Reja: Raqamli ims larning klassifikatsiyasi, markalanishi va sxemalarda shartli belgilanishi 2

-E
M
=-E
M
. 

---

Demak, VT0 ochiq holatda bo‘ladi. Bu vaqtning o‘zida VT1 tranzistor 
zatvoridagi potensial asosga nisbatan bo‘sag‘aviy kuchlanishdan kichik qiymatga 
ega bo‘ladi va bu tranzistor berkiladi. Agar kirishga x=U
1
KIR
signal berilsa, VT1 
ochiladi, VT0 tranzistor esa berkiladi, chunki endi uning zatvoridagi kuchlanish 
asosga nisbatan quyidagiga teng bo‘ladi 
. 
Shunday qilib, ixtiyoriy stasionar holatda sxema tranzistorlaridan biri 
berk holatda bo‘ladi, shu sababli sxema manbadan deyarli quvvat iste’mol qilmaydi. 
Ammo sxema qayta ulanish jarayonida, biror juda kichik vaqt mobaynida ikkala 
tranzistor ochiq holatda bo‘ladi, chunki ikkinchisi berkilib ulgurmagan bo‘ladi. 
Komplementar MDYa – tranzistorlarda yasalgan kalit sxemalar bir turdagi MDYa – 
tranzistorlarda yasalgan kalit sxemalarga nisbatan o‘n marta kam quvvat iste’mol 
qiladi. Lekin, sxemalarning tezkorligi bir xil bo‘lib kalit chiqish sig‘imining qayta 
zaryadlanish vaqti bilan belgilanadi
Xulosa: 
Men bu mustaqil ishda tranzistorli mantiq (TTM) elementlar keng tarqalgan va
ko'p ishlab chiqariladigan RIS lar haqida ko‘proq ma`lumotlarga ega bo‘ldim va .
Murakkab invertorli TTM ME sxemalari bilan tanishib chiqdim. TTM elementning
ish mexanizmini ko'rib chiqdim.
Foydalanilgan adabiyotlar:
1. X.K.Aripov . “ELEKTRONIKA”. 2012
2. Raxmatullayev M. “Umumiy fizika kursi”. Mexanika, “O‘qituvchi”,1995.
3. Х.К. Арипов, Н.Б. Алимова, З.Е. Агабекова, Ж.Т. Махсудов. Аналоговая
и интегральная схемотехника. Т.: ТЭИС, 2000. 90 с. 4. N. Yunusov, I.S.
4. Andreyev, A.M. Abdullayev, Х.К. Aripov, Y.O. Inog'omova. Elektronika
bo‘yicha asosiy tushuncha va atamalarning o‘zbekcha-ruscha-inglizcha izohli

---