Rīgas Tehniskā universitāte Materiālzinātnes un lietišķās ķīmijas fakultāte

Konferences 

1.

 

M. Reimanis, J. Ozolins, J. Malers, Berzina-Cimdina L. Influence 

of  Electrolysis  Process  on  Propagation  of  Microorganisms  in 

Water. 

49th 

International 

Symposium 

on 

Microbial 

Biotechnology: 

Diversity, 

Genomics 

and 

Metagenomics, 

Association  of  Microbiologists  of  India,  Deli,  November  18-20, 

2008, pp.138 -139. 

2.

 

Reimanis  M.,  Mezule  l.,  Malers  J.,  Ozolins  J.,  Juhna  T.  Water 

Disinfection  with  electrolysis  using  Ti

n

O

2n-1

  containing  ceramic 

electrodes  //  Second  International  Environmental  Workshop, 

Poland, Krakow, September 14 – 18, 2009. – pp. 26-26. 

3.

 

Reimanis  M.,  Ozolins  J.,  Malers  J.  Water  preperation  using 

electrochemical process // International Conference on Emerging 

Technologies  in  Enviromental  Science  and  Engineering,  India, 

Aligarh, October 26 – 28, 2009. – pp. 63 – 64. 

4.

 

Reimanis  M.,  Mezule  L.,  Malers  J.,  Berzina-Cimdina  L.,  Juhna 

T., Ozolins J. Preperation of water with electrolysis method using 

ceramic  electrodes  //  IWA  Specialist  Conference  „Water  and 

Wastewater  Treatment  Plants  in  Towns  and  Comunities  of  the 

XXI  Century:  Technologies,  Design  and  Operation”,  Russia, 

Moscow, June 2 – 4, 2010. – pp. 1-2. 

5.

 

Reimanis M., Pavlova A., Mālers J., Berzina-Cimdina L.,Ozolins 

J.  Electrical  conductive  Ti

n

O

2n-1

  ceramic  extraction  and  use  for 

water treatment with electrolysis // Electroceramics XII, Norway, 

Trondheim, June 13 – 16, 2010. – pp. 151 – 151. 

 

Valodu prasme: 

Latviešu, krievu, angļu 

 

 

2010. gada 11. oktobris 

                                           - 522 -

Dzīves un darba gājums (CV) 

 

Paredzētais amats projektā: grupas vadītais   

Projektā veicamie pienākumi: eksperimentāli stikla tīrības noteikšana ar optisko  

absorbcijas metodi 

1.

 

Vārds:  Artūrs 

Uzvārds: Medvids 

Personas kods 100342-10612 

Dzimšanas gads: 1942 

Izglītība: augstākā 

 

Izglītības iestāde 

Kijevas Valsts universitāte 

Datums: no  

              līdz  

09/1962.- 06/1968. 

Iegūtā izglītība: 

Fiziķis – Optika un spektroskopija 

Diploma Nr. 

Ч Nr. 669669 

 

Izglītības iestāde 

Viļņus Valsts universitāte 

Datums:   

               

09/1979 

Iegūtā izglītība: 

Fizikas un matemātikas kandīdāts  

Diploma Nr. 

ФМ Nr. 008965 

 

Izglītības iestāde 

Latvijas Valsts universitāte 

Datums:   

             

04/1994 

Iegūtā izglītība: 

Fizikas habilitētā doktora zinātniskais grāds 

Diploma Nr. 

C-Dh Nr. O00121 

 

Papildu izglītība/kursi: 

 

Izglītības iestāde 

Kursa nosaukums 

Datums: no (mm/gggg) 

              līdz (mm/gggg) 

„VMC” valodu centrs 

Angļu valodas kursi 

05.2005. – 06.2005. 

 

Valodu prasme (vērtējot no 1 – 5 (1 – vāji; 5 – brīvi)): 

 

Valoda 

Lasītprasme 

Runātprasme 

Rakstītprasme 

Latviešu  

                5 

             5 

                4 

Ukraiņu 

                5 

             5 

                5 

Angļu 

                5 

             4 

                4 

Krievu 

                5 

             5 

                5 

 

Darba pieredze: 

 

Datums: no (09/2002) 

              līdz (03/2010) 

1969.-1970.g.

 

Darba vietas nosaukums 

Ukrainas Zinātņu Akadēmijas Pusvadītāju          

             Fizikas institūts. 

 

Amata nosaukums 

Inţenieris pētnieks

 

Galvenie pienākumi 

Elektronu - caurumu  plazmas īpašību pētīšana InSb krustotos 

elektriskā un magnētiskā laukā 

                                           - 523 -

 

 

Datums: no (mm/gggg 

              līdz (mm/gggg) 

1970.-1975.g.  

 

Darba vietas nosaukums 

Rīgas Politehniskais institūts 

Amata nosaukums 

Vecākais zinātniskais līdzstrādnieks

 

Galvenie pienākumi 

Elektronu - caurumu  plazmas īpašību pētīšana Ge nehomogēnā 

krustotos elektriskā un magnētiskā laukā 

 

Datums: no (09/2002) 

              līdz (03/2010) 

1983.g.- līdz šim laikam  

 

Darba vietas nosaukums 

Rīgas Politehniskais institūts,

 Pusvadītāju Fizikas 

laboratorija

 

Amata nosaukums 

Laboratorijas vadītājs;

 

Galvenie panākumi 

Materiālzinātne. Plāno kārtiņu un pusvadītāju virsmas struktūras 

pētīšana. Pusvadītāju (Ge, Si, 6H-SiC, Te, CdTe, CdHgTe un 

InSb) optisko un elektrisko īpašību pētīšana nehomogēnā 

elektriskā, magnētiskā un temperatūras laukā. Jaudīga 

lāzerstarojuma mijiedarbība ar pusvadītājiem Si, Ge, InSb 

CdTe, SiC.  Pārneses procesu pētīšana metālos (CoSi

2

) un 

dielektriķos (SiO

2

, Si

3

N

4

) nehomogēnā temperatūras laukā. 

 

Datums: no (09/2002) 

              līdz (03/2010) 

1975.-1979.g.  

 

Darba vietas nosaukums 

Rīgas Politehniskais institūts

 

 

Amata nosaukums 

Asistents 

 

Galvenie pienākumi 

Laboratorijas darbu un praktisko nodarbību vadīšana 

 

Datums: no (09/2002) 

              līdz (03/2010) 

1979.-1994.g.  

 

Darba vietas nosaukums 

Rīgas Politehniskais institūts

 

 

Amata nosaukums 

Docents 

 

Galvenie pienākumi 

Fizikas kursa lasīšana; doktorantūras vadīšana 

 

 

Datums: no (09/2002) 

              līdz (03/2010) 

1994.g. - 

 

Darba vietas nosaukums 

Rīgas Tehniskā universitāte; 

 

Amata nosaukums 

 Profesors, Kondensētās vielas inţenierfizikas profesora 

grupas vadītājs

 

Galvenie pienākumi 

Kursu lasīšana: 

1. Fizika  ( profesionāliem inţenieriem)  

2. Tehnoloģiju fizikālie pamati. 

3.Doktorantūras vadīšana 

 

Kopējais publikācijas skaits ir 403 tajā skaitā 70 patentu no tiem 9 Latvijas Republikas 

patentu , 

8 metodisko darbu sarakstā

 un 2 monogrāfijas 

 

2.

 

Zinātniskā darbība un publikācijas pēdējos sešos gados  

. 

No 1995.g.Starptautisko konferenču “Ultrafast phenomena in semiconductors” (Viļņa,  

  

Lietuva,  1995,  1998,  2001,  2004,  2007un  2010.g.)  starptautisko  komitejas 

loceklis. 

                                           - 524 -

   No 1998.g. Starptautiskā ţurnāla “Material Science” reģionālais redaktors.

 

1996.g. SPIE konferences AOMD‟96 (Rīga, Latvija) organizācijas komitejas loceklis; 

SPIE    konferenču  padomnieku  komiteju  loceklis:”Optical  storage  and 

transmission  of      information  (Kijeva, Ukraina, 1996); “ Material Science 

and material properties of IR optoelectronics” (Uţgoroda, Ukraina, 1996). 

No  2000.g.  RTU  un  DU  apvienotas  Astronomijas  un  fizikas  profesoru  padomes 

loceklis.  

2008.g. Starptautisko konferenču „Ŗadiation Interaction with Material and Its Use in 

Technologies 2008”, Kaunas, Lithuania 24-27 September, 2008, starptautisko 

padomnieku komitejas loceklis.  

2009.g. Goda profesors Šizuokas universitātē, Japāna. 

2010.g.  Starptautiskas konferences „Inter-Academia 2010”, Rīga, 9-12 Augusts, 2010 

vadītais   

Vieslektors 

2006.g.:  Intern.  Conf.  „Ŗadiation  Interaction  with  Material  and  Its  Use  in 

Technologies 2006”, Kaunas, Lithuania, 28-30 September, 2006. 

2008g.: Intern.Conf. „Radiation Interaction with Material and Its Use in Technologies 

2008”, Kaunas, Lithuania 24-27 September, 2008. 

2009.g.:1.  Intern.Conf.  „Nanostructured  Materials  and  Nanocomposites”  (INCM-

2009) Kottaym, Indija; 

2. Scientific Works of 10-th International Young Scientists Conference Optics 

and  High  Technology  Material  Science  -  SPO  2009,  October  22-25,  2009, 

Kyiv, Ukraina 

            

Latvijas Zinātnes Padomes finansētie projekti

 

1.

 

„Slēpto  slāņu  veidošanās  dinamika  un  jauno  ar  lāzeru  inducēto  centru 

pētījumi”, Nr. 96.0535, 1997.-2000.g., vadītājs Prof. A.Medvids; 

2.

 

„Atomu  difūzija  un  dreifs  kristāliskā  reţģī  temperatūras  gradienta  un 

elektriskā laukā”. 2000.-2004.g. Nr. 01. 0577, vadītājs Prof. A.Medvids; 

3.

 

„Nanostruktūru  veidošanās  uz  pusvadītāju  virsmas  ar  lāzera  starojumu” 

2005.-2009.g. Nr.05.0026, vadītājs Prof. A.Medvids; 

ES un starptautiskie projekti: 

4.

 

Nr.  FP7-218000  (2008.-2010.g.)  „Cooperation  across  Europe  for 

Cd(Zn)Te  based  Security  Instruments”,  vadītājs  Prof.  H.  Lambropoulos 

(vadītājs no Latvijas puses  Prof. A.Medvids). 

5.

 

Taivānas-Lietuvas-Latvijas  sadarbības  projekts  Nr.  L7455  (2008.-2009.g.) 

„Studies  on  Nitride  and  Oxide  Semiconductor  Nanostructures  for 

Energy Technology Applications”, vadītājs Prof. A.Medvids; 

6.

 

Latvijas-Baltkrievijas  sadarbības  projekts  Nr.  L7306  (2007.-2009.g.) 

„Pašorganizētu  nanostruktūru  formēšanas  paņēmiena  izstrādne  uz  Si 

un  SiGe  cieta  šķīduma  virsmas  ar  jaudīgu  lāzera  starojumu, 

izmantošanai  elektroniskajās  un  optoelektroniskajās  ierīcēs”  ,  vadītājs 

Prof. A.Medvids; 

          7. Līdzdalība starptautiskā projektā (EC project „PRAMA” contract N. G5MA-    

CT-2002-04014), Lietuva. 

 

Latvijas Izglītības un zinātņu ministrijas projekti 

 

                                           - 525 -

7.

 

TOP  Nr.02-17(2005g.)  līgumdarba  vadītājs:  ”InSb  X-starojuma  detektora 

konstruēšana  un  izgatavošanas  tehnoloģijas  izstrāde”,  vadītājs  Prof. 

A.Medvids; 

8.

 

IZM-RTU  projekts  Nr.  F6968  (2005.g.)  „Jaudīga  lāzera  starojuma  un 

optisko  šķiedru  mijiedarbība  spektra  infrasankanajā  apgabalā”, 

vadītājs Prof. A.Medvids; 

9.

 

IZM-RTU  projekts  Nr.U7094(2006.g.)  „SiO

2

  stikla  dielektriskās 

caurlaidības samazināšana ar YAG:Nd lāzera starojumu”, vadītājs Prof. 

A.Medvids; 

10.

 

IZM-RTU  projekts  Nr.R7230  (2007.g.)  „Radiācijas  defektu  ģenerācijas 

un telpisko sadalījumu pusvadītājos mehānismu pētīšana”, vadītājs Prof. 

A.Medvids; 

11.

 

IZM-RTU  projekts  Nr.R7230  (2008.g.)  „Nanostruktūras  veidošana  uz 

monokristāliska SiGe virsmas ar lāzera starojumu un to optisko īpašību 

pētīšana”, vadītājs Prof. A.Medvids; 

12.

 

RTU  projekts  Nr.  ZP-2008/17  (2008.-2009.g.)  ”Poru  veidošanas 

tehnoloģija  pusvadītājos  ar  jaudīgu  lāzera  starojumu”,  vadītājs  Prof. 

A.Medvids; 

128 publikāciju saraksts 2004.-2009.g. 

Konferences saraksts 

1.

 

A. Medvids, A. Micko, P. Onufrijevs und D. Grabovskis, „Lāzerdefektu 

ģenerācijas dinamika IV grupas pusvadītājos”, LU CFI 21. zinātniskās 

konferences referātu tēzes 7.-9. februārī, 52 lpp., 2005. 

2.

 

D. Tribandis, A. Grigonis, A. Reza, A. Medvid‟, P. Onufrijevs. „Diamond 

like carbon film, deposited from acetylene/hydrogen plasma, irradiation using 

coherent beam”, 36-oji Lietuvos nacionaline fizikos konferencija, programma ir 

pranešimu tezes, World Year of Physics 2005, m.birţelio 16-18 d. Vilnius, 

p.136, 2005. 

3.

 

A. Medvid‟, P.Onufrijevs, D.Grabovskis, Process amorphisation-

crystallization on surface of Si and Ge by laser radiation. Book of abstracts of 

the 7

th

 international Summer school-Conference Advanced Materials and 

Technologies 27-31 August, 2005 Palanga, Lithuania, p. 63, 2005. 

4.

 

A.  Medvids,  A.  Micko,  P.  Onufrijevs  un  D.  Grabovskis,  „Lāzerdefektu 

ģenerācijas  dinamika  IV  grupas  pusvadītājos”,  LU  CFI  21.  Zinātniskās 

konferences referātu tēzes 7.-9. februāris, 52.lpp., 2005. 

5.

 

A.Medvids, P.Onufrijevs, D.Grabovskis, F.Muktepavela, G.Bakradze. Low-

K  SiO

2

  layer  formation  on  Si  by  YAG”Nd  laser  radiation.  Abstract  of  Latvian 

conference  ”Functional  materiāls  and  nanotechnologies”,  p.46,  Riga,  March 

27-28, 2006.  

6.

 

A.Medvid‟,  I.Dmytruk,  P.Onufrijevs,  I.Pundyk.  Optical  properties  of 

nanohils  formed on a surface of Ge  by  laser radiation.  Abstract  of and Latvian 

conference  ”Functional  materiāls  and  nanotechnologies”,  p.45,  Riga,  March 

27-28, 2006.  

7.

 

T. Puritis, A.Medvids. „Achievements in Si nanocrystals optoelectronics and 

perspective  of  development  in  Latvia”.  Abstract  of  Latvian  conference 

”Functional materiāls and nanotechnologies”, p.59, Riga, March 27-28, 2006.  

                                           - 526 -

8.

 

A.Medvid‟, L.Fedorenko, B.Korbutjak, S.Kryluk, M.Yusupov, A. Mychko. 

„Modification of band-gap  in surface  layer of CdZnTe by YAG:Nd

+3

  laser 

radiation”  .  Abstracts  of  International  Conference  Advanced  Optical 

Materials and Devices-5, Vilnius, Lithuania, 27-30 August, p.45a, 2006. 

9.

 

 Artur Medvid‟, Igor Dmytruk, Pavels Onufrijevs and Iryna Pundyk. “Origin 

of  Photoluminescence  from  Nanohills  Formed  on  a  Surface  of  Ge  and  Si 

Single Crystals by Laser Radiation” . Abstracts of International Conference 

Advanced  Optical  Materials  and  Devices-5,  Vilnius,  Lithuania,  27-30 

August, p.95, 2006. 

10.

 

Artur  Medvid‟,  Igor  Dmytruk,  Pavels  Onufrijevs,  Talivaldis  Puritis  and 

Iryna  Pundyk.  Quantum  Confinement  Effect  in  Ge,  Quasi  QDs  Formed  by 

Laser Radiation. Book of abstracts of the 8th international Summer school-

Conference  Advanced  Materials  and  Technologies.    27-31  August,  2006, 

Palanga, Lithuania, p. 123, 2006. 

11.

 

Artur Medvid‟, Pavels Onufrijevs, Dainis Grabovskys. Optical Properties of 

Si Surface after Laser Processing. Book of abstracts of the 8

th

 international 

Summer school-Conference Advanced Materials and Technologies. 27-31 

August, 2006, Palanga, Lithuania, p.118, 2006. 

12.

 

A.Grigonis, A.Medvid, P.Onufrijevs, J.Babonas, A.Rėza. Graphitization of 

amorphous diamond – like carbon films by laser irradiation. Abstracts of 

International workshop on advanced spectroscopy and optical materials. 11 

– 14, June, 2006, Gdansk, Poland, p.53, 2006. 

13.

 

Artur  Medvid‟,  Igor  Dmytruk,  Pavels  Onufrijevs  and  Iryna  Pundyk

.

 

Quantum  Confinement  Effect  in  Nanohills  Formed  on  a  Surface  of  Ge  by 

Laser Radiation. Abstracts of the Interational Conference “Extended defects 

in Semiconductors”, September 17-22, Halle, Germany, P41, 2006. 

14.

 

A.Medvid‟,  P. Onufrijevs,  E. Mellikov,  D. Kropman,  F. Muktepavela, 

G. Bakradze, N.L.Dmitruk, O.Kondratenko, „Low–K factor of SiO

2

 layer on 

Si  by  YAG:Nd  laser  radiation”,  Book  of  Abstracts  of  10

th

  Europhysical 

Conference  on  Defects  in  Insulating  Materials,  Milan,  Italy,  July  10-14, 

2006.  

15.

 

Arturs Medvids, Pavels Onufrijevs, Igor Dmytruk, Iryna Pundyk. „Quantum 

Confinement Effect in Nanohills Formed on a Surface of Si,Ge and GaAs by 

Laser Radiation” Abstracts of Congress Nanotech Northern Europe 2007, 

Helsinki, Finland 26-29 April, p.79, 2007. 

16.

 

Artur Medvid‟, Pavels Onufrijevs, Igor Dmitruk, Irina Pundyk. Properties of 

Nanohills Formed on a Surface of Ge, Si and GaAs by Laser Radiation: 

Quantum Confinement Effect. Abstracts III Ukrainian Conference on 

Semiconductor Physics, Odessa, Ukraine, p. 81, 17-22, June 2007. 

17.

 

A.  Medvid,  A.  Mychko,  L.  Fedorenko,  B.  Korbutjak  „  Graded  Band-gap 

Formation  in  CdZnTe  by  Nd:YAG  Laser  Radiation”,  book  of  Abstracts 

Functional  materials  and  nanotechnologies,  Riga,  2-4  aprīlis  2007,  Riga,  p. 

139, 2007. 

18.

 

Arturs  Medvids,  Pavels  Onufrijevs,  Igor  Dmytruk,  Irina  Pundyk, 

„Properties of Nanohills  Formed on a Surface of Ge, Si  and GaAs  by  Laser 

Radiation: Quantum Confinement Effect”, FM&NT-2007, International Baltic 

Sea  Region  conference  “Functional.  materials  and  nanotechnologies”  p.24, 

2007. 

19.

 

A.  Mychko,  A.  Medvid,  P.  Onufrijevs,  L.  Fedorenko,  „Graded  Band-gap 

Formation  in  CdZnTe  by  Nd:YAG  Laser  Radiation”,  book  of  Abstracts  8th 

                                           - 527 -

International  Symposium  on  Laser  Precision  Microfabrication  23-29  aprīlis 

2007, Viena, p. 198, 2007. 

20.

 

A. Medvid, L. Fedorenko, B. Korbutjak, S. Kryluk, A. Mychko „ Graded Band-

gap Formation in CdZnTe by Nd:YAG Laser Radiation”, Proc.of III Ukrainian 

conference on Semiconductor physics, 17-22. June, Odesa, p.320, 2007. 

21.

 

Artur  Medvid‟,  Pavels  Onufrijevs,  Igor  Dmytruk,  Irina  Pundyk, 

“PROPERTIES  OF  NANOHILLS  FORMED  ON  A  SURFACE  OF  Ge,  Si 

AND  GaAs  BY  LASER  RADIATION:  QUANTUM  CONFINEMENT 

EFFECT”, International Conference, “Fundamentals of Laser Assisted Micro– 

and  Nanotechnologies”,  (FLAMN-07),  June  25-28,  St.  Petersburg,  Russia, 

p.134, 2007. 

22.

 

A. Medvuds, P. Onufrijsvs, „Controllable Exit Radius of Optical Fibre by 

Laser,  The  6th  International  Conference  on  Global  Research  and  Education, 

September 26-30, 2007, Hamamatsu, Japan, Abstracts, p.132, 2007. 

23.

 

Artur  Medvid‟,  Igor  Dmitruk,  Pavels  Onufrijevs  and  Iryna  Pundyk,  „ 

Properties  of  Nanohills  Formed  on  a  Surface  of  Ge,  SiO

2

/Si  and  GaAs  by 

Laser  Radiation:  Quantum  Confinement  Effect”  The  6th  International 

Conference  on  Global  Research  and  Education,  September  26-30,  2007, 

Hamamatsu, Japan, Abstracts, p.57, 2007. 

24.

 

A. Medvud‟, P. Onufrijsvs, „Controllable Exit Radius of Optical Fibre by 

Laser,  Proceedings  of  The  6th  International  Conference  on  Global  Research 

and Education, Hamamatsu, Japan, Vol.2, pp. 1080-1084, 2007. 

25.

 

Artur  Medvid‟,  Igor  Dmitruk,  Pavels  Onufrijevs  and  Iryna  Pundyk,  „ 

Properties  of  Nanohills  Formed  on  a  Surface  of  Ge,  SiO

2

/Si  and  GaAs  by 

Laser  Radiation:  Quantum  Confinement  Effect”  Proceedings  of  The  6th 

International  Conference  on  Global  Research  and  Education,  Hamamatsu, 

Japan, Vol.2, pp. 462-471, 2007. 

26.

 

A.Медвидс,  П.Онуфриевс,  П.  Гаидук,  И.  Манак,  Разработка  метода 

формирования  самоорганизованных  наноструктур  мощным  лазерным 

излучением  на  поверхности  Si  и  сплавов  SiGe  для  электронных  и 

оптоэлектронных 

приборов, 

Белорусско-Латвийский 

научно-

иновационный форум 18-19 декабря 2007, Минск, стр.64-66. 

27.

 

A.Medvid, P.Onufrijevs, K.Lyutovich, M.Oehme, E.Kasper, N.Dmytruk, 

O.Kondratenko, I.Dmytruk, I.Pundyk. SELF-ASSEMBLY OF 

NANOHILLS IN SixGe1-x/Si HETEROEPITAXIAL STRUCTURE DUE 

TO Ge REDISTRIBUTION INDUCED BY LASER RADIATION, 

International Baltic Sea Region conference “Functional materials and 

nanotechnologies” FM&NT-2008, April 1-4, 2008, Riga, Latvia, p.49, 2008. 

28.

 

A.Medvid, A.Mychko, N.Litovchenko, O.Strilchuk, P.Onufrijevs, 

A.Pludons. OPTICAL PROPERTIES OF NANOSTRUCTURES ON A 

SURFACE OF CdZnTe TERNARY COMPOUND BY LASER 

RADIATION, International Baltic Sea Region conference “Functional 

materials and nanotechnologies” FM&NT-2008, April 1-4, 2008, Riga, 

Latvia, p. 105, 2008. 

29.

 

A. Grigonis, D.Tribandis, A.Medvid, P.Onufrijevs. LASER-INDUCED 

TRANSFORMATION OF DIFFERENT TYPES OF a-C:H THIN FILMS, 

International Baltic Sea Region conference “Functional materials and 

nanotechnologies” FM&NT-2008, April 1-4, 2008, Riga, Latvia, p.147, 2008. 

30.

 

Artur Medvid‟, Pavels Onufrijevs, Igor Dmitruk, Iryna Pundyk. LASER 

INDUCED SELF-ORGANIZATION OF NANOWIRES ON SiO2/Si 

                                           - 528 -

INTERFACE, Workshop on Recent Advances of Low Dimensional Structures 

and Devices, School of Physics and Astronomy University of Nottingham, 

UK, 7-9 April 2008. 

31.

 

 A.Medvid',  P.Onufrijevs,  K.Lyutovich,  M.  Oehme,  E.  Kasper,  N.Dmitruk, 

O.Kondratenko, I.Dmitruk, I.Pundyk, Self-assembly of nanohills in Si

1-x

Ge

x

/Si 

heteroepitaxial  structure  due  to  Ge  redistibution  induced  by  laser  radiation, 

EMRS  -Symposium  I:  Front-end  junction  and  contact  formation  in  future 

Silicon/Germanium based devices, Strasbourg, France 25-30 May, 2008, p.21, 

2008. 

32.

 

Artur  Medvid‟,  Pavels  Onufrijevs,  Igor  Dmitruk,  Iryna  Pundyk,  Klara 

Lyutovich,  Michael Oehme, Erich  Kasper, Nanocrystals Grown on a Surface 

of  Si,  Ge  and  Si

1-x

Ge

x

/Si  Crystals  Stimulated  by  Laser  Radiation,  The  4th 

Asian  Conference  on  Crystal  Growth  and  Crystal  Technology  (CGCT-4), 

Sendai, Japan, 21-24 May,  p.101, 2008. 

33.

 

A.  Medvid‟,  A.  Mychko,  N.Litovchenko,  O.  Strilchuk,  P.Onufrijevs  and  A 

Pludons, Optical Properties of Nanostructure Formed on a Surface of CdZnTe 

Crystal  by  Laser  Radiation,  Abstracts  of  the  10

th

  International  Workshop  on 

Radiation Imaging Detectors, June 29 – July 3, Helsinki, Finland, p.88, 2008. 

34.

 

Artur Medvids, Pavels Onufrijevs, Photoluminescence of Si Nanohills Formed 

by  Laser  Radiation,  The  6th  International  Conference,“Advanced  Optical 

Materials  and  Devices”  Abstract,  24-27  August  2008,  Riga,  Latvia,  p.21, 

2008. 

35.

 

A.Medvid‟,  P.Onufrijevs,  A.Ulyashin,  E.Dauksta,  D.Grabovskis,  J.Barloty, 

A.Pludons,  Dynamics  of  Nanostructure  Formation  Using  Point  Defects  in 

Semiconductors  by  Laser  Radiation,  Abstracts  of  the  Inter.Conf.  Extended 

Defects in Semiconductors 2008, September 14-19 Poitiers, France, p.P6, 2008. 

36.

 

П.И.Гайдук, А.Медвидс, П.Онуфриевс, Формирование нанорильефа на 

поверхности SiGe-сплава при импульсной лазерной обработке, Материалы,VII 

Международная 

научно-техническая 

конференция 

“КВАНТОВАЯ 

ЭЛЕКТРОНИКА” 13-16 Октября 2008 г. Минск, Беларусь, с.133,2008. 

37.

 

Е.С.Панфиленок,  И.С.Манак,  А.Медвидс,  Формирование  низкоразмерных    

структу  на  поверхности  GaAs  лазерным  методом,  Материалы,VII 

Международная 

научно-техническая 

конференция 

“КВАНТОВАЯ 

ЭЛЕКТРОНИКА” 13-16 Октября 2008 г. Минск, Беларусь, с.155-156(2008). 

38.

 

A.Medvid‟, 

G.Mezinskis, 

L.Grigorjeva, 

P.Onufrijevs, 

D.Andersone, 

Photoluminescence of ZnO Nanostructure Formed by Laser Radiation, Proc. Of 

Īntern.Conf.  „Radiation  Interaction  with  Material  and  Its  Use  in  Technologies 

2008”, Kaunas, Lithuania 24-27 September, 2008, pp.58-59, 2008.  

39.

 

A.Medvid‟, 

A.Mychko, 

N.Litovchenko, 

O.Strilchuk, 

P.Onufrijevs, 

A.Pludons,”Properties  of  nanostructures  on  a  surface  of  CdZnTe  compound  

formed  by  laser  radiation”,  Proc.  Of  Īntern.Conf.  „Radiation  Interaction  with 

Material and Its Use in Technologies 2008”, Kaunas, Lithuania 24-27 September, 

2008, pp.208-211, 2008.  

40.

 

A.Medvid‟,  P.Onufrijevs,  L.Fedorenko,  J.Rimshans,  E.Dauksta,  „Properties  of 

porous Si fabricated by laser radiation and subsequent electrochemical etching”, 

Proc.  Of  Īntern.Conf.  „Radiation  Interaction  with  Material  and  Its  Use  in 

Technologies 2008”, Kaunas, Lithuania 24-27 September, 2008, pp.60-61. 

41.

 

(Invited speaker)A.Medvid‟, P.Onufrijevs, I.Dmitryk, I.Pundyk K.Lyutovich, 

M.Oehme,  E.Kasper,  Mechanism  of  Nanohills  growth  in  Si

1-x

Ge

x

/Si 

structure  by  laser  radiation,  Proc.  Of  Īntern.Conf.  „Radiation  Interaction 

                                           - 529 -

with Material and Its Use in Technologies 2008”, Kaunas, Lithuania 24-27 

September, 2008, pp.194-195, 2008.  

42.

 

D.Kropman, E.Mellikov  A.Opik, K.Lott, O.Volobueva, T.Karner, I.Heinmaa, 

T.Laas, A.Medvid‟,”Strain relaxation mechanism in the Si-SiO2 system and 

its  influence  on  the  interface  properties”,  Proc. Of  Īntern.Conf.  „Radiation 

Interaction  with  Material  and  Its  Use  in  Technologies  2008”,  Kaunas, 

Lithuania 24-27 September, 2008, pp.60-61, 2008. 

43.

 

D.Kropman,  E.Mellikov,  K.Lott,  A.Oplik,  T.Karner,  I.Heinmaa,  T.Laas, 

A.Medvid‟, „Impurities Interaction with Point Defects in the Si-SiO

2

 System 

and Its Influence on the Interface Properties”, Abstracts of the 4th Vacuum 

and  Surface  Sciences  Conference  of  Asia  and  Australia,  October  28-

31,2008, Matsue, Japan, p.178. 

44.

 

(Invited speaker) Arturs Medvids “Nanostructures Formation on a Surface of 

Semiconductors by  Laser Radiation:  Technology  and  Model”,  Abstracts of 

1

st

 

International 

Conference 

on 

Nanostructured 

Materials 

and 

Nanocomposites, pp.28-29, April 6-8, 2009, Kerala, India. 

45.

 

 A.Medvids,  P.Onufrijevs,  “A  Novel  Laser  Technology  for  Nanostructure 

Formation  in  Semiconductors”  15th  Semiconducting  and  Insulating 

Materials  Conference,  Programme  &  Abstracts,  June  15-19,  Vilnius, 

Lithuania, P78, 2009.  

46.

 

A.Medvids, A Mychko,”Mechanism of Nanostructure Formaition on a Surface 

of CdZnTe crystal by Laser Irradiation”, Book of Abstracts of 7

th

 International 

Conference  on  Luminescent  Detectors  and  Transformers  of  Ionizing 

Radiation, 12-17 July, Krakov, Poland, p.251, 2009. 

47.

 

 (Invited speaker) Medvid‟, A.Mychko A., Pludons A., Mykola Dmitruk, 

Igor Dmitruk, Iryna Pundyk, “A Novel Laser Technology for Nanostructure 

Formation in Elementary Semiconductors: Quantum Confinement Effect”, 

Book of Abstracts of IV Ukainian Sc.Conf. on Physics of Semiconductor, 

September 15-19, 2009, Zaporizhie, Vol.2, pp.136-137, 2009. 

48.

 

Medvid‟ A., Lytovchenko N.M., Naseka Yu., Strilchuk  O.N. “Laser Induced 

Nanostructure Formation on a Surface of CdZnTe crystal”, Book of Abstracts 

of IV Ukainian Sc.Conf. on Physics of Semiconductor, September 15-19, 

2009, Zaporizhie, Vol.2, pp.190-191, 2009. 

49.

 

 (Invited speaker) Artur Medvid‟, Pavels Onufrijevs, Igor Dmitruk, Iryna 

Pundyk,”A Novel Laser Technology for Nanostructures Formation in 

Semiconductors”, Scientific Works of 10-th International Young Scientists 

Conference Optics and High Technology Material Science - SPO 2009, 

October 22-25, 2009, Kyiv, Ukraina, p.30. 

50.

 

G. Mezinskis, A.Medvids, L.Grigorjeva, A.Cimermane, P.Onufrijevs, 

A.Pludons, K.Smith,” Zinc oxide nanoparticle PVA (PMMA) composites: 

preparation, structure and photoluminescence alteration by laser radiation 

of materials” Abstracts book of Nanotech Europe 2009,

 

28-30 September 

Berlin, Germany, 2009, p. 194. 

51.

 

A.Medvid‟, A.Mychko, E.Dauksta, E.Dieguez, Y.Naseka,” Increased 

Radiation Hardness of CdZnTe, by Laser Radiaton”, Book of abstracts of the 

International Conference “Functional materials and nanotechnologies 2010”, 

Macrch 16-19, p.133, 2010. 

52.

 

T.Puritis, J.Kaupuzs, A. Medvid, P. Onufrijevs, E.Dauksta, ”Si, CdTe 

nanocrystals and surface structuring for solar cell application”, Book of 

                                           - 530 -

abstracts of the International Conference “ Functional materials and 

nanotechnologies 2010”, Macrch 16-19, p.134, 2010. 

53.

 

A.Medvid, P. Onufrijevs, G. Chiradze, F. Muktapavela, ”Impact of laser 

radiation on microhardness of a semiconductor”, Book of abstracts of the 

International Conference “ Functional materials and nanotechnologies 2010”, 

Macrch 16-19, p.138, 2010. 

54.