Раcм. Бошқариладиган р- n ўтишли майдон транзистори

6.6.1 Бошқариладиган р-n ўтишли майдонли транзисторлар (6.38-расм). Транзистор n+ ёки р-ўтказувчанликка эга бўлган кристаллдан тайёрланади. Кристаллнинг қарама-қарши томонларидан уланиш учлари чиқарилиб, улардан бири исток (булоқ), иккинчиси сток (ўпқон) деб аталади. Исток ва сток оралиғига диффузия усули билан р-соҳа (n - ўтказувчанликка эга бўлган: кристаллда) ёки n -соҳа (р-ўтказувчанликка эга бўлган кристаллда) жойлаштирилади. Натижада кристаллнинг шу қисмида р- n ўтиш вужудга келади. Транзисторнинг истоки ва стоки оралиғига Е₂ батарея шундай уланадики, натижада асосий ток ташувчилар истокдан стокка томон ҳаракатланади. Ток ташувчи зарядлар бунда р- n ўтиш орқали эмас, балки унинг ёнидан канал бўйлаб оқади. Шу жиҳатидан ҳам майдонли транзистор биполяр транзистордан фарқ қилади. Иккинчи Е₁ ток манбаини исток ва затвор оралиғига тескари р-n ўтиш ҳосил бўладиган қилиб улайлик.

6.38- раcм. Бошқариладиган р- n ўтишли майдон транзистори.

Натижада р ва n - соҳалар орасида мавжуд бўладиган беркитувчи қатлам кенгаяди. Бунда затвор соҳасида зарядлар концентрацияси каналга нисбатан катта бўлганлигидан камбағал соҳанинг кенгайиши асосан канал томонда бўлади. Натижада ток ўтказувчи каналнинг кўндаланг кесими камаяди ва шунга мувофиқ унинг қаршилиги ортади. Бу эса ўз навбатида канал орқали ўтувчи токнинг камайишига олиб келади. 6.38- раcмда бу канал шаклининг ўзгариши узлукли чизиқлар воситасида кўрсатилган. Шундай қилиб, затвор транзисторда бошқарувчи электрод бўлиб хизмат қилади. Транзистор орқали ўтувчи ток нолга тенг ёки маълум белгиланган қийматгача камаядиган затвор-исток кучланиши ажратиш кучланиши деб аталади. р-каналли транзисторларда бу кучланиш мусбат бўлиб, одатда 0,2—7 В оралиғида бўлади. Кeйингп йилларда майдонли транзисторлар икки затворли қилиб чиқарилмоқда (6.38- расм б)ўтишли майдон транзистори. Иккинчи затвор купинча биринчи

6.38- раcм. Бошқариладиган р- n ўтишли майдон транзисторининг чиқиш характеристикаси.
затворга улаб қўйилади ва у канални пастки томонидан чеклайди. Майдон транзисторининг чикиш ВАХ и 6.39- раемда келтирилган. Бу характеристикани биполяр транзисторники билан солиштирилса, уларнинг ўхшаш эканлигини кўриш мумкин.
Юқорида айтиб ўтилга[н транзисторда беркитувчи қатламнинг максимал кенгайиши фақат .U_3И=U_{3И аж} кучланишда рўй бермасдан, балки ундан кичикроқ кучланишларда ҳам бўлиши мумкин. Бу сток ва исток оралиғига берилган кучланишга ҳaм боғлиқ; бўлиб қуйидаги
U_СИ =|U_3И - U_{3И аж}| (6 34)
га тенг.
6.39-раемда бу кучланиш узлукли (штрих) чизиклар билан кўрсатилган.
Характеристикадаги чизиқли соҳага тўғри келган ток ва кучланиш орасидаги боғланишни қуйидаги формула оркали ифодалаш
мумкин :

Бу ерда I_сб — бошланғич сток токи.
Характеристиканинг тўйиниш соҳаси учун бу боғланишни тахминан

ёрдамида ёзиш мумкин.
Характеристикадан фойдаланиб транзисторнинг қуйидаги параметрларини топиш мумкин:
чиқиш ўтказувчанлиги

ёки майдон транзисторининг чикиш қаршилиги

Кам қувватли майдон транзисторларида бу катталик одатда 10—100 кОм атрофида бўлади.
Характеристиканинг тиклиги

билан аниқланади.