S. E. Bekbergenov, Q. A. İsmaylov, M. B. Sharibaev YarımO’tkizgishler fizikası boyınsha mA’seleler shıG’arıW

O’z betinshe ma’seleler
6.1. Al-SiO²-Si tiykarındag’ı MDYa-strukturası n-tipli o’tkiziwshen’likke iye podlojkada payda etilgen. Eger ko’lemlik potentsial shaması 0,25 eV qa, al zaryad tasıwshılardın’ menshikli kontsentratsiyası n_i=1,5∙10¹⁰ sm^-3 qa ten’ bolsa, zaryadtın’ tıg’ızlıg’ı Q_B dı esaplan’.

Juwabı: Q_B=-6,18∙10⁹ Kl/sm².

6.2. MDYa-kondensatorları kontsentratsiyaları N_a=10¹⁴; 10¹⁵ ha’m 10¹⁶ sm^-3 g’a ten’ bolg’an podlojkag’a iye. Joqarıdag’ı berilgen ha’r bir kontsentratsiya ushın KOZ maksimal qalın’lıg’ın anıqlan’.

Juwabı: W_m=19; 2; 0,289 nm.

6.3. 300 K temperaturada n-tip podlojkası kontsentratsiyası 5∙10¹⁵ sm^-3 g’a ten’ bolg’an geweklerge iye bolg’anda, Al-SiO₂-Si sisteması ushın tek g’ana shıg’ıw jumısınan g’a’rezli tegis zonalar kernewin tabın’. Bettegi zaryadlardın’ tıg’ızlıg’ın esapqa alınbasın.

Juwabı: V_tz=-0,93 V.

6.4. MDYa-strukturası kremniyli n-tip podlojkasında payda etilgen. Aktseptor aralaspalardın’ kontsentratsiyası N_a=10¹⁵sm^-3 g’a, al oksid qatlamının’ qalın’lıg’ı d =120 nm g’a ten’ bolıp, zatvor alyuminiyden islengen. Egerde bettegi zaryadtın’ tıg’ızlıg’ı 4,8∙10^-8 Kl/sm² g’a ten’ bolsa, baslang’ısh kernewdi esaplan’.

Juwabı: V_bas=-1,46 V.
6.5. kontsentratsiyaları N_a=10¹⁴; 10¹⁵ ha’m 10¹⁶ sm^-3 g’a ten’ bolg’an podlojkag’a iye bolg'an MDYa-kondensatorları ushin φ_mya=-1,0 V; S_min=3,35∙10^-8 F/sm²; d=100 nm; Q_ss=1,6∙10^-8 Kl/sm² dep alıp, baslang’ısh kernewdi esaplan’.

Juwabı: V_bas=-60; -248,1; -942 mV.

Qosımshalar

1-tablitsa

Bazıbir fizikalıq turaqlılar

Fizikalıq shamalar atı	Simvol	San ma’nisi
Vakuumdag’ı jaqtılıq tezligi	c	2,99·10^8 m/c
Elektron zaryadı	q	1,602·10^-19 Kl
Elektronnın’ tınıshlıqtag’ı massası	m	9,109·10^-31 kg
Elektron zaryadının’ onın’ massasına qatnası	q/m	1,759·10^-11 Kl/kg
Plank turaqlısı	h	6,626·10^-34 Dj∙c
Planktın’ keltirilgen turaqlısı, h/2·π	ħ	1,055·10^-34 Dj∙c
Boltsman turaqlısı	k	1,381·10^-23 Dj/K
Stefan-Boltsman turaqlısı		5,670·10^-8 Vt/(m^2·K^4)
Avogadro turaqlısı	NA	6,023·10^23 1/mol
Faradey turaqlısı	F	6,649·10^4 Kl/mol
Magnit turaqlısı	μ0	1,257·10^-6 Gn/m
Elektrlik turaqlı	ε0	8,849·10^-12 F/m
Bir elektron-voltqa sa’ykes keletug’ın energiya	1eV	1,06·10^-19 Dj
300 K de temperaturalıq potentsial	φT	25,9 mV
Ridberg turaqlısı	R	1,097·10^7 1/m

2-tablitsa

Yarımo’tkizgishler ha’m dielektriklerdin’ tiykarg’ı parametrleri ha’m qa’siyetleri

Parametrler	belg-wi	Si	Ge	SiO2	GaAs
Atomlıq (molekulalıq) massası, mol		28,1	72,6	60,1	144,63
Tıg’ızlıg’ı, g/sm^-3		2,33	5,32	2,19	5,32
Atomlıq (molekulalıq) tıg’ızlıg’ı, sm^-3	N	5,0·10^22	4,4·10^22	2,2·10^22	144,63·10^22
Salıstırmalı dielektrlik o’tkiziwshen’ligi	Ε	11,7	16,0	3,9	13,1
Qadag’an etilgen zonasının’ eni 300 K temperaturada, eV: 0 K temperaturada, eV:	Eg	1,124 1,170	0,67 0,7444	≈8÷9	1,42 1,519
300 K de menshikli zaryad tasıwshılardın’ kontsentratsiyası, sm^-3	ni	1,45·10^10	2,4·10^13	-	1,79·10^6
300 K de salıstırmalı qarsılıg’ı, Om·sm		45	2,3·10^5	-	10^8
Balqıw temperaturası, ^0S		1412	937	≈1700	1238
300 K de elektronlardın’ qozg’alıwshan’lıg’ı, sm^2/V·s	μn	1300	3900	20	8500
300 K de geweklerdin’ qozg’alıwshan’lıg’ı, sm^2/V·s	μr	500	1900	≈10^-8	400
Proboy waqtındag’ı elektr maydanı, V/sm	Em	3·10^5	8·10^4	(6-9) ·10^6	4·10^5
Effektivlik massası: Elektronnın’ geweknin’	mn/m mr/m	1,08 0,81	0,55 0,3	- -	0,067 0,082
Elektronlıq srodstvosı eV	Χ	4,05	4	1,0	4,07
Diffuziyalıq koeffitsient, (sm^2/s)	D	0,9	0,36	-	0,44
T=300K de jıllılıq o’tkiziw-shen’lik koeffitsienti, Vt/sm·^0S		1,5	0,6	-	0,46
Kremniy ha’m germaniy ushın termoelektronlıq emissiya teoriyasındag’ı Richardsonnın’ effektiv turaqlısı, A=120A·sm^-2·K^-2 n-tip p-tip	A^*	2,2·A 0,66·A	1,11·A 0,34·A		0,068∙A 0,62∙A
A=120A·sm^-2·K^-2 – erkin elektronlar ushın Richardson turaqlısı

Bazıbir yarımo’tkizgishlerdin’ qadag’an etilgen zonası eninin’ temperaturadan g’a’rezliligi

Yarımo’tkizgish material	Eg(0)	α x 10^-4	β
GaAs	1,519	5,405	204
Si	1,170	4,73	636
Ge	0,7437	4,774	235

Fermi qa’ddin anıqlawdın’ grafikalıq usılı


Bazıbir yarımo’tkizgishlerinin’ 300 K temperaturada salıstırmalı qarsılıg’ının’ kontsentratsiyadan g’a’rezliligi


A’debiyatlar

1. 
   Bonch-Bruevich V. L., Zvyagin İ. P., Karpenko İ. V., Mironov A. G. Sbornik zadach po fizike poluprovodnikov. M.: Nauka. 1987. – 144 s.
   
2. 
   Batenkov V. A. Elektroximiya poluprovodnikov. Uchebnoe posobie. Barnaul. İzd. Altayskogo un. 2002. –162 s.
   
3. 
   Zi S. Fizika poluprovodnikovıx priborov: V 2-x kn. /Per. s angl. M.: Mir, 1984. – 456 s.
   
4. 
   İliev X., Malikov A. Yarimwtkazgichlar fizikasi asoslari. Uslubiy qwllanma. Toshkent. ToshDTU. 2009. -129 b.
   
5. 
   İsmaylov Q. A., Vlasov S. İ. Yarımo’tkizgishli a’sbaplar fizikası. Oqıw qollanba. No’kis. «Bilim» baspası. 2008. –177 b.
   
6. 
   İsmaylov Q. A. Yarımo’tkizgishler fizikası tiykarları. Oqıw metodikalıq qollanba. No’kis. «Bilim» baspası. 2010. –112 b.
   
7. 
   Linch P., Nikolaydes A. Zadachi po fizicheskoy elektronike. /Per. s angl. M.: Mir, 1975. – 264 s.
   

Mazmunı

1-BO’LİM. Yarımo’tkizgishlerdegi zaryad tasıwshılar……………..	3
2-BO’LİM. Yarımo’tkizgishtin’ tiykarg’ı parametrleri………………	15
3-BO’LİM. Yarımo’tkizgishlerdegi kinetikalıq qubılıslar……………	22
4-BO’LİM. Yarımo’tkizgishlerdegi kontaktlik qubılıslar…………....	39
5-BO’LİM. Yarımo’tkizgishlerdin’ tiykarg’ı xarakteristikaları……	46
6-BO’LİM. Betlik qubılıslar……………………………………………………...	50
Qosımshalar ……………………………………………………………...………	56
A’debiyatlar………………………………………………………………….............	61
Mazmunı………………………………………………………………………………	62

Redaktori: A.Saparova

Ko’rk. redaktori: I.Serjanov

Tex. redaktori: Z. Allamuratov

Operatorlari: A.Begdullaeva, G. Serimbetova

Litsenziya: AI №108, berilgen waqti 2008-jil 15-iyul.
Basiwg’a ruxsat etildi 25.07.2012-j. Formati 60x84 1/16. Times garniturasi. Ofset baspa usilnda basildi. Ko’lemi 4,25 b.t. 4 shartli b.t. 4,25 esap b.t. Nusqasi 200 dana. Bahasi shartnama boyinsha. Buyirtpa №10.
«Bilim» baspasi, 230100. No’kis qalasi, Qaraqalpaqstan ko’shesi, 9.
«Bilim» baspasinda basip shig’rildi.