Reja; Yarimo'tkazgichlarda kontakt hodisasi

Haqiqiy aloqalar
Ozchilik tashuvchilarni yo'q bo'lib ketgan qatlam bilan aloqa qilish orqali in'ektsiya qilish va ekstraktsiya qilish faqat kontaktni to'ldiruvchi bo'lmaganda samarali bo'ladi. rekombinatsiya yoki tashuvchilarni generatsiya qilish manbai, ya'ni har bir turdagi tashuvchi oqimlari "yo'qotishlar" va "daromadlar" holda tugagan qatlam orqali o'tkazilsa. Ikkinchisi uchta sababga bog'liq.
1) Metall-yarim o'tkazgich yoki dielektrik qatlam-yarimo'tkazgich interfeysida lokalizatsiya qilingan markazlar orqali sirtni rekombinatsiya qilish va hosil qilish. Xuddi shu narsa nozik yaqin aloqa zonasida sodir bo'ladi, bu erda rekombinatsiya markazlarining kontsentratsiyasi yarimo'tkazgichning asosiy qismiga qaraganda sezilarli darajada yuqori, bu hududning nuqsonli tuzilishi va bu erda metall yoki oksiddan aralashmalarning tarqalishi tufayli.
2) Termal hosil bo'lish tezligi va qurib qolgan qatlamdagi tashuvchilarning chuqur darajalar orqali rekombinatsiyasi (tarmoq bo'shlig'ining o'rtasiga yaqin joylashgan) yuqoriroq
yarimo'tkazgich hajmidagi bir xil jarayonlar bilan solishtirganda (Ca-Noyce-Shockley mexanizmi). Masalan, qurib qolgan qatlam va hajmdagi issiqlik hosil qilish tezligi nisbati Wn/2lniT darajasida, bu erda n - asosiy tashuvchilarning kontsentratsiyasi, W - qatlam qalinligi, l - tashuvchining diffuziya uzunligi, pi esa ichki tashuvchilarning konsentratsiyasi. Ge, Si va boshqa yarimo'tkazgichlarda, qoida tariqasida, W3) Tunnel (dala) generatsiyasi va kamaygan qatlamlarda tashuvchilarning rekombinatsiyasi. Rekombinatsiya darajalari o'rtasida faqat vertikal o'tishlar mumkin bo'lgan yarimo'tkazgichning asosiy qismidan farqli o'laroq, tarmoqli bo'shlig'ida va ruxsat etilgan bantlardagi holatlar, ishlab chiqarish jarayonida energiya yutilishi va rekombinatsiya paytida uning chiqishi bilan birga (5-rasm), tugaydigan qatlamlarda, tarmoqli egilishi tufayli gorizontal o'tishlar mumkin (6-rasm). Ular ruxsat etilgan diapazonlardagi holatlardan rekombinatsiya markazlari darajasiga yoki hatto to'g'ridan-to'g'ri valentlik zonasi va o'tkazuvchanlik zonasi o'rtasida tunnel o'tkazish bilan bog'liq (interband yoki Zenner, tunnel). Rekombinatsiya markazlari ishtirokida gorizontal va vertikal o'tishlarni o'z ichiga olgan kombinatsiyalangan jarayon mumkin. Bunday holda, bitta elektron-teshik juftligining umumiy energiya chiqishi yoki energiya yutilishi tarmoqli bo'shlig'idan kamroq bo'ladi.

5- rasm
5-rasm. Yarimo'tkazgichning neytral hajmida elektronlarning rekombinatsiya va generatsiya o'tishlari: - o'tkazuvchanlik zonasining cheti; - valentlik zonasining cheti; - kombinatsiya darajalari.
Yo'qotilgan qatlamda tashuvchilarning hosil bo'lishi va rekombinatsiyasining yuqori darajasi bunday kontaktning rektifikatsiya va in'ektsiya xususiyatlarini yomonlashtiradi. Teskari yo'nalishda u muvozanatsiz tashuvchilarning paydo bo'lish manbai bo'lib qoladi va oldinga yo'naltirilgan holda u ularning rekombinatsiyasi manbai bo'ladi. Juda yuqori rekombinatsiya tezligiga ega bo'lgan kontaktlar uchun "ohmik" atamasi ham qo'llaniladi, bu har qanday j da tashuvchining kontsentratsiyasining muvozanat qiymatlari saqlanadigan kontaktni bildiradi. Bunday kontaktlarning in'ektsiya xususiyatlari faqat juda kata j da namoyon bo'ladi, qanchalik katta bo'lsa, undagi rekombinatsiya tezligi shunchalik yuqori bo'ladi.

6-rasm
6-rasm. Energiya zonalari moyilligi bo'lgan hududlarda tunnel va kombinatsiyalangan o'tishlar.

Xulosa

Qattiq jism o'tkazuvchanlik turi bilan farqlanuvchi yoki o‘tkazuvchanlik turi bil xil boiib, solishtirma qarshiligi bilan farqlanuvchi sohalari orasidagi kontakt natijasida hosil bo‘ladigan o‘tkinchi qatlambelektr o ‘tish deb ataladi. Yarimo'tkazgich asboblarda elektron – kovak o‘tish yokip - n o‘tish debataluvchi elektro‘tishdankengfoydalaniladi. Taqiqlangan zonalari kengligi teng, ya’ni kimyoviy jihatdan bir xil yarimo‘tkazgich materiallar (masalan, Si yoki GaAs) asosidagi elektr o‘tishlar gomoo‘tish, taqiqlangan zonalari qiymati bir-biridan farqlanuvchi yarimo‘tkazgichlar asosidagi o‘tishlar esa geteroo ‘tish deb ataladi. Metallarda taqiqlangan zona bo‘lmagani sababli geteroo‘tishlaming xususiy holiga mos, metall — yarimo‘tkazgich deb ataluvchi elektr о ‘tishlar ham elektronikada keng qo‘lIaniladi. Ko‘p yarimo‘tkazgich asboblar va integral mikrosxemalaming ishlash prinsipi elektr o‘tishlaming xususiyatlariga asoslanadi. Muvozanat holatda p-n o‘tish Yarimo‘tkazgich asboblarning aksariyati bir jinsli bo'lmagan yarimo‘tkazgichlar asosida yaratiladi. Xususiy holda, bir jinsli bo‘lmagan yarimo‘tkazgich monokristallning ma’lum sohasi p - turli, boshqa sohasi n - turli o'tkazuvchanlikni namoyon etadi. Yarimo‘tkazgichning p - va n — sohalari chegarasidan ikki tomonda hajmiy zaryad sohasida elektron — kovak o‘tish yoki p-n o‘tish hosil bo‘ladi. Uning ishlash mexanizmini oydinlashtirish uchun n - sohadagi elektronlar va p - sohadagi kovaklar soni bir-biriga teng va har bir sohada oz miqdorda noasosiy zaryad tashuvchilar mavjud deb hisoblaymiz. Xona temperaturasida p — turli yarimo‘tkazgichda akseptor kirishmalar manfiy ionlari konsentratsiyasi Na\ kovaklar konsentratsiyasi pp ga, n – turli yarimo‘tkazgichda esa donor kiritmalar musbat ionlari konsentratsiyasi

N /, elektronlar konsentratsiyasi n„ ga teng. p - v& n - sohalar chegarasida kovaklar va elektronlar konsentratsiyasi gradienti mavjud bo‘lganligi sababli elektronlaming p - sohaga, kovaklaming n – sohaga diffUziyasi boshlanadi

Foydalanilgan adabiyotlar

1. 
   https://lektsii.org/8-38559.html
   
2. 
   https://fizika.edu.uz/mexa_mm.php?page=2
   
3. 
   https://fayllar.org/yarimo-tkazgichlarda-kontakt-hodisalar.html
   
4. 
   [1] Douglas C, Giancoli. “PHYSICS”. PRINCIPLES WITH APPLICATIONS. Pearson.2014, 502, 503, 504-betlar.