Raqamli texnologiyalar vazirligi muhammad al xorazmiy nomidagi

RAQAMLI TEXNOLOGIYALAR VAZIRLIGI
MUHAMMAD AL – XORAZMIY NOMIDAGI
TOSHKENT AXBOROT TEXNOLOGIYALARI UNIVERSITETI
FARG‘ONA FILIALI
Telekommunikatsiya Texnologiyalari Yo’nalishi
731-21 – guruh talabasi
Xomudjonov Samandarning
“Elektronika va sxemalar 2”

fanidan tayyorlagan
Mustaqil ishi

Topshirdi: Xomudjonov Samandar
Qabul qildi: Rayimjonova O. S.
Mavzu: KMDYA markalanishi va xarakteristikalari
Reja:
1. KMDYA haqida.
2. Kanali qurilgan MDYa – transistor
3. KMDYA xarakteristikalari
4. Xulosa
5. Foydalanilgan adabiyotlar

KMDYA, qisqa nomi bilan "Kristal Mohiyatli Diaqonal Yunilaynma Analizi" (Ingilizcha: X-ray diffraction analysis of single crystal with diagonal structure) olgan. Bu sinov usuli, materiallar kimyoviy tahlil qilishda va ularning kristalliqligini o'rganishda qo'llanadigan bir sinov usulidir.

KMDYA sinovi, materialning kristal tuzilishi va uning xarakteristikalarini aniqlashda ahamiyatli o'zgaruvchilarni o'rganish imkonini beradi. Masalan, materialning atom tuzilishi, atomlar o'rtasidagi urug'lar va ularning ko'rsatkichlari, kristal tuzilishi, qog'oz materiallar uchun matritsa tuzilishi va boshqalar.
KMDYA sinovi odatda kristallar o'rganishda qo'llanadi, chunki ularning yorqinliklari va oqimining oraliqlari yuqori darajada. KMDYA sinovi esa, kristallarning ko'rsatkichlarini va ularning urug'larini o'rganish uchun ko'p miqdorda vaqt, sabr va bevosita emaslik talab qiladi.
KMDYA sinovida materialning tahlili ko'p bosqichlardan o'tib ketadi. Bundan tashqari, ushbu sinov, kimyoviy reaksiyalar davomida va o'zaro aloqalar o'rnatilgan materiallar tahlilida keng qo'llaniladi.
KMDYA sinovi, o'zining afzalliklari va cheklovlari bilan, kimyoviy so'rovnoma yechishda ahamiyatli yordamchi hisoblanadi. Sinov, laboratoriyalarda yuqori darajada keng ko'p miqdorda qo'llanadi va katta mablag'lar talab qiladi. n – kanali induksiyalangan MDYA- tranzistor tuzilmasi 6.7a- rasmda, shartli belgilanishi esa 6.7b- rasmda ko'rsatilgan. p- turli kremniydan iborat asos sust legirlangan boʻlib, akseptorlar konsentratsiyasi taxminan 10-15 sm ni tashkil etadi.
Asos sirtida diffuziya yoki ion legirlash usullari bilan qalinligi 1 mkm ga yaqin n- o'tkazuvchanlikka ega boʻlgan cho'ntaksimon istok va stok sohalar hosil qilingan. Istok va stok orasidagi uzunligi L = 0,1 ÷ 10 mkmni tashkil etuv- chi sohа kanal uzunligini tashkil etadi. Yarimo'tkazgich sirtida qalinligi 0,05-0,1 mkmni tashkil etuvchi dielektrik ( SiO2) qatlam hosil qilingan. Dielektrik sirtiga zatvor deb ataluvchi metall elektrod o'rnatilgan. Istok va stok sohalari bilan asos orasida ikkita n- p o'tishlar hosil boʻladi.
MDYA tuzilmaga istok va stokni qoʻshish invers qatlam (n- kanal) hosil qilish jarayoniga keskin ta'sir etadi. Oʻtishlarning kambag'allashgan sohalari rasmda shtrixlab ko'rsatilgan.
Zatvor metalli bilan yarimoʻtkazgich orasidagi solishtirma sigʻim S qanchalik katta boʻlsa, zatvordagi Uz kuchlanish yarimoʻtkazgich- ning sirti yaqinida shunchalik ko'p solishtirma zaryad induksiyalaydi. Natijada, zatvor bilan kanalning solishtirma sig'imi kanal oʻtkazuv- chanligining modulatsiyalanish darajasini belgilaydi, ya'ni zatvorning boshqarish xususiyatini aniqlaydi. Shuning uchun kanal bilan zatvor hosil qilgan solishtirma sig'im MDYA- tranzistorning muhim paramet- rlaridan birini tashkil etadi. U quyidagi ifoda bilan aniqlanadi:
, (6.12)
bu yerda, d- dielektrik qalinligi ( 6.6a- rasm), ε dielektrik singdiruvchanlik

KMDYA (kompyuterli modellashtirish yordamida aniqlash) ma'lumotlar tahlili va moslashtirishning matematikaviy usullari orqali modellarni yaratish va aniqlashni tashkil etuvchi kompyuterli usuldir. Bu tahlil va moslashtirish bo'yicha yirik va qat'i natiijalar olishga imkon beradi va eng ko'p qo'llaniladigan tizimlardan biridir.