Reja: I. Kirish: Tiristor tuzilmasi va ishlash mexanizmi. Tiristor tranzistorli ekvivalent sxemasi

BTni asosiy parametrlari:
_{Kirish qarshiligi:} [Om] _{;
CHiqish qarshiligi:} [Om] _{;
Tok bo‘yicha kuchaytirish koeffitsienti:} ;
_{Kuchlanish bo‘yicha kuchaytirish koeffitsienti:} ;
Quvvat bo‘yicha kuchaytirish koeffitsienti: .
BTda elektrodlar uchta bo‘lgani sababli, uch xil ulanish sxemalari mavjud: umumiy baza (UB); umumiy emitter (UE); umumiy kollektor (UK). Bunda BT elektrodlaridan biri sxemaning kirish va chiqish zanjirlari uchun umumiy, uning o‘zgaruvchan tok (signal) bo‘yicha potensiali esa nolga teng qilib olinadi. BTning rasmda keltirilgan ulanish sxemalari aktiv rejimga mos.
a) b) v)

13.3 – rasm.
UB sxemasi uchun kirish statik xarakteristikasi bo‘lib U_KB = const bo‘lgandagi I_E= f (U_EB) bog‘liqlik, UE sxemasi uchun esa U_KE = const bo‘lgandagi I_B=f(U_BE) bog‘liqlik hisoblanadi. Kirish xarakteristikalarining umumiy xarakteri odatda to‘g‘ri yo‘nalishda ulangan p-n bilan aniqlanadi. SHu sababli tashqi ko‘rinishiga ko‘ra kirish xarakteristiklari eksponensial xarakterga ega (13.4- rasm).
Kollektor o‘tishdagi teskari kulanishning ortishi bilan UB sxemadagi kirish xarakteristika chapga, UE sxemada esa o‘ngga siljiydi.
UB sxemadagi tranzistorning chiqish xarakteristikalari oilasi bo‘lib I_E =const bo‘lgandagi I_K= f (U_KB) bog‘liqlik, UE sxemada esa I_B =const bo‘lgandagi I_K= f (U_KE) bog‘liqlik hisoblanadi (13.4 a-rasm).
CHiqish xarakteristikalari ko‘rinishiga ko‘ra teskari ulangan diod VAX siga o‘xshaydi, chunki kollektor o‘tish teskari ulangan. Xarakteristikalarni qurishda kollektor o‘tishning teskari kuchlanishini o‘ngda o‘rnatish qabul qilingan (13.5 a – rasm).


a) b)

13.4– rasm.

a) b)
13.5 – rasm.
UE sxemasida ulangan tranzistorning chiqish xarakteristikasi UB sxemada ulangan tranzistorning chiqish xarakteristikasiga nisbatan katta qiyalikka ega (13.5 b - rasm).
Dinistor sxemalarda o‘zaro ulangan ikkita triodli tuzilma bilan almashtirilgan xolda ko‘rsatilishi mumkin. Dinistorni tashkil etuvchi tranzistorlarga ajratilishi va o‘zaro ulangan tranzistorlar bilan almashtirilishi 14.2 – rasmda ko‘rsatilgan. Bu ulanishda T1 tranzistorning kollektor toki T2 tranzistorning baza tokini, T2 tranzistorning kollektor toki esa T1 tranzistorning baza tokini tashkil etadi. Tranzistorlarning bunday ulanishi hisobiga asbob ichida musbat TA hosil bo‘ladi.
Tiristor dinistorga o‘xshash tuzilmaga ega bo‘lib, baza sohalaridan biri boshqaruvchi bo‘ladi. Agar bazalardan biriga boshqaruvchi tok berilsa, mos tranzistorning uzatish koeffitsienti ortadi va tiristor ulanadi

• 
  
  
• 
  
  

14.2-rasm
Agar istok va stok oralig‘iga kuchlanish manbai ulansa, u holda kanal bo‘ylab istokdan stok tomonga elektronlar dreyfi boshlanadi, ya’ni kanal orqali stok toki I_S oqib o‘ta boshlaydi. Kuchlanish manbai U_SI ning ulanishi r–n o‘tish kengligiga ham ta’sir ko‘rsatadi, chunki o‘tish kuchlanishi kanal uzunligi bo‘ylab turlicha bo‘ladi. Kanal potensiali uning uzunligi bo‘ylab o‘zgaradi: istok potensiali nolga teng bo‘lib, stok tomonga ortib boradi, stok potensiali esa U_SI ga teng bo‘ladi. p-n o‘tishdagi teskari kuchlanish istok yaqinida U _zi ga, stok yaqinida esa U _zi +U _si ga teng bo‘ladi.
Natijada o‘tish kengligi stok tomonda kattaroq bo‘lib, kanal kesimi stok tomoga kamayib boradi (5.2,b-rasm).