Topshirdi


Nurmatov Bahodır Abdirauf o’g’li


Download 0.54 Mb.
Pdf ko'rish
bet4/5
Sana21.04.2023
Hajmi0.54 Mb.
#1375585
1   2   3   4   5
Bog'liq
3-Mustaqil ish

Nurmatov Bahodır Abdirauf o’g’li 
Eng sodda BTG sxemasi 3.7-rasmda ko‘rsatilgan. Sxemada I1 tok zanjiriga to‘g‘ri 
siljitilgan diod ulanishli, tayanch tranzistor deb ataluvchi VT1 tranzistor ulangan. U juda 
kichik qarshilikka ega. Shuning uchun VT1 kuchlanish generatori va zifasini o‘taydi. 
URYu boshqariluvchi zanjir bilan ketma-ket ulangan VT2 tranzistorning emitter-baza 
o‘tishini kuchlanish bilan ta’minlaydi. 
VT2 tranzistor emitter-baza kuchlanishi bilan boshqarilgani munosabati bilan uning 
xususiyatlari UB sxemaning xususiyatlariga mos keladi. Ma’lumki, UB ulangan sxemada 
aktiv rejimda kollektor toki kollektordagi kuchlanishga deyarli bog‘liq bo‘lmaydi (3.7-
rasm). Shuning uchun ixtiyoriy RYudan o‘tayotgan tok I2 tayanch kuchlanish UEB2 bilan 
aniqlanadi. I2 = I1 ekanligini amalda ko‘rsatamiz. 
O‘zgarmas kuchlanish sathini siljituvchi sxema, ko‘p kaskadli o‘zgarmas tok 
kuchaytirgichlarda kaskadlarni kuchlanish bo‘yicha o‘zaro muvofiqlashtirishda keng 
qo‘llaniladi. Bunday sxemalar sath translyatorlari deb ham ataladi. Ular navbatdagi kaskad 
kirishidagi signalning o‘zgarmas tashkil etuvchisini siljitishi va o‘zgaruvchan tashkil 
etuvchisini buzmasdan uzatishi kerak. 
Eng sodda sath siljituvchi sxema bo‘lib emitter qaytargich xizmat qiladi. Uning 
chiqish (emitter) potensiali sathi baza potensiali sathidan U* kattalikka past bo‘lib, signal 
1 koeffitsiyent bilan uzatiladi. 


Nurmatov Bahodır Abdirauf o’g’li 
U* kattalik ochiq o‘tish kuchlanishi deb ataladi. Gap shundaki, normal tok rejimida 
(to‘g‘ri toklar I=10-3÷10-4A oralig‘ida bo‘lganda), kremniyli r – n o‘tishdagi kuchlanish 
0,65÷0,7V bo‘ladi. Mikrorejimda esa (toklar I=10-5÷10-6A bo‘lganda), kuchlanishning 
mos o‘zgarishlari 0,52÷0,57V bo‘ladi. 
Shunday qilib, toklar diapazoniga bog‘liq holda to‘g‘ri kuchlanishlar bir oz 
farqqiladi, lekin diapazon oralig‘ida ularni o‘zgarmas deb hisoblash va parametr sifatida 
olish mumkin. Xona temperaturasi uchun normal rejimda U*=0,7V, mikrorejimda esa 
U*=0,5V deb qabul qilingan. 
Agar kuchlanish sathini 2U* martaga pasaytiirish kerak bo‘lsa, uholda, kuchlanish 
qaytargichning emitter zanjiriga to‘g‘ri siljitilgan diod ulanadi. 
Kuchlanish sathi U*ga marta bo‘lmagan miqdorda siljitilishi zarur bo‘lsa, BTGdan 
foydlanishga asoslangan sath siljituvchi universal sxemadan foydalaniladi. Busxema 3.8-
rasmda keltirilgan. 
Sxemada BTG VT tranzistor emitter zanjiriga ulangan bo‘lib, uning bazasi avvalgi 
kaskad chiqishi bilan bevosita ulangan. VT tranzistorning emitter potensiali I0· R qiymatga 
pasayadi. Natijada, A nuqtaning potensiali qanday bo‘lishidan qat’iy nazar, V nuqtaning 
potensiali 
Berilgan UA da UBEning qiymati I0 tok qiymatiga mos bo‘ladi va natijada, R ning 
shunday qiymatini tanlash mumkinki, UV ning qiymati avvaldan belgilangan qiymatga 
mos bo‘lsin. 
Sxemaning chiqishidagi signal (V nuqta) kirishdagi (A nuqta) signalni qaytarishiga 
ishonch hosil qilish qiyin emas. (3.8) ifoda asosida I0 = const bo‘lgani uchun bo‘ladi. Baza 
potensialinig o‘zgarishi UBE qiymatini o‘zgartira olmaydi, chunki tranzistor emitteri 
potensiali amalda shu ondayoq baza potensiali o‘zgarishiga mos keladi. Natijada, =0 va 
bo‘ladi. BTGning dinamik qarshiligi Ri=∞ bo‘lsagina, yuqoridagi ifoda o‘rinli bo‘ladi. Ri 
ning qiymati odatda, 100 kOm÷1 MOm, R esa 1÷2 kOm bo‘ladi. Shuning uchun signal 
uzatish koeffitsiyenti birga yaqin bo‘ladi. 
Barqaror tok generatori yoki manbai (BTG) katta nominalga ega bo‘lgan 
rezistorning elektron ekvivalenti hisoblanadi. BTG qarshiligi RYu yuklamaga ketma – ket 
ulangan maksimal bo‘lishi mumkin bo‘lgan qarshilikdan ancha katta bo‘lishi kerak. Bu 
vaqtda BTG yuklamadan kattaligi uning qarshiligi va boshqa ta’sirlarga bog‘liq bo‘lmagan 
tok oqib o‘tishini ta’minlaydi. Ma’lumki, qarshiligi birlik Momga teng bo‘lgan 
rezistorlarni integral sxema ko‘rinishida yasash mumkin emas. 
Bu yerda Yu elementi nochiziqli yuklama, Ye1 – barqarorlangan kuchlanish 
manbaini bildiradi. Rezistor R0, hamda diod ulanish sxemasidagi VT1 tranzistor VT2 
tranzistor sokinlik rejimini ta’minlash vabar qarorlash uchun hizmat qiladi. VT2 uchun 
ishchi nuqta uning chiqish xarakteristikasining pologoy qismida joylashadi (UB sxemadagi 
BT chiqish xarakteristikasi rasmiga qarang). 



Download 0.54 Mb.

Do'stlaringiz bilan baham:
1   2   3   4   5




Ma'lumotlar bazasi mualliflik huquqi bilan himoyalangan ©fayllar.org 2024
ma'muriyatiga murojaat qiling