При правильном подключении p-n перехода... {
= его ширина уменьшается, а диффузионная способность увеличивается
~ его ширина и барьерная способность уменьшаются
~ его ширина и барьерная способность увеличиваются
~ его ширина увеличивается, а барьерная способность уменьшается}
При обратном p-n переходе... {
= его ширина увеличивается, а барьерная способность уменьшается
~ его ширина и барьерная способность уменьшаются
~ его ширина и барьерная способность увеличиваются
~ его ширина уменьшается, а барьерная способность увеличивается}
Тип диода, используемого в качестве конденсатора переменной мощности? {
= варикап
~ стабилитрон
~ туннельный диод
~ стреляющий диод}
Идеальный VAX диода…. нельзя игнорировать? {
= диод p для генерации тока- вклад ноты
~ концентрация основных носителей заряда на p-базе диода
~ диод n - концентрация основных носителей заряда на базе
~ концентрация неосновных носителей заряда на обоих основаниях диода}
Тепловая перфорация диода …….{
= p- увеличение обратного тока в результате неуправляемого необратимого процесса при нагреве сигнала
~ Внезапное увеличение тока при правильном подключении диода
~ р - резкое увеличение тока в результате ударной ионизации на переходе
~ внезапное увеличение тока из-за туннелирования валентных электронов из p-домена в n-домен}
Лавинная перфорация диода составляет …….{
= p - резкое увеличение тока в результате ударной ионизации на переходе
~ Резкое увеличение тока в результате туннелирования валентных электронов из p-домена в n-домен
~ p- увеличение обратного тока в результате неуправляемого необратимого процесса при нагреве реза
~ внезапное увеличение тока при правильном подключении диода}
Туннельный диод …… {
= резкое увеличение тока в результате туннелирования валентных электронов из p-домена в n-домен
~ p- увеличение необратимого тока в результате необратимого процесса при нагреве обмотки
~ Внезапное увеличение тока при правильном подключении диода
~ резкое увеличение тока в результате ударной ионизации на p-переходе}
Do'stlaringiz bilan baham: |