Radioelektronika asoslari
Download 0.53 Mb.
|
2 5255772104548161925
- Bu sahifa navigatsiya:
- V - mashq. Sodda tekisiovchi flltrning ishini o‘rganish ;
- Ishning nazariy asoslari
- Qisqacha nazariya Bipolyar tranzistor
J-jadval-
-jadval natijalari asosida diodning volt-amper xarakteristikasi chizilsin. Undan diodning ichki qarshiligi R, =^~ va to‘g‘riIash AI k ^to'g'ri Aeskari topilsin. oeChtsienti K = nuishql Nagruzka kuchlanishining to‘g‘rilangan tokka bog‘liqligini aniqlash. To‘g‘rilagichniiig 8-rasmda keltirilgan ko‘prik sxemasi yig'ilsin. Nagruzka qarshiirgini 100 Om dan 2000 Om gacha o‘zgartirib to‘g‘riiangan tok (70>n) va nagruzkadagi kuchlanish (Un) o'lchansin. 0‘lchash natijalari 2-jadvaIgajoylashtirilsin. 2-jadval,
J advalnatijalari asosida U„ ~ f(fori) bogManishgrafigi chizilsin va undan to‘g‘riiagichniTig qarshiligi topilsin. Eslaftm: To‘g‘riIagichning qarshiligi t/* =/(/y*) bog‘l&nish grafigining to‘g‘ri chiziqli qismidan aniqlanadi. ft-masftq. fc'estsA fiurcAagmt' am'qfitsA Ill-mashqda qo‘ ttanilgan sxemadagi voltmetr nagruzka klemmaiaridan S kondensator tdemmalariga ko‘chirit ulansin (9-rasm). N agruzkaqarshiligt lil-tnashqdagi qiymatlar oralig'ida o‘zgartiriiib, /„‘rt va [/„■„ kattaliklar o'lchansin. 0‘lchash natijalari 3-jadvalga joylashtirilsin.
1. 2^ -^~-—{tg0-9) formuladaii tg6-9 hisoblansin. UndaS-diod ^o'n % xarakteristikasining qiyalik koeffitsienti. Maxsus jadval (1-ilova) dan foydalanib ig$-9 qiymatlariga mos 9 burchaklar aniqlanstn va 0 - f (70.rt) bog‘lanish grafigi chiziisin. V - mashq. Sodda tekisiovchi flltrning ishini o‘rganish ; 0‘qituvchi ko‘rsatmasiga binoan to‘g‘rilagichning filtrsiz sxemasi yig‘ilsin. To‘g‘rilagichning nagruzka qarshiligiga paral 1 el qilib elektron ossillograf ulansin. Ossillograf ekranida tok impulsiga mos kuchlanish tasviri hosil qilinsin va chizib olinsin. Nagruzka qarshiligiga parallel qilib sig'imi 5^50mkF bo'lgan kondensator ulansin. Ossillograf ckranida kondensator qiymatiga mos kuchlanish tasviri hosif qilinsin va chizib olinsin. 4- va 5- punktlar nagruzka qarshiligining turli qiymatlari uchun takrorlansin. Eslatma: 3~ va 5- punktlarda hosil qilingan ossillogrammalar yagona grafikda tasvirlanadi. I-ilova.
ISH. BIPOLYARTRAN21STORNING ISHLASHINI 0‘RGANISH Ishning maqsadi: Bipolyar tamzistoming ishlash prinsipi va asosiy xarakteristikaliirlni o‘rganish, umumiy emittcrli sxema asosida ulangan tranzistoming statistik xarakteristikalarini olish, oltngan xarakteristikalar bo‘yich& tranzistoming kuchaytirishini xarakterlovchi parametrlami va uning/f-parametrlarini hisoblash. Ishning nazariy asoslari: t. Yarim o'tkazgichlar. P-n o‘tish hodisasi. Yarimo‘tkazgichti diod. Tranzistor va uning ish rejimlari. Bipolyar tranzistonting ishlash prinsipi nirnaga asoslangan? Bipolyar tranzistor kollektor, emitter va hazalarining vazifasi. Tranzistoming ishlash prinsipini tushuntiring: emittei1 o'tishida ro‘y heradigan fizik hodisaiar va undagi toklami; baza sohasida bo'iadigan fizik jarayonlari va undagi toklami; koilektor o'tishida boiadigan fizik hodisalar va undagi toklami tushuntiring. Kollektor tokini efl'ektiv boshqarish udiun tranzistorga qo'yiladigan talablami tushumiring. T.Tranz'iSlom'ing sxemagau'lan'is'h turiar'i va uYammg'iinYasYii. 8. Tranzistomiog statik va dinamik xarakieristikalarini tushuntiring. q i'ranzistoming /i-parametrlarining ma’nosi va ulami hisoblash metodikasi. Qisqacha nazariya Bipolyar tranzistor Tranzistor so‘zi ingiizcha transfer - o'zgartiruvchi, hamda, resistor - qarshilik so‘zlari birikmasidan hosil boMgan. Tranzistor elektr tokini o'zgartirish xususiyatiga ega bo'Igan yarirnohkazgichli asbob bo'lib, quwatni kuchaytirish uchun ishlatiladi va u uchta qutbga ega bo'ladi. Tranzistorlar ikki turli bo'ladi: bipolyar tranzistorlar, maydonli (unipolyar) tranzistorlar. Bipolyar tranzistor deb o'zaro taYiriasliuvchi ikkita p-n o'tish va uchta elektrod (tashqi chiqishlar)ga ega boTgan yarim 0‘tkazgich asbobga aytiladi, Tranzistordan tok o'tishi ikki turdagi zaryad tashuvchitar - elektron va kovaklaming harakatiga asoslangan. Bipolyar tranzistor asosty z 5 aryad tashuvchilariga ko‘ra kovak (p-n-p) va elektron (n-p-n) o'tkazuvchanlikka ega bo‘lgan turiarga ajratiiadi. Bipolyar tranzistorlarning tarkibiy sxemasi va shartli belgilanishi quyidagi 1-rasmda keltirilgan. Tranzistoming chekka sohasi emitter (E) deb ataladi va u zaryad tashuvchilami baza (B) deb ataluvchi o‘rta sohaga injeksiyalaydi. Ityeksiya hodisasi asosiy zaryad tashuvchilaming o‘zi uchun asosiy bo‘Imagan sohaga o'tkazilishida kuzatiiadi. Keyingi chekka soha katiekiar (X) dcb ataladi. U zaryad tashuvchilami baza sohasidan ekstraksiyalash (maydon ta'sirida tortib olish) uchun xizmat qiladi. Emitter va baza oralig'idagi o‘tish emitter o'tish, kollcktor va baza oraiig'idagi o‘tish esa - kollektor o'tish deh ataladi. Shartli belgilanishdagi strelka emitter o‘tish sohasiga to‘g‘ri kuchianish beriiganda emitter zanjiridagi tokning shartli yo‘nalishini koTsatadi. Tranzistor sohalaridagi toklar ia /j,, sohalar orasidagi kuchlanishlar esa [4b, f/ks koTinishda belgilash qabul qilingan. 0‘tish sohalariga beriladigan tashqi kuchlanishlarga qarab bipolyar tranzistorlar asosan to'rt xil ish rejimida ishlashi mumkin: Download 0.53 Mb. Do'stlaringiz bilan baham: |
Ma'lumotlar bazasi mualliflik huquqi bilan himoyalangan ©fayllar.org 2024
ma'muriyatiga murojaat qiling
ma'muriyatiga murojaat qiling