Тема 2: «Функциональные узлы аналоговых интегральных микросхем. Каскады сдвига потенциальных уровней и выходные каскады.»
Download 1.44 Mb. Pdf ko'rish
|
Вебинар 3
|
Дисциплина «Микроэлектроника. Часть 2.» ТЕМА 2: «Функциональные узлы аналоговых интегральных микросхем. Каскады сдвига потенциальных уровней и выходные каскады.» Легостаев Николай Степанович, профессор кафедры «Промышленная электроника» Каскады сдвига потенциальных уровней: 1. Каскад сдвига потенциального уровня на эмиттерном повторителе. 2. Каскад сдвига потенциального уровня с дополнительным эмиттерным повторителем на выходе. 3. Каскад сдвига потенциального уровня с положительной обратной связью . Выходные каскады: 1. Выходной каскад на биполярных транзисторах при включении по схеме с общим коллектором . 2. Выходной каскад на биполярных транзисторах с положительной обратной связью. 3. Двухтактный выходной каскад на биполярных транзисторах класса А. 4. Двухтактный выходной каскад класса АВ на комплементарной паре транзисторов с диодной схемой смещения. 5. Двухтактный выходной каскад класса АВ на комплементарной паре транзисторов с транзисторной схемой смещения. 6. Двухтактный выходной каскад, в одном из плеч которого используют составной транзистор на комплементарных парах. Содержание Каскады сдвига потенциальных уровней. Общие положения . Вынужденный отказ от разделительных конденсаторов при построении усилителей ставит перед разработчиками ИМС дополнительные трудности. Известные из дискретной схемотехники методы каскадирования в микроэлектронике неприемлемы. Даже такой, казалось бы, приемлемый способ согласования каскадов, как использование комплементарных транзисторов, находит в интегральных усилителях очень ограниченное применение. В монолитных ИМС отсутствуют высококачественные p-n-p- транзисторы, которые можно получить в едином цикле технологического процесса. Транзисторы типа p-n-p, как правило, имеют низкий коэффициент усиления (несколько единиц) и плохие частотные свойства. Их применение оправдано только в эмиттерных повторителях, источниках тока и в качестве активной нагрузки, но не в качестве основных усилительных элементов. Каскады сдвига потенциальных уровней. Общие положения . Входное напряжение усилителя, как известно, зависит от выбора рабочей точки транзисторов первого каскада, а, следовательно, и от коллекторного напряжения транзисторов. Даже при среднем значении напряжения источника в коллекторной цепи и при непосредственной связи между каскадами возникают определённые проблемы, затрудняющие обеспечение нормального рабочего режима транзисторов в последующих каскадах. Включение резистора в цепь эмиттера транзисторов для согласования каскадов по постоянному току настолько сильно снижает коэффициент усиления, что этот метод в ИМС не находит практического применения. Download 1.44 Mb. Do'stlaringiz bilan baham: 
|