Резисторы резистором называется пассивный элемент рэа, предназначенный для создания в электрической цепи требуемой величины сопротивления

Постоянная времени по спаду тока – это время, в течение которого световой ток уменьшается до значения 37% от максимума при затемнении фоторезистора.

Постоянная времени по нарастанию тока – это время, в течение которого световой ток увеличивается до значения 63% от максимума при прямоугольной форме единичного импульса света.

Максимум спектрального распределения – это длина волны, соответствующая максимуму спектральной чувствительности фоторезистора.

Основные характеристики фоторезисторов – спектральная, частотная, люкс-амперная и вольтамперная.
Спектральная характеристика отражает чувствительность фоторезистора при воздействии на него излучения определенной длины волны (рис.1.14 а). Спектральная чувствительность фоторезистора зависит от полупроводникового материала. Так сернисто-кадмиевые фоторезисторы имеют максимальную чувствительность в видимой и ультрафиолетовой областях спектра, селенисто-кадмиевые – в красной и ближней инфракрасной области, а сернисто-свинцовые в инфракрасно.й области спектра.
Частотная характеристика определяет чувствительность фоторезистора при действии на него светового потока, изменяющегося с определенной частотой (рис.1.14 б). Наличие инерционности у фоторезисторов приводит к тому, что величина их фототока зависит от частоты модуляции падающего на них светового потока – с увеличением частоты светового потока фототок уменьшается. Инерционность ограничивает возможности применения фоторезисторов при работе с переменными световыми потоками высокой частоты.
Вольтамперная характеристика фоторезисторов показывает зависимость светового тока, протекающего через фоторезистор, от приложенного напряжения. Вольтамперная характеристика полупроводниковых фоторезисторов обычно линейна в широком интервале напряжений (рис.1.14 в). Линейность нарушается только при очень малых напряжениях.
Люкс-амперная характеристика фоторезисторов показывает зависимость светового тока, протекающего через резистор, от освещенности. Люкс-амперная характеристика полупроводниковых фоторезисторов нелинейная и имеет область насыщения при больших освещенностях (рис.1.14 г).
Фоторезисторы обозначаются буквами СФ – сопротивление фоточувствительное. После букв следует цифра (ранее была буква), обозначающая т
ип полупроводникового материала (1 или А – PbS, 2 или К – CdS, 3 или Д – CdSe). Цифры, стоящие после дефиса обозначают конструктивное оформление фоторезистора.
Например: СФ3-1 – фоторезистор из CdS, тип разработки 1.
ФСА-6 - фоторезистор из PbS, тип разработки 6.