симисторларда бажарилган қувват (кучланиш) ўзгартиргичлари схемалари. ўзгарувчан ток занжирларида симисторли қувват ўзгартиргичларини ишлаш принципи
Симистор хақида сўз юритилганда бу қурилмаўзгарувчан ток занжирларида тиристор ўрнига келганлиги хақида айтишимиз лозим.
Симисторни ахамиятга молик томони шундаки уни бошқарувчи электродига ток (кучланиш) юборилганда у ўтказувчан холатга ўтади, ва юкламага юборилаган кучланиш қутбланишидан қаътий назар токни ўзтказиб беради.
Очиб берувчи кучланишни қутби шартли аноддаги кучланиш кучланиш учун манфий бўлиши ёки анод кучланиши қутби билан мос келиши керак( яъни ярим даврни мусбат қисми ўтаётган вақтда плюс, манфий ярим даври ўтаётган вақтда минус бўлиши керак). Демак ўзгарувчан ток электрзанжирлардаги симисторли схемаларни мухим жихати шундаки тўғриловчи қурилмаларни йўқлиги, юкламадаги кучланишларни икки қутблиги бўлиб, бу ўз навбатида бу турдаги қурилмаларни трансформаторларда хам ўзгарувчан ток электродвигателларида хам қулланилиш имконини беради.
Симисторли ростлагичларни схемаси билан танишиб чиқамиз.
Қуйида фаза импулсли бошқарувга эга бўлган симисторли ростлагич схемасини кўриб чиқамиз.
1 расм.
Ярим даврнинг мусбат қисмида симистор ёпиқ. Тармоқ кучланиши ортиб бориши натижасида С1 конденсатор R1 ва R2 кетма кет уланган резисторлар орқали зарядланиб боради. Бунда С1 конденсаторда кучланшини ортиб бориши тармоқ кучланишидан, С1 конденсатор сиғими номинали ва резисторлар каршилиги йиғиндисига боғлиқ бўлган катталига тенг қийматга (фаза бўйича силжиш) ортда қолади.
Резистор ва конденсатор қйиматлари қанча катта бўлса фаза бўийча силжиш хам шунча катта бўлади.
Конденсатор зарядланиши, кучланишни ортиши динисторда ўтиб бориш (порог пробоя 35 В) кучланишига етгунга қадар давом этади. Динистор очилиши билан ( ўз навбатида симитор хам очилади) юкламадан ток оқиб ўтади, ва унинг қиймати очиқ симистор ва юклама қаршиликлари йиғиндиси орқали аниқланади.
Бунда симистор ярим давр охиригача яъни тармоқ кучланишининг ярим даври нол даражага яқинлашгунига қадар очиқ туради.
R2 ўзгарувчан резистор ёрдамида динистор ва симисторни очилиши вақтини белгиланади, ва шу орқали юкламага берилаётган қувватни ростлаш амалга оширилади.
Манфий ярим даврда қурилманинг ишлаш принципи бир хил бўлади.
R2 ўзгарувчан қаршиликнинг турли қийматарида юкламадаги кучланиш диаграммалири 1расмда (ўнгда) берилган.
Индукив юкламалрдаги (электродвигател ёки трансформатор чўлғамларида) ўтиш жараёнлари натижасида пайдо бўладиган сиситрлардаги нотўғри ишга тушишни ( ложное срабатывание) олдини олиш учун, симисторлар қўшимча химоя компонетларига эга бўлишлари керак. Одатда бу симиторни қувват электродлари ўртасидаги демпфер RC занжир бўлиб, кучланишни ўзгартириш тезлигини чеклаш учун хизмат қилади.( 1 расмда R3C1).
Баъзи холларда юклама аниқ ифодаланган сиғимли кўринишга эга бўлганида, коммутация жараёнида ток ўзгариш тезлигини чеклаш учун симисторнинг қувват электродлари ўртасида индуктивлик ўрнатилиш лозим.
Диммернинг бошқа куринишдаги схемалари.
2 расм
R3 C2 дан ташкил топган қўшимча занжир ( 2 расм чапда) тармоқ кучланиши ва динисторни чап чиқишига тушаётган кучланиш ўртасидага фаза силжишини максимал даражада купайтириш учун хизмат қилади, бу ўз навбатида юкламага узатилаётган қувватни янада чуқурроқ рослаш имконини беради.
2 расмниг ўнг қисмидагисхемада D1, D2 диодлари ва R1резистордан ташкил топган занжир чиқиш қуввати минимал бўлганида кучланишни текис ростлаш учун хизмат қилади. Бу сиз ростлагични бошқариш харакеристикаси Без неё характеристика управления регулятором имеет гистерезис, что проявляется в скачкообразном повышении регулируемой мощности от нуля до 3...5% от максимальной.
Диодно-резисторная цепочка разряжает конденсатор при переходе сетевого напряжения от отрицательной к положительной полуволне и, тем самым, устраняет эффект скачкообразного начального увеличения мощности в нагрузке.
Изредка можно встретить устройства, в которых регулировка мощности производится посредством отдельной схемы, которая формирует импульсы с регулируемой длительностью для управления симистором.
Такие диммеры обладают значительно лучшими характеристиками, чем представленные выше, однако обратной стороной медали является повышенная сложность устройств и необходимость наличия отдельного источника питания схемы. Исключения составляют устройства, выполненные на специализированных ИМС. Примером такой микросхемы является фазовый регулятор КР1182ПМ1.
|
