Регистр-защелка младших адресов внешней памяти


Download 39.89 Kb.
bet1/3
Sana06.04.2023
Hajmi39.89 Kb.
#1277709
  1   2   3
Bog'liq
Регистр


Регистр-защелка младших адресов внешней памяти
Необходимость применения регистра-защелки младших адресов уже не обсуждается, т.к. это вызвано такой особенностью используемой ОМЭВМ, как мультиплексированная шина адреса/данных, рассмотренной ранее. Теперь остается рассмотреть лишь характеристики выбранного регистра - защелки, в качестве которого используется параллельный 8-разрядный регистр хранения КР1533ИР22.
Конструктивно микросхемы КР1533ИР22 выполнены в 20-выводных пластмассовых корпусах с двухрядным расположением штыревых контактов типа 2140.20-8, а зарубежные аналоги 74ALS373 - в корпусах типа DIP20 (с дюймовым шагом).
Условное графическое обозначение регистра ИР22 показано на рис. 6.
Рис. 6
Данная микросхема спроектирована специально для управления большой емкостной или относительно низкоомной нагрузкой. Применение выхода с тремя состояниями и увеличенная нагрузочная способность по сравнению со стандартными микросхемами обеспечивает возможность работы непосредственно на магистраль. В данном варианте такой магистралью яв­ляется шина адреса (АО..А7).
Базовый элемент микросхемы - D-триггер, спроектированный по типу проходной защелки. При высоком уровне напряжения на входе стробирования РЕ информация проходит со входа на выход микросхемы минуя триггер, отсюда высокое быстродействие. При подаче напряжения низкого уровня на вход РЕ включается обратная связь и регистр переходит в режим хране­ния. В качестве сигнала стробирования РЕ используется сигнал ОМЭВМ ALE.
Высокий уровень напряжения на входе ЕО переводит выходы микросхе­мы в высокоимпедансное состояние, при этом, однако, в регистр может записываться новая информация или храниться предыдущая. Схема управления третьим состоянием спроектирована таким образом, что при снижении питающего напряжения примерно до 3 В она переводит выходы микросхемы в третье состояние вне зависимости от ин­формации на входе ЕО. Данная особенность позволяет исключить сквозные токи во время включения и выключения питания, т.к. микросхема исполь­зуется в системе с магистральной организацией.
Данная микросхема выполнена по ТТЛШ-технологии и имеет отечественные аналоги из других серий микросхем ТТЛ и ТТЛШ, например, КР555ИР22, 530ИР22, КР531ИР22, КР1531ИР22, 533ИР22. Наиболее предпочтительной с точки зрения быстродействия и потребляемой мощности является первая из них, а другие подходят менее, т.к. обладают либо несовместимым расположением выводов (у последней микросхемы 24 вывода), либо высокой потребляемой мощностью (все остальные микросхемы потребляют ток около 100 - 160 мА).



Download 39.89 Kb.

Do'stlaringiz bilan baham:
  1   2   3




Ma'lumotlar bazasi mualliflik huquqi bilan himoyalangan ©fayllar.org 2024
ma'muriyatiga murojaat qiling