Suv bug’ida

KREMNIY OKSIDI PARDALARINI PIROLITIK O’TKAZISH

Kremniy oksidlarini ancha sodda texnologik usul bilan kremniysiz tagliklarda kremniyning turli organic birikmalarini pirolitik parchalanishidan olish mumkin (7-rasm). Shunday qilib, bu usul kremniy oksid pardani har qanday materiallardan tayyorlangan materialga o’tkazishi mumkinligini ko’rsatadi. Bu usulning zaruriy afzalligi shundaki, bu jarayon ancha past temperaturalarda o’tkaziladi.

Shunday materiallardan tayyorlangan materialga o’tkazishi mumkinligini ko’rsatadi. Bu usulning zaruriy afzalligi shundaki, bu jarayon ancha past temperaturalarda o’tkaziladi. Ushbu usulning ikki xilini ko’rib chiqamiz.

Tetraetoksisilaning termik parchalanishi

Bu jarayonda reaksiya maxsulotlari to’g’ridan to’g’ri taglik sirtiga yoki alohida kameraga beriladi. Tetroetoksisilan Si( parchalanish reaksiyasi 700-750 temperaturalarda ro’y beradi. Reaksiya natijasida kremniy to’rt oksidi, kremniy oksidi, uglerod oksidi va gaz ko’rinishidagi organik radikallar ajralib chiqadi. Bu reaksiyada kislorod manbai bo’lib tetraetoksisilan o’zi xizmat qiladi. Parda qalinligi jarayonni o’tkazish vaqtiga bog’liqligi ko’rsatilgan. Agar tetraetoksisilanni parchalanishi taglik bilan bitta kamerada o’tkazilsa, unda taglik temperaturasi piroliz temperaturasi bilan bir xil bo’ladi. Agar parchalanish reaksiyasi bir kamerada, taglik boshqa kamerada bo’lsa, unda taglik temperaturasi piroliz temperaturasiga nisbatan ancha kichik bo’ladi.

Silanning kislorod bilan oksidlanishi

Yarimo’tkazgichlar texnologiyasida oksidlash afzal usullardan biri bo’lib,
turidagi birikmalarning qilmagan holda o’tkazish imkonini beradi.
monosilanni u kremniy
stexiometrik
kislorod bilan oksid pardani tarkibiga ta’sir

18