“sxemotexnika” fanidan

Kanali induksiyalangan MDYa – tranzistor.

MDYa–tranzistorlarning ishlash prinsipi ko’ndalang elektr maydoni ta‘sirida

dielektrik bilan chegaralangan yarim o’tkazgichning yuqori qatlamida

o’tkazuvchanlikni o‗zgartirish effektiga asoslangan. Yarim o‘tkazgichning yuqori

qatlami tranzistorning tok o’tkazuvchi kanali vazifasini bajaradi.

p – kanali induksiyalangan MDYa - tranzistor tuzilmasi 3 a –rasmda va

uning shartli belgisi 3 b- rasmda keltirilgan.

Tranzistor quyidagi chiqishlarga ega: istokdan – I, stokdan – S, zatvordan –

Z va asos deb ataluvchi – A kristalldan.

Stok va istoklarning p ⁺- sohalari n – turdagi yarim o‗tkazgich bilan ikkita

p–n o’tish hosil qilganligi sababli, U_SI kuchlanishining biror qutblanishida bu

o’tishlardan biri teskari yo’nalishda ulanadi va stok toki I_S deyarli nolga teng

bo’ladi.



3-rasm

Tranzistorda tok o’tkazuvchi kanal hosil qilish uchun zatvorga teskari

qutbdagi kuchlanish beriladi. Zatvor elektr maydoni SiO₂ dielektrik qatlami orqali

yarim o’tkazgichning yuqori qatlamiga kiradi, undagi asosiy zaryad tashuvchilar

(elektronlar) ni itarib chiqaradi va asosiy bo’lmagan zaryad tashuvchilar (kovaklar)

ni o’ziga tortadi. Natijada yuqori qatlam elektronlari kambag’allashib, kovaklar

bilan esa boyib boradi.

Foydalanilgan adabiyotlar:

1. 
   N.R.Yusupbekov, B.I.Muhamedov, SH.M. G‘ulomov. Texnologik jarayonlarni boshqarish sistemalari: Texnika oliy o‘quv yurtlari uchun darslik, - T.: “O‘qituvchi”, 1997, 704 b.
   
2. 
   N.R.Yusupbekov, X.Z.Igamberdiev, A. Malikov. Texnologik jarayonlarni avtomatlashtirish asoslari, T.: ToshDTU, 2007,-237 b.
   
3. 
   A.A.Artikov, A.K.Musaev, I.I.Yunusov Texnologik jarayonlarni boshqarish tizimi: O‘quv qo‘llanma, T.: TKTI, 2002y.