Z = |Z|ejargZ = Zejφ
Отсюда активная составляющая импеданса R = Zcosφ
Реактивная составляющая X = Zsinφ.
Для вычисления импеданса при параллельном соединении активных и реактивных сопротивлений будем исходить из суммы обратных им величин - проводимостей y = 1/Z, G = 1/R, b = 1/X.
y = 1/Z = √(G2 + b2)
Сдвиг фаз в этом случае будет определён треугольником сопротивлений следующим образом:
Комплексную проводимость, как величину, обратную комплексному импедансу, запишем в алгебраической форме:
Y = G - jb
Либо в показательной форме:
Y = |Y|e -jφ = ye -jφ
Здесь:
Y - комплексная проводимость.
G - активная проводимость.
b - реактивная проводимость.
y - общая проводимость цепи, равная модулю комплексной проводимости.
e - константа, основание натурального логарифма.
j - мнимая единица.
φ - угол сдвига фаз.
Туннельные и витые диоды.
Тунне́льный дио́д или диод Эсаки (изобретён Лео Эсаки в 1957 году) — полупроводниковый диод на основе вырожденного полупроводника, на вольт-амперной характеристике которого при приложении напряжения в прямом направлении имеется участок с отрицательным дифференциальным сопротивлением, обусловленный туннельным эффектом.
В перечень основных характеристик туннельного диода входят следующие:
пиковый ток и ток впадины;
пиковое напряжение и напряжение впадины;
удельная ёмкость;
резистивная и резонансная частоты.
Do'stlaringiz bilan baham: |
