Регистр-защелка младших адресов внешней памяти

Оперативное запоминающее устройство (ОЗУ)
Любая управляющая программа в соответствие с требуемым алгоритмом работы организует свою специфическую структуру данных, которые в про­цессе работы изменяются время от времени. Эти данные временно сохраняются в оперативном запоминающем устройстве (ОЗУ). ОЗУ используется для системных целей, а имен­но для организации системного стека, хранения системных параметров и констант, режимов работы и различных буферов, например, обработанных сигналов ТС. Что именно хранится в ОЗУ и где - определяется конкретной версией управляющей программы на этапе ее исполнения. Формат хранимых данных также определяется управляющей программой и может быть различным: как битовым, так и байтовым. Вся эта совокупность изменяемых данных хранится в ОЗУ и занимает не­которое количество байт, в зависимости от объема которого и определяется информационная емкость ОЗУ. Более того, организация ОЗУ определяется в некотором роде разрядностью данных ОМЭВМ (8 разрядов), поэтому для минимизации аппаратных затрат ОЗУ должна быть также 8-разрядной.
Микросхемы КР537РУ10 конструктивно выполнены в 24-выводных пластмассовых корпусах с двухрядным расположением штыревых контактов типа 239.24-2, а зарубежные аналоги 6116 - в корпусах типа DIP24 (с дюймовым шагом).
Условное графическое обозначение ОЗУ РУ10 показано на рис. 8.
Применение именно статических ОЗУ обусловлено желанием миними­зировать аппаратные затраты, т.к. динамическая память требует регенера­ции, а ОМЭВМ КР1830ВЕ31 такой возможностью не обладает. Элементная база статических ОЗУ различна в зависимости от технологии их изготовления: КМДП- и МДП-микросхемы, биполярные и арсенид-галиевые микросхемы и др. Последние в бытовой технике приме­няются крайне редко и весьма дороги. Биполярные микросхемы памяти (И²Л, ЭСЛ, ТТЛ) обладают высоким быстродействием, но отличаются по­вышенным потреблением энергии.
Рис. 8
Для КМДП-микросхем памяти характерно сравнительно невысокое быстродействие, определяемое временем цикла обращения, равным сотням наносекунд, высокая помехоустойчивость, малая потребляемая мощность, способность сохранять записанную информацию при напряжении питания 1.5-3 В и при значительно меньшем уровне энергопотребления, чем в режиме обращения, возможность использования источника низковольтного резервного питания для обеспечения свойства энергонезависимости.
Микросхема КР537РУ10 спроектирована специально для записи и временного хранения данных. Применение выхода с тремя состояниями, ТТЛ-уровни входных и выходных сигналов, значительная предельная емкость нагрузки (200..1000 пФ) обеспечивает возможность работы непосредственно на магистраль данных ОМЭВМ. Микросхемы работают в режимах записи, считывания и хранения информации.
Информационные входы и выходы в микросхемах РУ10 совмещены, поэтому записываемая информация вводится в микросхему, а считываемая выводится из нее по одним линиям, что обусловливает мультиплексный режим их работы. Другой особенностью является наличие дополнительного сигнала управления ОЕ состоянием выхода. Он может подаваться одновременно с сигналом выбора CS или с некоторой задержкой. Отсутствие раз­решающего состояния этого сигнала не позволяет вывести считанную инфор­мацию из микросхемы. В этом режиме выходы находятся в Z-состоянии. При наличии всех необходимых для считывания сигналов выходы переходят в функциональное состояние только по сигналу ОЕ = «0». Считываемые данные появятся на выходах спустя время выборки сигнала разрешения выхода.
Микросхема КР537РУ10 выполнена по КМДП-технологии и имеет отечественные аналоги из этой же серии, например, КР537РУ25, КР537РУ9. Наиболее предпочтительной является первая микросхема, т.к. она полностью совместима с РУ 10. Вторая микросхема отличается конструктивно (планарная).