Способы получения мультикристаллическогоМеталлургия хом ашёсидан кўп кристалли кремний олиш усуллари

Қуёш хужайралари учун кремний ишлаб чиқаришнинг бошқа усуллари
Ўғитлар ишлаб чиқаришда чиқиндилардан фойдаланган ҳолда қуёш батареялари учун нисбатан арзон кремний ишлаб чиқаришнинг қизиқарли усули CРИ International томонидан таклиф Internationalқилинган(Ақш патенти 4529576 йил 16.07.1995).

Ақшнинг бир қатор компаниялари, жумладанҲамcо Division,Силтеc CorpCорп.,Texas Instruments», «ва Varian» добиваются существенного снижения стоимости SoG-SiЧокҳралский усули ёрдамида ягона кристалларни етиштириш усулини такомиллаштириш орқали Сог-Си нархини сезиларли даражада камайтиришга еришмоқда. Ушбу усулнинг асосий камчилиги гофретларни кесиш зарурати бўлиб, бу кремний нархини сезиларли даражада оширади. Кесиш операциясини деярли тўлиқ бартараф етишга қуёш батареяси технологиясини лента кремний билан таъминлаш орқали еришиш мумкин. Ушбу соҳадаги асосий ўзгаришларHitachi Лтд томонидан амалга оширилади Ltd. ва ИБМ тизими маҳсулотлари Division.

Ит арзон қуёш хужайраларини яратиш учун яна бир материални еслатиб ўтиш керак – водородли аморф кремний (Си) плёнкалари:Ҳ), улар водород билан кремний қотишмаси бўлиб, уларнинг таркиби 10-35% ни ташкил қилади.

Шундай қилиб, жаҳон ишлаб чиқариш саноати юқори тоза кремний технологияларини ишлаб чиқаришда бой тажриба тўплади. Ўрганилаётган муқобил технологиялар орасида қуёш електр станциялари учун чақмоқтош ишлаб чиқаришнинг карботермик усули алоҳида ўрин тутади, бу еса қуёш саноати учун етарли миқдордаги бошланғич асосий материалга ега бўлишга имкон беради, ундан қувват бирлиги.арзонроқ нарх.

Юқори тоза кремний ишлаб чиқариш учун карботермик усулнинг самарадорлиги
Арзон Сог-Си олиш муаммоси узоқ вақтдан бери олимларнинг еътиборини тортди. Мураккаб ва қиммат саноат триклоросилан технологиясини "қуёш" сифатли кремнийни олиш учун оддийроқ ва арзонроқ, аммо етарлича самарали тозалаш технологияси билан алмаштириш (ёки маҳсулот бирлиги нархини пасайтириш) бўйича тадқиқотлар олиб борилмоқда. Шу мақсадда тозалаш жараёнлари газ фазасида емас, балки қуюлтирилган фазада таклиф етилади, яъни. металлургия усуллари (5.2-расм).

Добиваться повышения чистоты Siраф сирапни ишлаб чиқаришнинг биринчи босқичида (карботермик пасайиш пайтида) тозалигини оширишга еришиш керак, шу билан бирга алоҳида еътибор берилиши керак юқори тоза руда хом ашёсини ва паст кулли ҲC ни танлашга content.

То сана, Сог-Си ишлаб чиқариш учун патентланган усуллари бир қатор борSoG-Si. Келинг, улардан баъзиларига қарайлик.

Ихтиронинг моҳияти шундан иборатки, кремний електр ёйи печида кремний ва графит оксидларидан олинади. Сио2 нинг карботермик камайишидан сўнг, електромагнит филтрлаш мосламасида кесишган електр ва магнит майдонларда металлдан аралашмалар чиқарилади. Си магнит майдонда тозалангандан кейин йўналтирилган кристалланишга дучор бўлади, бу умумий тозалигига 99,9999% еришиш имконини беради.

Бир вақтнинг ўзида иккита мақсадни кўзлайдиган ихтиро ҳам мавжуд. Еритилган Си технологияси махсус қолипга қуйилади, у ерда 700-1100 ҳароратда аста-секин совутилади. Фе, Ал, Ти ва Cа ни олиб ташлаш учун зона ериши амалга оширилади. Бироқ, илгари консентрланган аралашмаларни ўз ичига олган инготнинг бир қисми кесилган ва ташланган. Улар консентрацияланган қисмлардан ифлосликларни олиб ташлаш қуйишнинг бир қисмини майдалаш ва майдаланган бўлаклардан нопоклик елементларини ювиш орқали еришилади (ихтирога мувофиқ). Шу тарзда олинган кремнийнинг тозалиги ушбу патентда қайд етилмаган.

Ихтирочилар юқори тоза Си олиш усулини таклиф Siқилишади, бу қуйидагилардан иборат: чангга майдаланган Си Течн КОҲ еритмаси билан ишланади. Кейин кремний филтрланади ва иссиқ сув билан ювилади, шундан сўнг material иссиқ Ҳcл еритмаси биланишланади, яна филтрланади, иссиқ сув билан ювилади ва қуритилади. Қуритилган Си графит кукуни (C-99,999%) билан аралаштирилади ва Сиc олинмагунча 2100 та ва с да қаршилик печига жойлаштириладиSiC. Совутгандан сўнг, Сиc майдаланади, HClқайноқ нуқтада Ҳcл еритмаси билан ишланади, филтрланади ва сув билан ювилади. ҲФ еритмаси билан даволаш худди шундай тарзда амалга оширилади. Шундан сўнг, тозаланган Сиc кварц кукуни билан аралаштирилади (Сио2 = 99.999% билан) ва 2000 да қаршилик печига жойлаштириладиSi. Шу тарзда олинган маҳсулот таркибида 99,99 % Симавжуд.