Toshkent 022 y. Вопросы по дисциплине «Электроника и схемы 1»

“Электроника” Х.К.Арипов, А.М.Абдуллаев, Н.Б.Алимова Учебное 
пособие. — Ташкент: ТУИТ, 2008 
Уровень сложности – 2 
Ширина запрещенной зоны арсенида галлия ... 
1,43eV 
>3eV 
1,12eV 
0,67eV 
 
№ 170. 
Источник: «Полупроводниковые приборы на основе многослойной 
структуры» Х.К.Арипов, И.С.Андреев, А.М.Абдуллаев, Ж.Т.Мақсудов, 
Ш.Б.Рахматов, Ш.Т.Тошматов. 2019 
“Электроника” Х.К.Арипов, А.М.Абдуллаев, Н.Б.Алимова Учебное 
пособие. — Ташкент: ТУИТ, 2008 
Уровень сложности – 2 
Ширина запрещенной зоны германия… 
0,67eV 
1,43eV 
>3eV 
1,12eV 
 
 
 
 
 
 

---

48 
№ 171. 
Источник: «Полупроводниковые приборы на основе многослойной 
структуры» Х.К.Арипов, И.С.Андреев, А.М.Абдуллаев, Ж.Т.Мақсудов, 
Ш.Б.Рахматов, Ш.Т.Тошматов. 2019 
“Электроника” Х.К.Арипов, А.М.Абдуллаев, Н.Б.Алимова Учебное 
пособие. — Ташкент: ТУИТ, 2008 
Уровень сложности – 2 
Ширина запрещенной зоны диэлектриков составляет ... 
>3eV 
0,67eV 
1,43eV 
1,12eV 
 
№ 172. 
Источник: «Полупроводниковые приборы на основе многослойной 
структуры» Х.К.Арипов, И.С.Андреев, А.М.Абдуллаев, Ж.Т.Мақсудов, 
Ш.Б.Рахматов, Ш.Т.Тошматов. 2019 
“Электроника” Х.К.Арипов, А.М.Абдуллаев, Н.Б.Алимова Учебное 
пособие. — Ташкент: ТУИТ, 2008 
Уровень сложности – 2 
Ширина запрещенной зоны кремния составляет… 
1,12eV 
0,67eV 
1,43eV 
1,12eV 
 
 
№ 173. 
Источник: «Полупроводниковые приборы на основе многослойной