9. Как обеспечивается эффективное взаимодействие переходов биполярных транзисторов? а) * толщина базы от длины диффузии неосновных носителей заряда б) толщина базы должна быть больше диффузионной длины неосновных носителей заряда в) база должна быть n-различной г) база должна быть p-различной 10. ....... имеет место активный режим биполярного транзистора а) * Когда эмиттерный переход прямой, а коллекторный переход обратный б) когда оба перехода смещены в правильном направлении в) когда оба перехода смещаются в противоположном направлении г) когда эмиттерный переход реверсируется, коллекторный переход тоже реверсируется 11. ......происходит закрытый режим биполярного транзистора а) * когда оба перехода сдвинуты в противоположную сторону б) при обратном эмиттерном переходе обратный переход коллектор-узкий тоже в) когда эмиттерный переход прямой, а коллекторный переход обратный г) когда оба перехода смещены в правильном направлении 12. ......имеет место инверсный режим работы биполярного транзистора а) * эмиттерный переход реверсируется, когда переход коллектор-узкий смещен правильно б) когда эмиттерный переход прямой, а коллекторный переход обратный в) когда оба перехода смещаются в правильном направлении г) когда оба перехода смещаются в противоположном направлении 13. В каком режиме работы биполярного транзистора токи p-n перехода не взаимодействуют друг с другом? а) * закрытый б) инверсия в) активный г) насыщение 14. В каком режиме работы биполярного транзистора ток коллектора контролируется током эмиттера? а) * активный б) насыщенность в) берк г) инверсия 15. В каком режиме работы биполярного транзистора ток коллектора слабо зависит от тока эмиттера? а) * насыщенность б) закрытый в) инверсия г) активный 16. В каком режиме работы биполярного транзистора ток коллектора управляет током эмиттера? а) * инверсия б) активный в) активный г) закрытый 17. В какой области биполярного транзистора концентрация входов будет наибольшей? а) * излучатель б) база в) коллектор г) равны во всех областях 18. В какой области биполярного транзистора концентрация входов будет наименьшей? а) * база б) равны во всех областях в) эмиттер г) коллектор 19. ......насыщение биполярного транзистора а) * оба перехода б) оба перехода обратные в) обратный эмиттерный переход, г) эмиттерный переход правильный, 20. Когда происходит рабочий режим варикапа? a * переключение назад без перехода в режим прокола б) электрический режим пробивки в) периодический обмен передачами вперед и назад г) двигался правильно 21. Какой диод имеет отрицательное дифференциальное сопротивление по вольт-амперной характеристике? а) * туннельный диод б) диод Шоттки в) варикап г) Стабилитрон 22. Ширина запретной зоны Германии составляет ... а) * 0,67 эВ б) 1,43 эВ в) > 3эВ г) 1,12эВ 23. Диодный тиристор... а) * имеет три p-n перехода и два электрода б) имеет три p-n перехода и три электрода в) имеет три p-n перехода и четыре электрода г) имеет один p-n переход и два электрода 24. Диффузия – это ………. а) * Движение носителей заряда из-за разницы концентраций б) движение носителей заряда под действием электрического поля в) появление свободных носителей заряда г) явление потери свободных носителей заряда 25. Идеальный VAX диода…. не принимает во внимание а) * вклад p-n перехода диода в генерацию тока б) концентрация основных носителей заряда на r-базе диода в) диод n - концентрация основных носителей заряда у базы г) концентрация непервичных носителей заряда у обеих баз диода 26. Термическая перфорация диода а) * Увеличение обратного тока при нагреве p-n перехода в результате неконтролируемого необратимого процесса б) резкое увеличение тока при правильном подключении диода в) резкое увеличение тока в результате ударной ионизации на р-переходе г) резкое увеличение тока в результате туннелирования валентных электронов из p-домена в n-домен 27. Оползневая перфорация диода а) * Резкое увеличение тока в результате ударной ионизации на p-n переходе б) резкое увеличение тока в результате туннелирования валентных электронов из p-домена в n-домен в) увеличение обратного тока в результате неконтролируемого необратимого процесса при нагреве р-перехода г) резкое увеличение тока при правильном подключении диода 28. Туннелирование диода а) * Резкое увеличение тока в результате туннелирования валентных электронов из p-домена в n-домен б) увеличение нагрева точки p в результате необратимого процесса без регулирования обратным током в) резкое увеличение тока при правильном подключении диода г) резкое увеличение тока в результате ударной ионизации на р-переходе 29. Диэлектрик – это кристаллическое твердое тело, его электропроводность а) * абсолютно равна нулю при нулевой температуре и не меняется с ростом температуры б) Абсолютный ноль равен нулю по температуре и увеличивается с повышением температуры в) Абсолютный ноль не равен нулю при температуре и уменьшается с повышением температуры г) имеет максимальное значение при температуре абсолютного нуля и уменьшается с ростом температуры 30. Ширина запрещенной зоны диэлектрика равна... а) *> 3 эВ б) 1,12 эВ в) 0,67 эВ г) 1,43 эВ 31. В инвертированном режиме эмиттер биполярного транзистора ...... служит а) * для извлечения неосновных носителей заряда из базы б) извлечь основные носители заряда из базы в) инжектировать основные носители заряда в базу транзистора г) инжектировать основные носители заряда в базу транзистора 32. Впрыск – это ……….. а) При правильном подключении np-перехода поток электронов движется из n-поля в p-поле, а дырки движутся в обратном направлении. б) Поведение непервичных носителей заряда при обратном соединении p-n перехода в) хаотическое тепловое движение свободных носителей заряда г) движение носителей заряда из-за разницы концентраций 33. Коллектор обслуживает носители заряда.... а) * собирать б) для передачи в) для инъекций г) на экстракцию 34. Компенсированный полупроводник – это а) * Концентрация донорных входов равна концентрации акцепторных входов полупроводника б) полупроводник с донорным входом в) полупроводник с акцепторным входом г) полупроводник без ввода 35. Ширина кремниевой запретной зоны составляет ... а) * 1,12 эВ б) 0,67 эВ в) 1,43 эВ г) > 3 эВ 36. Какой диод используется для стабилизации напряжения? а) * стабилитрон б) туннельный диод в) диод Шоттки г) варикап 37. В каком типе полевого транзистора ток протекает только за счет изменения ширины площади канала? а) * Полевой транзистор, управляемый p-переходом б) в МДЯ-транзистор со встроенным р-каналом в) в n-канальном индуцированном транзисторе МДЯ г) МДЯ- транзистор 38. Тип диода металл-полупроводник? а) * диод Шоттки б) варикап в) стабилитрон г) туннельный диод 39. Светодиод а) * электроосветительное устройство б) фотоэлектрический прибор в) термоэлектрический прибор г) электрический преобразователь 40. Длина волны светодиода зависит от ...... а) * к материалу, из которого изготовлен диод б) значение обратного напряжения, подаваемого на диод в) к правильному значению напряжения, подаваемого на диод г) геометрические размеры диода 41. Используется излучающий диод.... а) * Для преобразования электрических сигналов в оптические сигналы б) для преобразования тепловых сигналов в электрические сигналы в) для преобразования электрических сигналов в электрические сигналы г) для преобразования оптических сигналов в электрические сигналы 42. Определите вольт-амперную характеристику резистора. а) * б) в) г) 43. Рекомбинация - это... а) * Потеря свободных носителей заряда б) движение носителей заряда из-за разницы концентраций в) движение носителей заряда под действием электрического поля г) появление свободных носителей заряда 44. Какой режим транзистора используется для разрыва цепи при передаче сигнала (транзистор имеет наибольшее сопротивление)? а) * закрытый режим б) инверсионный режим в) активный режим г) режим насыщения 45. Какой режим транзистора используется для соединения цепей при передаче сигналов (транзистор имеет наименьшее сопротивление)? а) * режим насыщения б) закрытый режим в) инверсионный режим г) активный режим 46. Какой режим транзистора используется для усиления сигнала без искажений? а) * активный режим б) режим насыщения в) закрытый режим г) инверсионный режим 47. Установить (указать) режим работы стабилитрона. а) * электрический режим штамповки б) периодическая смена передач вперед и назад в) двигался правильно г) обратное вытеснение без перехода в режим перфорации 48. Установить режим работы стабилизатора. а) * двигался правильно б) обратное вытеснение, не вошедшее в режим перфорации в) режим электрического пробивки г) периодическое чередование передач вперед и назад 49. В схемах используется варикап.... а) * в качестве электрического конденсатора б) все ответы правильные в) для преобразования переменного тока в постоянный г) для стабилизации напряжения 50. Стабильно... используется в схемах. а) * для стабилизации напряжения б) в качестве электрического конденсатора в) переменный ток преобразовать в постоянный г) для преобразования переменного тока в постоянный 51. В схемах используется полупроводниковый диод... а) * для преобразования переменного тока в постоянный б) как индуктивность в) для стабилизации тока г) в качестве накопителя электроэнергии 52. Биполярные транзисторы... применяются в схемах. а) * для усиления мощности сигнала б) для задержки сигналов в) отключить будильник г) для разделения сигналов 53. МДЯ-транзистор... применяется в схемах. а) * в качестве усилителя напряжения б) для задержки сигналов в) отключить будильник г) для разделения сигналов 54. В схемах используется транзистор, управляемый p-n переходом.... а) * в качестве усилителя напряжения б) для задержки сигналов в) отключить будильник г) для разделения сигналов 55. Термистор а) * термоэлектрический прибор б) электрический преобразователь в) электроосветительное устройство г) фотоэлектрический прибор 56. .....изменяется значение тока термистора а) * при изменении температуры окружающей среды б) при повышении температуры окружающей среды в) при понижении температуры окружающей среды г) при изменении освещенности 57. Обратно подключенный ток фотодиода а) * увеличивается с увеличением освещенности б) увеличивается с увеличением освещенности и обратного напряжения в) увеличивается с увеличением обратного напряжения г) уменьшается с увеличением обратного напряжения 58. Тетрод тиристорный... а) * имеет три p-n перехода и четыре электрода б) имеет один p-n переход и два электрода в) имеет три p-n перехода и два электрода г) имеет три p-n перехода и три электрода 59. Тиристор... а) * имеет три p-n перехода и три электрода б) имеет три p-n перехода и четыре электрода в) имеет один p-n переход и два электрода г) имеет три p-n перехода и два электрода 60. Выпрямительный диод а) * Электрический преобразователь б) электроосветительное устройство в) фотоэлектрический прибор г) термоэлектрический прибор 61. Установить режим работы выпрямительного диода. а) * Периодическая смена передач вперед и назад б) двигался правильно в) обратное вытеснение, не вошедшее в режим перфорации г) режим электрической штамповки 62. Фотодиод а) * фотоэлектрический прибор б) термоэлектрический прибор в) электрический преобразователь г) электроосветительное устройство 63. Используется фотодиод.... а) * Для преобразования оптических сигналов в электрические сигналы б) для преобразования электрических сигналов в оптические сигналы в) для преобразования тепловых сигналов в электрические сигналы г) для преобразования электрических сигналов в электрические сигналы 64. Фотодиод....преобразовывает а) * оптический сигнал в электрический сигнал б) тепловой сигнал к электрическому сигналу в) электрический сигнал к электрическому сигналу г) электрический сигнал к оптическому сигналу 64. Фотодиод....преобразовывает а) * оптический сигнал в электрический сигнал б) тепловой сигнал к электрическому сигналу в) электрический сигнал к электрическому сигналу г) электрический сигнал к оптическому сигналу 65. Фоторезистор а) * фотоэлектрический прибор б) термоэлектрический прибор в) электрический преобразователь г) электроосветительное устройство 66. ..... изменение значения фототока фоторезистора а) * с изменением освещенности б) при изменении температуры окружающей среды в) при повышении температуры окружающей среды г) при понижении температуры окружающей среды 67. Используется фототранзистор.... а) * Для преобразования оптических сигналов в электрические сигналы б) для преобразования электрических сигналов в оптические сигналы в) для преобразования тепловых сигналов в электрические сигналы г) для преобразования электрических сигналов в электрические сигналы 68. Концентрация основных носителей заряда в том или ином полупроводнике ... равна. а) * б) в) г) 69. Какие носители заряда генерируют ток в том или ином полупроводнике? а) * электроны и полости б) ямы в) отрицательные ионы г) положительные ионы 70. Определите вольт-амперную характеристику электровакуумного диода. а) * б) в) г) 71. Определите вольт-амперную характеристику электровакуумного триода. а) * б) в) г) 72. Эмиттер обслуживает носители заряда.... а) * для инъекций б) на экстракцию в) собирать г) для передачи 73. Полупроводник – это кристаллическое твердое тело, его электропроводность а) * равна нулю при температуре абсолютного нуля и увеличивается с ростом температуры б) Абсолютный ноль не равен нулю при температуре и уменьшается с повышением температуры в) имеет максимальное значение при температуре абсолютного нуля и уменьшается с ростом температуры г) Абсолютный ноль равен нулю при температуре и не меняется с повышением температуры 74. Определите вольт-амперную характеристику полупроводникового диода. а) * б) в) г) 75. Полупроводниковый диод..б.у. а) * Для преобразования электрических сигналов в электрические сигналы б) для преобразования оптических сигналов в электрические сигналы в) для преобразования электрических сигналов в оптические сигналы г) для преобразования тепловых сигналов в электрические сигналы 76. Полупроводниковый диод... а) * имеет один p-n переход и два электрода б) имеет один p-n переход и три электрода в) имеет два p-n перехода и три электрода г) имеет только p-n переход, без электродов 77. Проводник – это кристаллическое твердое тело, его электропроводность а) * имеет максимальное значение при температуре абсолютного нуля и уменьшается с ростом температуры б) Абсолютный ноль равен нулю при температуре и не меняется с повышением температуры в) равен нулю при температуре абсолютного нуля и увеличивается с ростом температуры г) Абсолютный ноль не равен нулю при температуре и уменьшается с повышением температуры 78. Какой тип диода используется в качестве переменного электрического конденсатора? а) * варикап б) стабилитрон в) туннельный диод г) диод Шоттки 79. В какой конструкции транзистора используется диэлектрический слой? а) * МДЯ в транзисторе б) все ответы неверны в) npn в биполярном транзисторе г) на биполярном транзисторе p-n-p 80. В каком транзисторе режим обогащения и обеднения канала? а) *канальный встроенный полевой транзистор МДЯ б) на биполярном транзисторе p-n-p в) npn в биполярном транзисторе г) канально-индуцированный полевой транзистор МДЯ 81. В каком транзисторе реализуется режим обогащения каналов? а) *канальный индуцированный полевой транзистор МДЯ б) Полевой транзистор МДЯ со встроенным каналом в) на биполярном транзисторе p-n-p г) npn в биполярном транзисторе 82. Какой биполярный транзистор работает быстрее всего? а) * Ширина базы мала, где n-разные записи распределены неравномерно б) ширина основания мала, в котором равномерно распределены n-разных вставок в) ширина основания мала, в котором р-разные вставки распределены неравномерно г) ширина основания велика, в котором n-разные вставки распределены неравномерно 83. Какие носители заряда генерируют ток в р-полупроводнике? а) * ямы б) отрицательные ионы в) положительные ионы г) электроны 84. Какие носители заряда генерируют ток в p-n переходе? а) * электроны и полости б) ямы в) отрицательные ионы г) положительные ионы 85. Полевой транзистор, управляемый p-n переходом... а) * имеет один p-n переход и три электрода б) имеет два p-n перехода и три электрода в) имеет только p-n переход, электродов нет г) имеет один p-n переход и два электрода 86. При правильном смещении p-n перехода внешнее напряжение... а) * отрицательный конец соединяется с n-полем, результирующая площадь уменьшается б) Полюс, соединяющий n-поле, не имеет значения в) положительный конец соединяется с n-полем, результирующая площадь увеличивается г) положительный конец соединяется с n-полем, результирующая площадь уменьшается 87. При обратном p-n переходе внешнее напряжение... а) * положительный конец соединяется с n-полем, результирующая площадь увеличивается б) положительный конец соединяется с n-полем, результирующая площадь уменьшается в) отрицательный конец соединяется с n-полем, результирующая площадь уменьшается г) Полюс, соединяющий n-поле, не имеет значения 88. При правильном подключении p-n перехода... а) * его ширина уменьшается, а барьерная способность увеличивается б) его ширина и барьерная способность уменьшаются в) увеличивается его ширина и барьерная способность г) его ширина увеличивается, а барьерная способность уменьшается 89. При обратном p-n переходе... а) * его ширина увеличивается, а барьерная способность уменьшается б) его ширина и барьерная способность уменьшаются в) увеличивается его ширина и барьерная способность г) ширина его уменьшается, а барьерная способность увеличивается 90. Барьерная способность р-n перехода ... определяется. а) * с его шириной б) прямое напряжение сдвига в) с перфорационным напряжением г) со светочувствительностью 91. От чего зависит ширина pn-перехода? а) * зависит от обратного напряжения б) только вклады в политику концентрации c) только полупроводниковый материал г) характеристика распределения только входов 92. Полупроводник р-типа а) * полупроводник с акцепторным входом б) полупроводниковый без ввода в) концентрация донорных входов полупроводника равна концентрации концентраторно-политических акцепторных входов г) полупроводник с донорным входом 93. В полупроводнике р-типа концентрация основных носителей заряда ... равна. а) * б) в) г) 94. В полупроводнике n-типа концентрация основных носителей заряда ... равна. а) * б) в) г) 95. Полупроводник n-типа а) * полупроводник с донорным вводом б) полупроводник с акцепторным входом в) полупроводник без ввода г) концентрация донорных входов равна концентрации акцепторных входов в полупроводнике 96. Полупроводник n-типа а) * полупроводник с донорным вводом б) полупроводник с акцепторным входом в) полупроводник без ввода г) концентрация донорных входов равна концентрации акцепторных входов в полупроводнике 97. Какие носители заряда являются основными для n-полупроводников? а) * электроны б) ямы в) положительные ионы г) отрицательные ионы 98. Какие носители заряда в n-полупроводнике генерируют ток? а) * электроны б) ямы в) отрицательные ионы г) положительные ионы 99. Чем определяется предельная частота npn различных биполярных транзисторов? а) * Время пролета электронов через базу. б) зарядкой переходной емкости эмиттера и коллектора в) со временем прохождения электронов через коллекторный переход г) все время определяют частоту среза 100. Где уровень энергии Ферми в частных полупроводниках? а) * В середине запретной зоны б) на дне валентной зоны в) в середине валентной зоны г) на дне зоны проницаемости 101. Где находится уровень энергии Ферми в полупроводнике n-типа? а) * Между донорным уровнем и потолком валентной зоны б) Ниже уровня донора в) Уровень донора г) Между подошвой зоны проницаемости и уровнем донора 102. На чем основано изменение концентрации носителей заряда в полупроводнике во времени а) * за счет рекомбинации, диффузии и дрейфа носителей заряда б) электромагнитное поле электронов и р-п-переход в) концентрация и заряд носителей заряда г) удельное сопротивление полупроводника и время жизни носителей заряда 103.Что такое внутренний фотоэффект? а).* Явление появления свободных носителей заряда в зонах в результате воздействия света б) появление свободных носителей заряда в зонах за счет тепла в) появление свободных носителей заряда в зонах в результате деформации г) появление свободных носителей заряда в зонах вследствие поражения электрическим током 104. Что такое дупло? а) * Неэлектронное реле и положительно заряженная квазичастица б) положительно заряженный электрон в) неэффективно заряженная положительно заряженная частица-носитель г) положительно заряженная частица-носитель заряда 105. р-н ширина бедных участков а) * б) в) г) 106. Полная разность потенциалов p-n перехода а) * б) в) г) 107. инъекция в р-n переход… .. а) * Перенос носителей заряда в основную расчетную область за счет уменьшения высоты потенциального барьера на pn-переходе б) расширение площади обедненного pn-перехода по ширине с увеличением внешней площади в) переход непервичных носителей заряда из одного поля в другое под действием электрического поля на p-n переходе г) переход полостей из p-площади в n-площадь за счет явления диффузии при p-n росте 108. Два фоторезистора с одинаковыми сопротивлениями подключены последовательно к источнику постоянного напряжения. Если один из фоторезисторов загорается, то ток в цепи увеличивается в полтора раза, а его сопротивление уменьшается в несколько раз. а) * 3 Би 2 в) 4 г) 1,5 109. электрическая мощность перехода а) * б) в) г) 110. виды механизма перфорации при переходе? а) * Лавины, жара и туннели б) оползни, газификация и тоннели' в) Нагрев, ионизация и разложение г) Лавины, движение и туннели 111. Схемы подключения транзисторов? а) * Общая база, общий коллектор, общий эмиттер б) эмиттер-коллектор, общая база, коллектор-коллектор в) последовательное соединение, общая база, параллельное соединение г) Основание – основание, ряд, параллель 112. Какое напряжение подается на биполярный транзистор, включенный на основе общей базы, используется в активном режиме a) * Прямой переход к эмиттеру, обратный переход к коллектору б) Исправить с коллектором и переходом коллектора в) Обратные переходы эмиттера и коллектора г) Инверсия эмиттерного и базового переходов 113. Применение полупроводникового стабилитрона а) * При поддержании постоянного напряжения б) При выпрямлении переменного тока в) при усилении тока и напряжения г) При регулировке напряжения 114. VAX какого диода имеет N-образную форму и VAX имеет отрицательное дифференциальное сопротивление а) * Туннельный диод б) Диод низкочастотного выпрямителя в) Импульсный диод г) Стабильный диод 115. Что такое варикап? а) * Обратно подключенная емкость зависит от напряженности поля прибора b) Правильно подключенная конструкция pnp, устройство повышения напряжения в) устройство, обратно пропорциональное напряжению на p-n переходе d) Устройство, структурное сопротивление которого p-n-p зависит от напряжения 116. На чем основан процесс работы полевого транзистора? а) * Электрическое сопротивление полупроводника поперек этого материала контролируемой заданной площади и к участию однородных носителей заряда в передаче электроэнергии б) Сопротивление полупроводника контролируется поперечным полем при наличии электронов и дырок в токе в) Сопротивление полупроводника определяется соответствующим явлением в p-n-переходе участию электронов в передаче электричества. г) Прибор с отрицательным дифференциальным сопротивлением в VAX 117. Какая главная сила действует на электрон в электрическом поле? а) * Подвесная мощность б) сила упругости в) г) Гравитация 118. Что такое активные элементы электронного устройства? а) * Диод, транзистор, тиристор и т.п. б) все его составные части в) Резистор, конденсатор, индуктивность г) p-n переход, диод, резистор, h 119. Что такое пассивные элементы электронных устройств? а) * Резистор, конденсатор, катушка индуктивности б) все его составные части в) Диод, транзистор, тиристор и т.д. г) p-n переход, диод, резистор, h 120. * pn – площадь, где стабильные ионы теряют свои электроны и полости в контактном поле а) * pn – площадь, где постоянные ионы в контактном поле теряют свои электроны и полости б) Площадь между донорным атомом и акцепторным атомом в) Площадь между положительным и отрицательным ионом г) Ван-дер-; район Ваальс; 121. Какие соединения можно добавить к кремнию для образования поля с p-типом проводимости? а) * In, Ga, Al; б) As, P, Sb;. в) Б, Аз, П; г) В, Б, Ас; 122. Какие величины определяют величину глубины диффузионного слоя при получении p-n перехода диффузией? а) * концентрация смеси, коэффициент диффузии, время диффузии и температура; б) концентрация смеси, энергия активации смеси, толщина и температура образца; в) Коэффициент диффузии, тип смеси, проницаемость и плотность образца. г) Теплопроводность образца 123.Каково количество элементов в ИИС с уровнем интегрирования lgN = 5? а) * 100000; б) 10 000; в) 1000; г) 10; 124. Какое из следующих выражений представляет барьерную способность p-n-перехода? а) * (A-pn — поверхность перехода, W — его ширина; б) (S — поверхность проводника, d — толщина диэлектрика; в) С = dQ/dU; г) ; 125. Диод Шоттки состоит из …………. (Замените точки нужным ответом. а) * Металл - полупроводник б) из N+-не; в) переход от нп; г) все верно 126. Основные преимущества диода Шоттки: а) * Напряжение открытия низкое, быстрое б) прост в изготовлении, дешев в) «пробойное» напряжение высокое, обратный ток большой г) Барьерная способность большая 127. В каком диапазоне уровней интеграции IMS называются крупными IMS? а) * 5≥ lgN > 2 б) lgN≥3; в) lgN > 5 г) lgN <5 128. Какие полупроводниковые материалы используются чаще всего? а) * Кремний и германий б) ион бора в) Медь и алюминий г) Фосфор и цианид 129. Каковы основные носители заряда в полупроводниковых материалах? а) * Электроны, полости б) Питы, ионы в) Электроны г) ионы 130. Какое из приведенных уравнений характерно для специальных полупроводников? а) * ни = пи б) ни ›пи в) ни ‹ пи г) ни »пи 131. Типы интегральных схем. а) * Гибрид и полупроводник б) Металл и полупроводник в) Керамика и полупроводники г) Полупроводник и волокно 132. Как изменяется сопротивление полупроводника при повышении температуры? а) * уменьшается б) не меняется в) увеличивается г) сначала увеличивается, затем уменьшается 133. Из каких полупроводников будет сделан p-n переход в туннельном диоде а) * из одинаковых полупроводников б) из поляризованных полупроводников в) из диффузионных полупроводников г) из просверленных полупроводников 134 В скольких режимах работает транзистор? а) * 4 б) 3 в) 2 г) 5 135. От каких факторов зависит работа транзистора а) * инжекция, диффузия и рекомбинация носителей заряда б) диффузия и рекомбинация носителей заряда в) инжекция и рекомбинация носителей заряда г) инжекция и диффузия носителей заряда 136. Если приложить напряжение в обратном направлении к коллектору в правильном направлении к эмиттеру транзистора, в каком режиме он работает? а) * активный б) обратный в) правильный г) закрытый 137. Какое электрическое поле контролируется сопротивлением полевых транзисторов? через б) продольный в) параллельно г) магнит 138. Какой полевой транзистор присутствует? а) *управляемый p-n – переход и металл – диэлектрик – полупроводник б) р-н - переход и металл - диэлектрик - полупроводник в) р-н - переход и металл - полупроводник г) управляемые p-n-p – переходные и диэлектрические – полупроводниковые 139. В электронных схемах с тремя и более p-n переходами и двумя соединительными выводами полупроводниковый прибор, выполняющий роль электронного переключателя в случае больших электрических соединений, называется ...... Замените точки нужным словом а) * Тиристор б) Транзистор в) Туннельный диод г) диод Ганна 140. Явление изменения электрического сопротивления полупроводника под действием электромагнитного излучения называется ...... Замените точки нужным словом а) * фотопроводимость б) сопротивление в) излучение г) диффузия 141. Светодиод состоит из p-n-перехода, на котором испускается излучение. а) * рекомбинация носителей заряда б) генерация носителей заряда в) носители заряда г) рекомбинация и генерация носителей заряда 142. Как называются нелинейные конденсаторы на основе pp-n-перехода? а) * варикапы б) вариконы в) фотодиоды г) оптопара 143. Каково отношение относительного изменения входного напряжения к относительному изменению выходного напряжения, т. е. напряжения стабилизации? а) * коэффициент стабилизации б) коэффициент сопротивления в) термооптический коэффициент г) эффективность 144. Входно-выходная часть представляет собой полупроводниковый оптико-электронный прибор, состоящий из источника излучения и приемника (фотоприемника) с гальванически изолированной оптической связью Что это за прибор? а) * оптопара б) оптрон в) фотопленка г) фотокатод 145. Какой диод называют лавинным диодом? а) * для диодов, работающих в обратном режиме и используемых для генерации колебаний СВЧ б) диоды, работающие только в обратном режиме в) Диоды, используемые для генерации колебаний высокой и сверхвысокой частоты г) диоды, используемые для генерации низкочастотных колебаний 146. Какие типы отверстий можно наблюдать в тиристорах а) * Все ответы верны б) тепло в) туннель г) лавинный (лавинный) 147. В каком выражении находится температурная зависимость электрической энергии, перешедшей в тепловую на p-n-переходе а) б) в) г) 148. Замени точки нужным словом. Хотя суммарная энергия микрочастиц (электронов) меньше высоты потенциального барьера, они могут пройти через этот барьер, не изменив своей энергии… называется а) * Туннельный эффект б) эффект Ганна в) эффект Мюллера г) эффект Ферми 149. В чем преимущество оптопары перед тиристором? а) * Оптическое соединение и отключение питания устраняют различные электрические помехи и расширяют области его применения б) снимает различные электромагнитные помехи и увеличивает область его применения в) устраняет различные помехи и увеличивает область его применения г) устраняет оптические и электрические помехи и расширяет область его применения 150. Выберите правильный ответ вместо точек в следующем предложении: халькогены цинка, кадмия и ртути являются полупроводниковыми соединениями типа ...... а) *АИИБВИ б) АIIIBV в) AIIBV г) АIIIBVI 151. В полупроводниках-донорах электропроводность возникает за счет …… … а) * В основном электроны; б) в основном ямы; в) электроны и полости; г) ионы 152. В акцепторных полупроводниках электропроводность возникает за счет …… … а) * Преимущественно ложбины; б) в основном электроны; в) электроны и полости; г) ионы 153. В полупроводниках называется процесс та'сир ..генерации в результате внешних воздействий. а) * появление носителей заряда; б) Процесс слияния и исчезновения электронов и полостей; в) образование электронов; г) появление ямок. 154. Процесс, при котором электроны в полупроводниках соединяются с порами и исчезают, называется ………. а) * Рекомбинация; б) Генерация; в) термогенерация; г) Фотогенерация. 155. Температурный коэффициент емкости варикапа? а) б) в) г) 156. В чем заключается явление извлечения при переходе? а) * поглощение основных носителей заряда при переходе под действием электрического поля б) к явлению генерации непервичных носителей заряда под действием электрического поля при переходе в) и процесс генерации основных носителей заряда в полях г) и увеличение генерации и рекомбинации носителей заряда в полях 157. впрыск при p-n переходе….. а) * Перенос носителей заряда в основную расчетную область за счет уменьшения высоты потенциального барьера на pn-переходе б) расширение площади обедненного pn-перехода по ширине с увеличением внешней площади в) переход непервичных носителей заряда из одного поля в другое под действием электрического поля на p-n переходе г) переход полостей из p-площади в n-площадь за счет явления диффузии при p-n росте 158. Что такое акцепторное соединение? а) * электроноакцепторное соединение, образующее свободные поры. б) эффективное рецепторное соединение для кариеса в) состояние свободных электронов г) мельчайшее соединение ионизированной энергии 159. Какие есть способы получить переход? а) * Диффузия, эпитаксия и растворение б) и вводя круглые полупроводники вместе в) Электроны и трансфер в поле г) Полупроводник одного типа с полупроводником второго типа соответствующим образом 160. В каком направлении подается напряжение на ключ, когда для стабилизации напряжения используются стабилизаторы? правда б) Реверс в) последовательно г) параллельно 161. Запишите первый закон Кирхгофа в символической форме….. а) б) в) г) 162. Укажите выражение реактивного сопротивления. а) * б) в) Z cos ; г) Z sin 163. Напишите выражение для активной мгновенной силы на участке цепи, состоящей из резистора R. а) * р = и I б) p = U I (1+ cos 21t) в) p = U I sin 21t г) p = U I sin 21t 164. Напишите выражение для мгновенной силы на участке цепи, состоящем из индуктивности L. а) * p = U I (1+ cos 21t) б) р = и I в) p = u I / июк г) (1+ cos 21t) 165. Комплексная сила укажите выражение. а) * б) в) г) 166. Какое из следующих уравнений неверно записано для синусоидального переменного тока: а) * б) в) г) 167. Элементы R, L и C Какое из следующих уравнений имеет ошибку, записанную в цепи синусоидального тока, соединенной последовательно: а) * б) XL = 2pfL в) г) 168. Какая из следующих формул мощности написана с ошибкой: а) * б) в) г) 169 Какое из следующих уравнений не соответствует резонансу напряжений: а) * б) Дж в) ВЛ = Uк г) 170. Какое из следующих уравнений не соответствует резонансу токов: а) * ИЛ < ИК б) ЪЛ = ЪС 3 в) ЪЛ = ЪС 3 г) КИЛ а) * б) в) UC = UL г) К 172. а)*157 рад/с;25 Гс б) 157 рад/с, 50 Гс; в) 157 рад/с;157 Гс г) 25 рад/с;157 Гс 173. Дано Чему равен период "Т" для = 628 рад/с: а) * Т = 0,01 с; б) Т = 0,00157 с; в) Т = 100 с; г) Т = 50 с; 174. Определяем активную емкость цепи: а) * 500 Вт. б) 616 Вт в) 1000 Вт. г) 308 Вт, 175. Найдите реактивную мощность (Вар) цепи: а) * 40 б) 79,5 в) 95 г) 79 176. Дана синусоидальная Напишите комплексное эффективное выражение функции (B): а) * В б) в) г) 177. Какое из следующих уравнений не соответствует резонансу токов: а) * б) в) ИЛ = ИК г) 178. Т-? а) * 0,01 в б) 628 в
г) 350 с 179. L = 16 мГн; f = 50 Гс; а) * 5024 Ом б) 502,4 Ом в) 0,8 Ом г) 800 Ом 180. = 628 рад/с; Т-? а) * 0,01 с б) 0,00157 с в) 100 с г) 50 с 181. Что вы понимаете под электрическим током в проводнике: а) * Упорядоченное движение заряженных частиц по проводнику. б) Хаотическое движение заряженных частиц в проводнике. в) Состояние зарядов в точке проводника г) Движение заряда. 182. п Какое напряжение: а) * Потенциальная разница между двумя точками. б) Влияние двух точечных потенциалов. в) точечный потенциал. г) напряженность электрического поля. 183. В каком случае реактивное сопротивление отрицательно: а) * б) в) г) 184. Если подать на последовательно соединенную RL-цепь источник переменного тока, каково будет полное сопротивление цепи: а) * б) Z = 0 в) г) 185. Построение векторной диаграммы в цепи, в которой последовательно соединены элементы РЛК, начинается с какого вектора: а) * б) в) г) 186. Как изменится полное сопротивление цепи в цепи, элементы которой соединены соответственно: а) * Увеличивается. б) Уменьшается. в) не меняется. г) Неизвестно. 187. Какая мощность Вольт Ампер (ВА) измеряется: в виде б) Q в) р г) Вт 188. Укажите единицу емкости конденсатора: а) *Ф б) Кл в) А/с. г) В/м 189. Какая из следующих формул правильно представляет закон Ома для участка цепи: а) *U = RI б) Р = UI в) F = LI г) 190. Какая из единиц измерения относится к индуктивности: а) *г б) ампер в) вольт г) Мкс 191. Какая из следующих букв является символом присоединенного магнитного потока: а) * б) Ф резюме г) Н 192. В каком из перечисленных элементов могут накапливаться электрические заряды: а) *Конденсатор (С) б) Резистор (R) в) Индуктивная катушка (L) Индуктивная катушка г) ни в одном 193. Какая из следующих комплексных величин выражается алгебраически: а) * б) в) г) 194. Укажите формулу комплексного сопротивления Z, записанную в виде индикатора: а) * б) в) г) 195. Какой из перечисленных средств измерений используется для измерения напряжения: а) * Вольтметр б) Амперметр в) ваттметр г) логометр 196. Какой из перечисленных средств измерений используется для измерения электрического тока: а) * Ваттметр б) Амперметр в) Фазометр г) частотомер 197. Какой из перечисленных средств измерений используется для измерения силы электрического тока: а) * Амперметр б) осциллограф в) Фазометр г) Вольтметр 198. Какая из следующих формул представляет собой первый закон коммутации: а) * б) в) г) 199. Какая из следующих формул представляет второй закон коммутации: а) * б) в) г) 200. Сколько герц в одном мегагере: а) * б) в) г) 201. Какой из перечисленных средств измерений используется для измерения сопротивления: а) *Реостат б) Вольтметр в) Амперметр г) Индукционный счетчик. 202. Общие сведения об угле сдвига фаз между синусоидальным током и напряжением. Укажите принятый символ в заказе: а) * б) в) г) 203. Угловая частота переменного тока обозначается каким из следующих обозначений: а) * б) Т в) ф г) 204. Какое из следующих выражений является индуктивным сопротивлением катушки? Представляет собой: а) * л б) С в) г) 205. Какая из следующих формул представляет полную проводимость цепи переменного тока: а) * б) в) г) 206. Какая из следующих формул мощности написана с ошибкой: а) * б) в) г) 207. Укажите правильный ответ на сложную мощность, записанную в знаковой форме: а) * б) в) г) 208. Какое из следующих выражений является емкостным сопротивлением конденсатора Представляет собой: а) * б) л в) г) 209. Какой из перечисленных средств измерений используется для измерения частоты тока: а) * Частотомер б) ваттметр в) Амперметр г) омметр 210. В каком случае реактивное сопротивление положительно: а) * б) в) г) 211. Построение векторной диаграммы в цепи, в которой параллельно соединены элементы РЛК, начинается с какого вектора: а) * б) в) г) 212. Чему равна разность фаз цепи, в которой RC-элементы соединены последовательно: а) * б) в) г) 213. Как изменится сопротивление всей цепи в цепи, где элементы соединены в противоположных направлениях: а) * Уменьшается б) не меняется в) увеличивается г) неизвестно 214. Какая из следующих формул представляет собой реактивное сопротивление цепи переменного тока: а) * б) в) г) 215. Какая мощность измеряется в ваттах: а) * Q б) С в) р г) Вт 216. Укажите единицу измерения электрического заряда: а) *Кл б) Г в) А/с г) В/м 217. Какая из следующих формул представляет собой первый закон Кирхгофа для цепи: а) * б) U = rI в) F = LI г) Р = UI 218. Какая из перечисленных комплексных величин выражается показателем: а) * б) в) г) 219. В каком из перечисленных элементов образуется электрическое поле: а) *Конденсатор (С)Резистор (р) б) Резистор (r) в) Индуктивная катушка (L) г) Индуктивная катушка (L) 220. Какая из следующих формул представляет реактивную проводимость цепи переменного тока: а) * б) в) г) 221. Период переменного тока обозначается каким из следующих обозначений: в. б) ф в) г) 222. В каком из перечисленных элементов электроэнергия превращается в тепловую энергию: а) * Резистор (r) б) Конденсатор (С) в) Индуктивная катушка (L) г) ни в одном 223. Какая из следующих комплексных величин выражается тригонометрически: а) * б) в) г) 224. Приведите алгебраически записанную формулу комплексного сопротивления Z: а) *Z = г + jx б) XL = j л в) г) 225. Идеальный э.ю.к. вид исходного вольтамперметра У(И) вид описания: а) * Параллельно оси абсцисс б) Наклонен относительно оси абсцисс в) Параллельно оси ординат г) наклонен относительно оси ординат 226. Описание идеального источника тока вольтамперметра U(I): а) * Параллельно оси ординат б) Наклонен относительно оси абсцисс в) Параллельно оси абсцисс г) наклонен относительно оси ординат 227. Реал э.ю.к. вид исходного вольтамперметра У(И) вид описания: а) * Наклонен относительно оси абсцисс б) Параллельно оси абсцисс в) Параллельно оси ординат г) перпендикулярно оси ординат 228. Вид характеристики вольтамперметра U(I) реального источника тока: а) * Наклонен относительно оси ординат б) Параллельно оси абсцисс в) Параллельно оси ординат г) относительно оси ординат 229. Активная составляющая напряжения: а) * Соответствует текущей фазе б) на 900 раньше текущей фазы c) Остается на 900 от текущей фазы г) Ток будет смещаться на любой угол относительно фазы 230. При активном сопротивлении R: а) * Фазы напряжения и тока совпадают б) фаза напряжения относительно текущей фазы достижения c) Текущая фаза относительно фазы напряжения достижения г) напряжение и ток лежат в противоположных фазах 231. L индуктивный элемент: а) * Фаза напряжения относится к фазе тока достижения б) Увеличиваются фазы напряжения и тока c) Текущая фаза относительно фазы напряжения достижения г) напряжение и ток лежат в противоположных фазах 232. В элементе емкости С: а) * Текущая фаза относится к фазе напряжения достижения б) фаза напряжения относительно текущей фазы достижения в) фазы напряжения и тока совпадают г) напряжение и ток лежат в противоположных фазах 233. Какое понятие не относится к синусоидальным величинам: а) * Внутреннее сопротивление источника энергии б) Мгновенное значение в) Угловая частота г) Амплитуда (максимальный размер) 234. Чему равно мгновенное значение в данном выражении: а) * я б) в) г) 235. Коэффициент мощности: а) * Отношение активной мощности к полной мощности б) Отношение реактивной мощности к полной мощности в) Отношение активной мощности к реактивной мощности г) Отношение реактивной мощности к активной мощности 236. Энергия источника, потребляемая в активном элементе сопротивления: а) * Преобразует в тепловую энергию б) Электричество преобразуется в энергию поля в) магнитное поле преобразуется в энергию г) Преобразует в механическую энергию 237. Как подключить амперметр к электрической цепи: а) * последовательно с сопротивлением нагрузки б) Параллельно сопротивлению нагрузки в) наоборот г) Шунтировать сопротивление нагрузки 238. Как подключить вольтметр к электрической цепи: а) * Параллельно сопротивлению нагрузки б) последовательно с сопротивлением нагрузки в) наоборот г) Шунтировать сопротивление нагрузки 239. Какая связь между терминами «напряжение» и «разность потенциалов»? а) * имеет то же значение б) обратно пропорциональны друг другу в) прямо пропорциональны друг другу г) все ответы верны 240. Поверхности с одинаковым электрическим потенциалом называются.... а) * Поверхности, пересекающие силовые линии электрического поля под прямым углом б) поверхности, пересекающие силовые линии электрического поля под обратным углом в) поверхности, пересекающие линии напряжения и тока под прямым углом г) все ответы верны 241. Отношение заряда q к U тела называется .... а) * электрическая мощность б) электрический ток в) электрическое сопротивление г) напряженность электрического поля 242. Что такое конденсатор? а) * Система тел в зависимости от геометрических параметров и абсолютной диэлектрической проницаемости ɛ, специально подготовленная для использования в электрических емкостях б) Система тел в зависимости от геометрических параметров и абсолютной диэлектрической проницаемости, подготовленная специально для использования в электрических токах. в) Система тел с определенной абсолютной диэлектрической проницаемостью е для использования в электрических емкостях г) Система тел, зависящая от абсолютной диэлектрической проницаемости е, специально подготовленная для использования в электрических емкостях 243. Электрические цепи - это... а) * Из понятий электромагнитной силы, тока и напряжения в выражении электромагнитных процессов набор устройств и предметов, которые можно использовать для создания путей для потока электричества. б) из понятий электромагнитной силы и напряжения в выражении электромагнитных процессов набор устройств и предметов, которые можно использовать для создания путей для потока электричества. в) совокупность устройств и предметов, создающих пути для протекания электричества, которые можно использовать при представлении электромагнитных процессов, понятий тока и напряжения. г) совокупность устройств и предметов, образующих пути прохождения электричества, которые можно использовать в понятии электромагнитных сил при выражении электромагнитных процессов. 244. К основным элементам электрических цепей относятся... а) *Источники электромагнитной энергии – это устройства для передачи, обработки и приема электромагнитной энергии б) источники электромагнитной энергии Устройства для передачи и приема электромагнитной энергии в) источники электромагнитной энергии Устройства передачи и обработки электромагнитной энергии г) источники электромагнитного поля Устройства для передачи, обработки и приема электромагнитной энергии 245. Каковы элементы передачи электромагнитной энергии? а) * Все ответы верны б) линии связи в) линии электропередач г) электрические сети 246. Часть электрической цепи, на которую воздействуют источники электромагнитной энергии, называется… а) * активная часть цепи б) пассивная часть цепи в) активная и пассивная часть цепи г) все ответы верны 247. Участок электрической цепи, не имеющий источников электромагнитной энергии, называется... а) * пассивная часть цепи б) активная часть цепи в) активная и пассивная часть цепи г) электрические сети 248. На сколько видов делятся источники электрической цепи? а) * 2 б) 3 в) 4 г) 5 249. Найдите строку, где правильно указаны источники электрической цепи? а) * источники напряжения и тока б) источники напряжения и мощности в) ЭЮК и текущие источники г) все ответы верны 250. Что такое резистор? а) * потребляет электроэнергию, свойства которой выражаются через элемент U = R · i или i = G · б) потребление электрической энергии, свойства которой выражаются через элемент i = G · в) потребляет электрическую энергию, свойства которой выражаются через элемент U = R · i г) все ответы верны 251. Идеализированный элемент катушки индуктивности, обладающий свойством запасать электромагнитную энергию и физические свойства которого выражаются уравнением PS = L · i, называется... а) * элемент индуктивности б) разность фаз в) сопротивление г) все ответы верны 252. Контуры электрических цепей, .... а) * относится к произвольному замкнутому пути, проходящему через несколько ответвлений. б) произвольная открытая дорога, проходящая через несколько ответвлений. в) произвольная закрытая дорога, проходящая только через одну ветку. г) произвольная замкнутая цепь, проходящая через несколько ветвей. 253. как биполярный, .... а) * Относится к электрической цепи с двумя клеммами (полюсами) б) Электрическая цепь, не имеющая двух выводов (полюсов) c) относится к электрической цепи, которая имеет одну клемму (полюс) г) Электрическое поле с двумя терминалами (полюсами) 254. Если он содержит источник электричества, он называется... а) * активный биполярный б) пассивный биполярный в) активная полярность г) пассивная полярность 255. ...относится к двум полюсам, не содержащим источников электричества. а) * пассивный биполярный б) активный биполярный в) активная полярность г) пассивная полярность 256. Каковы другие названия первого закона Кирхгофа? а) * Верны ответы Б и В б) закон токов Кирхгофа в) Закон Кирхгофа для узлов г) нет правильного ответа 257. Первый закон Кирхгофа основан на …. а) * относится к узлам электрической цепи и к принципу непрерывности электрического тока б) относится к узлам электрического поля и к принципу непрерывности электрического тока в) распространяется на узлы электрической цепи и на принцип непрерывности электрического напряжения г) все ответы верны 258. Первый закон Кирхгофа основан на …. а) * относится к узлам электрической цепи и к принципу непрерывности электрического тока б) относится к узлам электрического поля и к принципу непрерывности электрического тока в) распространяется на узлы электрической цепи и на принцип непрерывности электрического напряжения г) все ответы верны 259. По первому закону Кирхгофа.... а) *Алгебраическая сумма токов в узле электрической цепи равна нулю б) Геометрическая сумма токов в узле электрической цепи равна нулю в) Алгебраическое произведение токов в узле электрической цепи равно нулю г) Алгебраическая сумма токов в узле электрического поля равна нулю 260. Каковы другие названия второго закона Кирхгофа? а) Закон Кирхгофа для контуров б) закон токов Кирхгофа в) Закон Кирхгофа для узлов г) нет правильного ответа 261. Второй закон Кирхгофа. а) * Сумма падений напряжения всех ветвей электрической цепи в произвольно замкнутой цепи равна сумме ЭДС источников энергии, действующих на эту цепь б) сумма падений сопротивлений всех ветвей электрической цепи в произвольно замкнутой цепи равна сумме ЭДС источников энергии, действующих на эту цепь в) сумма падений тока всех ветвей электрической цепи в произвольно замкнутой цепи равна сумме ЭДС источников энергии, действующих на эту цепь г) сумма падений напряжения всех ветвей электрической цепи в произвольно замкнутой цепи равна произведению ЭДС источников энергии, действующих на эту цепь 263 Найдите уравнение обобщенного закона Ом а) * Верны ответы Б и В б) i = (uab - ye1)/r; в) Uab = ye1 + ir г) нет правильного ответа 264. Связь между током и напряжением в элементе электрической цепи называется Uab = r · i… а) * Закон Ома для участка цепи б) закон токов Кирхгофа в) Закон Кирхгофа для узлов г) Закон Кирхгофа для контуров 265. Период T является обратным T, т.е. число циклов в единицу времени (1 секунду) называется n = 1/T…. а) * частота б) период в) амплитуда г) нет правильного ответа 266. Если по линии протекает ток i = Im sinwt, то каково напряжение генератора а) * u = ur + uL = ir + Ldi / dt б) u = ur = ir + Ldi/dt в) u = ur + uL = Ldi/dt г) нет правильного ответа 267. Для гармонических функций электрической цепи, построенной по законам Кирхгофа... можно построить. а) * комплексные алгебраические уравнения, соответствующие дифференциальным уравнениям б) действие силы на заряженные частицы в зависимости от их скорости и величины в) взаимозаменяемые г) их скорость на заряженных частицах 268. Полная мощность а) * Равен произведению действующих (воздействующих) значений напряжения и тока б) Свойство электрона или протона состоит в том, что его взаимодействие с определенным электрическим полем и внешним электрическим полем является абсолютной величиной в численном выражении. в) Эта величина равна произведению действующих (действующих) значений тока и напряжения на синус угла сдвига фаз между ними. г) свойство электрона или протона, при котором его взаимодействие с определенным электрическим полем и внешним электрическим полем равно по модулю численному значению, знак обратный. 269. Зажим одного из взаимно индуктивно связанных элементов условно принимается за… предстоящий б) правильный ответ - нет в) устки г) конец 270. Сумма мгновенных значений гармонических функций дается суммой образов векторов…. а) * можно заменить б) нельзя заменить в) правильный ответ - нет г) символический метод 271. Комплексный метод, в совершенстве разработанный американским ученым Стейнмецем, был принят всеми электриками. Этот метод также называется …. а) * символический метод б) Полная мощность в) комплексная мощность г) Непер и децибел 272. Эта величина равна произведению действующих (действующих) значений тока и напряжения на синус фазового угла между ними: а) * Реактивная мощность б) комплексная мощность в) состояние согласования г) Полная мощность 273. Эта величина определяется произведением комплексного напряжения на контактный комплексный ток: а) * Комплексная мощность б) Непер и децибел в) реактивная мощность г) нет правильного ответа 274. Баланс сил (равновесие) а) * Согласно закону сохранения энергии баланс сил сохраняется в любой момент времени для любой цепи, т. е. мгновенное значение всей переданной в эту цепь энергии равно мгновенному значению (r) всех затраченных сил в цепи. б) Свойство электрона или протона состоит в том, что его взаимодействие с определенным электрическим полем и внешним электрическим полем является абсолютной величиной в численном выражении. в) В этом случае необходимо видеть разницу между «правильным» или «встречным» подключением индуктивных элементов. г) Если количество реактивных элементов двух полюсов больше двух, его входное сопротивление может быть чисто активным (резонансным) при нескольких значениях частоты 275. Запишите первый закон Кирхгофа в символической форме. а) * ; б) ; в) ; г) ; 276. Условия передачи максимальной мощности а) * Требования к передаче электроэнергии - в телекоммуникационных системах, связанных с передачей сигналов, и в энергосистемах для передачи электроэнергии - радикально отличаются друг от друга. б) В этом случае необходимо видеть разницу в том, подключены ли индуктивные элементы «впритык» или «навстречу». в) Угасание энергии в реальной индуктивности в упрощенном виде объясняется наличием активного старения rL в проводниках катушки. г) нет правильного ответа 277. Условие равенства входного сопротивления потребителя и внутреннего сопротивления источника.... а) * условие согласования б) нет правильного ответа в) Непер и децибел г) комплексная мощность 278. Координация - а) * можно сделать, вставив трансформатор между источником и потребителем. б) Если количество реактивных элементов двух полюсов больше двух, его входное сопротивление может быть чисто активным (резонансным) при нескольких значениях частоты в) В этом случае необходимо видеть разницу между «правильным» или «встречным» подключением индуктивных элементов. г) нет правильного ответа 279. Второй контур подключен только к магнитному потоку величиной, пропорциональной току, вытекающему из первого контура (i1 ≠ 0; i2 = 0): а) * Ш21 = М21 · i1 б) Sh12 = M12 · i2 в) Sh11 = L1 · i1 г) е2 = -dSh21/dt = -M21di1/dt. 280. Магнитный поток Ш11, примыкающий к первому контуру, равен произведению тока этого контура на индуктивность катушки L1: а) * Sh11 = L1 · i1 б) е2 = -dSh21/dt = -M21di1/dt. в) Sh21 = M21 · i1 г) Sh12 = M12 · i2 281. Если ток присутствует только во второй цепи, то ток, подключенный к первой цепи а) * Ш12 = М12 · i2 б) нет правильного ответа в) Sh22 = L2 · i2 г) е2 = -dSh21/dt = -M21di1/dt. 282. Текущая связь второго контура а) * Ш22 = L2 · i2 б) е1=-дШ12/дт=-М12ди2/дт. в) Sh11 = L1 · i1 г) Sh21 = M21 · i1 283. Если в первой цепи меняется только ток, то э.ю.к. индуцированный: а) *e2=-dSh21/dt=-M21di1/dt. б) Sh11 = L1 · i1 в) е1=-дШ12/дт=-М12ди2/дт. г) нет правильного ответа 284. если ток изменяется только во втором контуре, то в первом э.ю.к. индуцированный: а) *е1=-дШ12/дт=-М12ди2/дт. б) Sh21 = M21 · i1 в) Sh22 = L2 · i2 г) е2 = -dSh21/dt = -M21di1/dt. 285. Если ток протекает и в первом контуре, и во втором контуре, то суммарная магнитная связь будет равна удельной связи и взаимной индуктивности магнитной связи а) * к алгебраической сумме б) принцип линейности в) умножение г) нет правильного ответа 286. Определение концов индуктивно связанных элементов а) * Для определения знака алгебраической добавки взаимной индуктивности M · i2 (или M · i1) к магнитной самоиндукционной связи L1 · i1 (или L2 · i2) зажимы индуктивно связанных элементов (головка и кети). б) Требования к передаче электроэнергии - в телекоммуникационных системах, связанных с передачей сигналов, и в энергосистемах, связанных с передачей электроэнергии, - радикально отличаются друг от друга. в) Угасание энергии в реальной индуктивности в упрощенном виде объясняется наличием активного старения rL в проводниках катушки. г) Резонанс в таких цепях может возникать в параллельных и последовательно соединенных контурах. 287. Напишите выражение для действующей мгновенной силы на участке цепи, состоящей из резистора R. а) * р = и I б) p = U I (1+ cos 21t) в) p = U I sin 21t г) p = U I sin 21t 288. Какая из следующих формул мощности написана с ошибкой: а) * б) в) г) 289. Что вы понимаете под электрическим током в проводнике: а) Движение заряда. б) Хаотическое движение заряженных частиц в проводнике. в) Состояние зарядов в точке проводника. г) * Упорядоченное движение заряженных частиц по проводнику. 290. Последовательное соединение двух индуктивно связанных цепей. а) * В этом случае необходимо видеть разницу между «правильным» или «встречным» подключением индуктивных элементов. б) Если количество реактивных элементов двух полюсов больше двух, его входное сопротивление может быть чисто активным (резонансным) при нескольких значениях частоты в) Полная информация о выходе биполярного, в частности, его (обратном) влиянии на приложенное произвольное напряжение от АЧХ, т.е. частота реальной и абстрактной частей входного сопротивления или проводимости г) Процесс направленного движения свободных зарядов или изменение во времени вектора электрического смещения при наличии магнитного поля 291. Один мегагерт равен скольким гертам: а) * б) в) г) 292. Шкала частот. а) * Строится, большей частью, в логарифмическом масштабе б) Резонанс в таких цепях может возникать в параллельных и последовательно соединенных контурах. в) В этом случае необходимо видеть разницу между «правильным» или «встречным» подключением индуктивных элементов. г) Из вышеизложенного резонансный процесс можно регулировать, изменяя значения емкости или индуктивности последовательно соединенной цепи. 293. Какое из следующих выражений является индуктивным сопротивлением катушки? Представляет собой: а) * л б) С в) г) 294. Какая из следующих формул представляет собой реактивное сопротивление цепи переменного тока: а) * б) в) г) 295. Если подать на последовательно соединенную RL цепь источник переменного тока, то каково полное сопротивление цепи: а) * б) в) г) 296. Как изменится полное сопротивление цепи в цепи, где элементы соединены соответственно: а) * Увеличивается. б) Уменьшается. в) не меняется. г) Неизвестно. 297. Индуктивность и емкость в цепи несинусоидального тока. а) * Индуктивное сопротивление увеличивается пропорционально частоте (номер гармоники) б) Индуктивное сопротивление уменьшается пропорционально частоте (номеру гармоники) в) Из вышеизложенного резонансный процесс можно регулировать, изменяя значения емкости или индуктивности последовательно включенной цепи. г) Угасание энергии в реальной индуктивности в упрощенном виде объясняется наличием активного старения rL в проводниках катушки. 298. Различные виды среднего значения. а) * Большинство из трех различных средних периодических функций показывают их важные описания. б) Как показано выше, процесс резонанса можно регулировать, изменяя значения емкости или индуктивности последовательно включенной цепи. в) Угасание энергии в реальной индуктивности в упрощенном виде объясняется наличием активного старения rL в проводниках катушки. г) Резонанс, когда элементы L, r, C соединены последовательно в цепочку, называется так 299. Резонанс напряжения. а) * Резонанс при последовательном соединении элементов L, r, C в цепочку называется так б) Резонанс в таких цепях может возникать в параллельных и последовательно соединенных контурах. в) Так называется явление резонанса, возникающее при параллельном соединении L, r, C. г) Если напряжение в интервале меньше постоянной времени отлично от нуля, то режимом в цепи является только импульс напряжения 300. Импульс напряжения. а) * Если напряжение в интервале меньше постоянной времени отлично от нуля, то режимом в цепи является только импульс напряжения б) Резонанс в таких цепях может возникать в параллельных и последовательно соединенных контурах. в) Электрическая цепь (контур), состоящая из трех элементов L, r, C, сложнее приведенной и представляется вторичным дифференциальным уравнением. г) Если количество реактивных элементов двух полюсов больше двух, его входное сопротивление может быть чисто активным (резонансным) при нескольких значениях частоты 301.Укажите элемент, в котором текущий потенциал перемещается из малой точки в точку с большим потенциалом. Ответы: А, @В, В, Г, Д Укажите совместимость выражения тока с типом электрической цепи. Выражения токаТип электрической цепи я = I01.м. Цепь постоянного тока i = I (t + T) 2.n. Цепь гармонического тока i = Im cos (wt + f) 3.р. Цепь периодического тока Ответы: А. 1 - рБ. 1 - нВ. @ 1 - мг. 1 - м 2 - н 2 - м 2 - р 2 - р 3 - м 3 - р 3 - н 3 - н 303. Определите соответствие между элементами и их уравнениями Схемы Уравнения м. н. ты = е я = дж я. и = р я Ответы: А. 1 - мБ. 1 - нВ. 1 - пг.@ 1 - з 2 - н 2 - р 2 - ц 2 - м 3 - п 3 - д 3 - з 3 - н 4 - кв 4 - ц 4 - м 4 - кв 5 - з 5 - м 5 - н 5 - п 304. Покажите соответствие между элементами и их характеристиками. ЭлементыХарактеристики Ответы: А. @ 1 - mB. 1 - нВ. 1 - пГ. 1 - к 2 - н 2 - р 2 - ц 2 - з 3 - п 3 - д 3 - з 3 - м 4 - д 4 - з 4 - м 4 - н 5 - з 5 - м 5 - н 5 - п 305. Задайте количество выходов Nsh, количество узлов Nt и количество контуров головы Nk для данной цепи. Ответы: А. Нш = 8 Б. @ Нш = 6 В. Нш= 4G. Н ш= 7 НТ= 5 Н Т= 4 NT= 3 Н Т= 6 Нк= 3 Н к= 3 нк= 5 Н к= 5 307. Для контура I приведите уравнение по второму закону Кирхгофа. О тветы: А. Б. Б. В. Г @. 308. Для 3-го узла приведите уравнение по I-закону Кирхгофа. О тветы: А. @ I4 - I1 - J5 = 0 Б. Б. В. Г. 309. Укажите цепь переменного тока. 310. Установите соответствие между схемами и эквивалентными им уравнениями сопротивлений. С эквивалентные резисторыОтветы: м. А. 1 –н, 2 – м н. Б. 1-п, 2-к п. В@. 1-к, 2-п кв. Г. 1-к, 2-п я. 311. Найдите заданный ток Е = 8, R1 = 2 Ом, R2 = 3 Ом, R3 = 6 Ом. О тветы: А. 4 А Б@. 2 А В. 1 А Г. 1,6 А 312. Найдите напряжение между точками а и б. E = 8 В, R1 = 2 Ом, R2 = 3 Ом, R 3 = 6 Ом Ответы: А. 8 В Б. 6 В В. 4 В Г @. 4,8 В 313. Рассчитайте ток I, используя метод суммирования. Е1 = 24 В, Е2 = 48 В, R1 = 6 Ом, R2 = 3 Ом, R3 = 6 Ом. Ответы: А. 3 А; Б@. 6 А; В. –3 А; г. –6 А; 314. Определить ток I методом суммирования. О тветы:А. @ ; Б. ; В. ; Г. ; 315. Правильно указать порядок расчета электрической цепи методом контурных токов. п. Нахождение токов на принципиальных схемах. н. Выделите контуры и проставьте порядковые номера. кв. Решите структурированные уравнения и найдите неизвестные. м. Составление уравнений контурных токов. Ответы: А. (ц, р, н, м) Б@. (н, м, ц, р) В. (д, р, м, н) Г. (м, н, р, ц) 316. Для токовой цепи i33 укажите правильно построенное уравнение методом контурного тока. Ответы: А. Б. Б. В@. Г. 317. Для контура тока I22 приведите уравнение, правильно построенное методом контура тока. Ответы: А. Б@. -I11R3 + I22 (R3 + R4) - JR4 = E5 В. Г. 318. Правильно выразить ток I в ответвлении через контурные токи. Ответы: А. я = я11; БИ = И11-И22; В@. I = I11 - Дж Г. I = -I11 - J 319. Укажите правильный порядок расчета методом узловых напряжений. м. решить уравнения и найти неизвестные. н. составить уравнения для узловых напряжений. п. пронумеруйте узлы и выберите один из них в качестве основы. кв. нахождение напряжений на цепных подстанциях. Ответы: А (ц, р, н, м) Б. (n,m,q,p) V@. (п, п, м, д) Г. (н, р, м, ц) 320. Приведите уравнение, правильно построенное по методу узловых напряжений для узла 1. О тветы: А. Б. Б. В. Г @. 321. Вычислите уравнение для узла 1, используя метод узлового напряжения. Ответы: А. Б. Б. В. Г. 3 22. Укажите дополнительное уравнение, необходимое для полного расчета данной схемы. Download 0.62 Mb. Do'stlaringiz bilan baham: 
|