Типы, применение и примеры полупроводников
Download 304.98 Kb.
|
Типы полупроводников.20.05.2022г
- Bu sahifa navigatsiya:
- Полупроводник типа Р
- Полупроводник типа N
|
Внешние полупроводники
Они соответствуют включением примесей в собственные проводники; то есть путем включения трехвалентных или пятивалентных элементов.Этот процесс известен как легирование и направлен на повышение проводимости материалов, улучшение физических и электрических свойств этих.Подставляя собственный атом полупроводника на атом другого компонента, можно получить два типа внешних полупроводников, которые подробно описаны ниже.. Полупроводник типа Р В этом случае примесь является трехвалентным полупроводниковым элементом; то есть с тремя (3) электронами в своей валентной оболочке.Нарушающие элементы в структуре называются легирующими элементами. Примерами этих элементов для полупроводников P-типа являются бор (B), галлий (Ga) или индий (In).Не имея валентного электрона для образования четырех ковалентных связей собственного полупроводника, полупроводник P-типа имеет зазор в недостающем звене. Это делает прохождение электронов, которые не принадлежат к кристаллической сети через эту дырку с носителем положительного заряда. Из-за положительного заряда зазора звена этот тип проводников называется буквой «Р» и, следовательно, они распознаются как акцепторы электронов.. Поток электронов через зазоры связи создает электрический ток, который течет в направлении, противоположном току, получаемому от свободных электронов.. Полупроводник типа N Навязчивый элемент в конфигурации дается пятивалентными элементами; то есть те, которые имеют пять (5) электронов в валентной зоне. В этом случае примесями, которые включены в собственный полупроводник, являются такие элементы, как фосфор (P), сурьма (Sb) или мышьяк (As). Присадки имеют дополнительный валентный электрон, который, не имея ковалентной связи для присоединения, автоматически может свободно перемещаться по кристаллической сети.. Здесь электрический ток циркулирует через материал благодаря избытку свободных электронов, обеспечиваемых легирующей добавкой. Поэтому полупроводники N-типа считаются донорами электронов.. черты Полупроводники характеризуются двойной функциональностью, энергоэффективностью, разнообразием применений и низкой стоимостью. Наиболее выдающиеся характеристики полупроводников подробно описаны ниже. - Его реакция (проводник или изолятор) может варьироваться в зависимости от чувствительности элемента к освещению, электрическим полям и магнитным полям окружающей среды.. - Если полупроводник подвергается воздействию низкой температуры, электроны будут удерживаться вместе в валентной зоне, и, следовательно, не будут возникать свободные электроны для циркуляции электрического тока.. Напротив, если полупроводник подвергается воздействию высоких температур, тепловая вибрация может влиять на прочность ковалентных связей атомов элемента, оставляя свободные электроны для электропроводности.. - Проводимость полупроводников варьируется в зависимости от доли примесей или легирующих элементов внутри собственного полупроводника.. Например, если 10 миллионов атомов бора включены в миллион атомов кремния, это соотношение увеличивает проводимость соединения в тысячу раз по сравнению с проводимостью чистого кремния.. - Проводимость полупроводников варьируется в диапазоне от 1 до 10-6 S.cm-1, в зависимости от типа используемого химического элемента. - Составные или внешние полупроводники могут иметь оптические и электрические свойства, значительно превосходящие свойства собственных полупроводников.Примером этого аспекта является арсенид галлия (GaAs), преимущественно используемый в радиочастотных и других применениях оптоэлектронных приложений.. приложений Полупроводники широко используются в качестве сырья при сборке электронных элементов, которые являются частью нашей повседневной жизни, таких как интегральные схемы. Одним из основных элементов интегральной схемы являются транзисторы. Эти устройства выполняют функцию обеспечения выходного сигнала (колебательный, усиленный или выпрямленный) в соответствии с конкретным входным сигналом.. Кроме того, полупроводники также являются основным материалом диодов, используемых в электронных схемах для обеспечения прохождения электрического тока только в одном направлении.. Для конструкции диодов образуются внешние полупроводниковые соединения типа P и типа N. Посредством чередующихся элементов носителя и доноров электронов активируется механизм баланса между обеими зонами.. Таким образом, электроны и дыры в обеих зонах пересекаются и дополняют друг друга при необходимости. Это происходит двумя способами: - Происходит перенос электронов из зоны N-типа в зону P. В зоне N-типа преобладает зона положительного нагружения.. - Представлен проход электрононосных дырок из зоны P-типа в зону N-типа. Зона P-типа приобретает преимущественно отрицательный заряд. Наконец, создается электрическое поле, которое вызывает циркуляцию тока только в одном направлении; то есть из зоны N в зону P. Кроме того, используя комбинации внутренних и внешних полупроводников, можно получить устройства, которые выполняют функции, аналогичные вакуумной трубке, объем которой в сотни раз превышает ее объем.. Этот тип приложений применяется к интегральным схемам, таким как микропроцессорные микросхемы, которые покрывают значительное количество электрической энергии. Полупроводники присутствуют в электронных устройствах, которые мы используем в нашей повседневной жизни, таких как оборудование коричневой линии, такое как телевизоры, видеоплееры, звуковое оборудование; компьютеры и сотовые телефоны. примеров Наиболее распространенным полупроводником в электронной промышленности является кремний (Si). Этот материал присутствует в устройствах, которые составляют интегральные схемы, которые являются частью нашей повседневной жизни.. Германий и кремниевые сплавы (SiGe) используются в высокоскоростных интегральных схемах для радаров и усилителей электрических инструментов, таких как электрогитары. Другим примером полупроводника является арсенид галлия (GaAs), широко используемый в усилителях сигнала, в частности, сигналы с высоким коэффициентом усиления и низким уровнем шума.. ссылки Брайан, М. (с.ф.) Как работают полупроводники. Получено с: electronics.howstuffworks.com Ландин П. (2014). Собственные и внешние полупроводники. Получено с: pelandintecno.blogspot.com Rouse, M. (s.f.). Semiconductor. Получено с: whatis.techtarget.com Полупроводник (1998). Encyclopædia Britannica, Inc. Лондон, Великобритания. Получено с: britannica.com Что такое полупроводники? (Н.Д.). © Hitachi High-Technologies Corporation. Получено с: hitachi-hightech.com Википедия, Свободная энциклопедия (2018). Semiconductor. Получено с: en.wikipedia.org Download 304.98 Kb. Do'stlaringiz bilan baham: 
|