Реферат по предмету «Физика» на тему Вынужденные колебания и их математические описание

Р ис.4. Типичная зависимость от температуры подвижности носителей заряда в полупроводнике.
При очень низких температурах (в районе абсолютного нуля) примеси еще не ионизированы, рассеяние происходит на нейтральных примесных центрах и подвижность практически не зависит от температуры (рис.4, участок а-б). С повышением температуры концентрация ионизированных примесей растет по экспоненциальному закону, а подвижность падает согласно (30) – участок б-в. В области истощения примесей концентрация ионизированных примесных центров уже не изменяется, и подвижность растет, как  (рис.4, в-г). При дальнейшем повышении температуры начинает преобладать рассеяние на акустических и оптических фононах и подвижность снова падает (г-д).
Поскольку температурная зависимость подвижности в основном – степенная функция температуры, а температурная зависимость концентрации – в основном экспоненциальная, то и температурный ход электропроводности будет в основных чертах повторять температурную зависимость концентрации носителей заряда. Это дает возможность достаточно точно определять по температурной зависимости электропроводности важнейший параметр полупроводника – ширину его запрещенной зоны, что и предлагается проделать в данной работе
Заключение
Мир, в котором мы живем, удивителен, и так хочется разобраться в нем. И прежде всего в процессах, происходящих в природе, и в том, какое место в природе занимаем мы. Откуда природа и мы возникли? Физика детально изучает все, что окружает нас. Один из этапов познания — построение математической модели, которая будет описывать что-то, вплоть до попытки ответа на вопрос: что есть Вселенная или почему она есть? Однако при помощи системы абстрактных понятий мир описать полностью, скорее всего, нельзя: мы можем, накапливая знания, надеяться на приблизительное представление о реальности. Оно свойственно науке, которая измеряет, оценивает, классифицирует и анализирует. Следует признать ограниченность знаний, приобретенных с помощью этих методов. В. Гейзенберг по этому поводу сказал:«... каждое слово или понятие, каким бы понятным оно ни казалось, может найти лишь ограниченное применение». Поэтому не следует забывать об ограничениях и относительности понятий иного мышления, так как мы часто принимаем свои понятия и символы за реальность. Проще ведь иметь дело с нашими представлениями о реальности, чем с самой реальностью.

Литература

1. Савельев И. В. Курс общей физики, T.5.-М.: Физматлит, 1998.
2. Киреев П.С. Физика полупроводников. –М.: Высшая школа, 1975.
3. Левинштейн. М. Е, Симин Г. С. Знакомство с полупроводниками. М.: Наука, 1984. 240 с.
4 . Пасынков В.В., Сорокин В.С. Материалы электронной техники 3-е изд. - СПб.: Издательство «Лань», 2001. - с 91-101.
5 . Епифанов Г.И., Мома Ю.А. Физические основы конструирования и технологии РЭА и ЭВА. - М.: Сов. Радио,1979. - 350с.
6 . Павлов П.В., Хохлов А.Ф. Физика твердого тела. Учебное пособие для вузов. - М.: Высш. шк., 2000.-384 с.(16 экз.).
7 . Бонч-Бруевич В.Л., Калашников С.Г. Физика полупроводников, 1977 год - с 167-200. . Ансельм А.И. Введение в теорию полупроводников. С 225-231.