+Рис. 1 Принципиальная схема

1.

2.

3. Изобретение в 1972 г. элементов интегральной инжекционной логики (И2Л) явилось результатом работ по совершенствованию БИС на биполярных транзисторах. Для построения микросхем И2Л используется базовая структура, показанная на рис. 18,а. Области p1-n1-p2 образуют горизонтальный транзистор p-n-p-типа, а области n2-p2-n1 – вертикальный транзистор n-p-n-типа.
Горизонтальный транзистор VT1 выполняет функции инжектора дырок из эмиттерной области p1 в область n1, служащую одновременно базой этого транзистора и эмиттером вертикального транзистора VT2. Инжектированные в область n1 дырки собираются расположенными вокруг эмиттерной области p1 областями p2, являющимися одновременно коллекторами горизонтального и базами вертикальных транзисторов. Вертикальные транзисторы имеют по несколько коллекторов, образуемых областями n2. Подложка n1+, являясь конструктивной основой ИМС, объединяет эмиттеры всех вертикальных транзисторов. При этом отпадает необходимость в изоляции отдельных элементов друг от друга, что приводит к существенному уменьшению площади, занимаемой элементом, и повышению коэффициента интеграции.
4. Дифференциальный каскад (ДК) – симметричные усилитель постоянного тока с двумя входами, выполненный на двух транзисторах с эмиттерной связью.
В идеальном ДК выходное напряжение пропорционально только разности входных напряжений и не зависит от их абсолютных величин.

+Рис.1 Принципиальная схема
5. Простейшей схемой сдвига уровня является делитель напряжения в цепи межкаскадной связи, рис.3.1, а. Однако при такой схеме R 1 R 2 одинаково уменьшает передаваемое напряжение как,  , так и усиливаемый сигнал. Вследствие этого уменьшается коэффициент усиления. В схемах сдвига уровня часто применяют стабилитроны, рис.3.1, б, у которых динамическое сопротивление незначительно. При этом полезный сигнал на нем практически не ослабляется, а погашаемое постоянное напряжение равно напряжению стабилизации стабилитрона.