Тошкент ахборот технологиялари университети урганч филиали компютер инжиниринги факултети

I  i_Э
tok manbai

sifatida tasvirlash mumkin. Tok manbaini o’shanday ichki qarshilikli ekvivalent E.YU.K manbai bilan almashtirish mumkin.
Tranzistorning kollektor zanjiriga ^Rk -rezistor ulanmaganda kollektor
o’tishdagi kuchlanish, hattoki kollektor tokining o’zgaruvchan tashkil etuvchisi mavjud bo’lganda ham o’zgarmas saqlanadi va u tashqi manbaning EYUKga teng

bo’ladi. Kollektor zanjiriga
^R_k -rezistor ulanganda kuchlanishning o’zgaruvchan

tashkil etuvchisi
U_k  i_k R_k
hosil bo’ladi. Bu holda yopiq kollektor o’tishning

differentsial qarshiligi juda katta bo’lganligi uchun kollektorga katta qarshilikli rezistor ulab, uning chiqishidan tranzistor kirish kuchlanishiga nisbatan ancha katta amplitudali o’zgaruvchan kuchlanish olish mumkin. Tranzistorning ekvivalent sxemasida tobe manbaning tok kuchi kirish tokiga proportsional bo’ladi. Maydon tranzistorining ekvivalent sxemasida esa tobe manbaning tok kuchi kirish kuchlanishiga proportsional bo’ladi. Bu farq mazkur asboblardagi elektronlar oqimini boshqarish turlicha printsipda ekanligini anglatadi. elektron lampalar va maydon tranzistorlari elektr maydoni bilan, bipolyar tranzistorlar esa tok bilan boshqariladigan asboblar hisoblanadi.
8.2. Bipolyar tranzistorlarning statik (tavsifnoma) xarakteristikalari.
Tranzistorlardagi tok va kuchlanishlar orasida o’zaro bog’lanishlar hamda ularning asosiy parametrlarini tranzistorlarning statik xarakteristikalaridan foydalanib aniqlash mumkin. Statik xarakteristikalar tranzistorli sxemalarni hisoblash hamda tranzistorlarning xossalarini o’rganishda muhim hisoblanadi.

Tranzistorlarda hamma vaqt to’rtta kattalik:
i₁ , i₂
- ^u1,u2 - kirish va chiqish tok va

kuchlanishlari o’zaro bog’langan bo’ladi. Bitta xarakteristikalar oilasi bilan bu

bog’lanishlarni ko’rsatish qiyin. Shuning uchun tranzistorlarda kirish
i₁ 
f (U₁) va

chiqish
i₂ 
f (U₂ )
xarakteristikalar oilasi olinadi. Shuningdek, to’g’ri o’tish

(bog’lanish) va teskari o’tish xarakteristikalari ham mavjud. Demak bipolyar tranzistorlar uchun 4 xil xarakteristikalar mavjud bo’lib ular quyidagilardan iborat:

1. 
   Kirish xarakteristikalari
   
2. 
   CHiqish xarakteristikalari
   
3. 
   To’g’ri o’tish (bog’lanish) xarakteristikalari
   
4. 
   Teskari o’tish xarakteristikalari
   

Kirish xarakteristikalari tizimi, tranzistorning kirish tokining kirish kuchlanishiga bog’lanishini ifodalaydi. CHiqish tavsifnomalari tizimi esa chiqish

tokining chiqish kuchlanishiga bog’lanishini ifodalaydi. Qolgan 2 ta to’g’ri va teskari (bog’lanish) xarakteristikalari sistemasi amaliyotda kam qo’llaniladi. Tranzistorli sxemalarni o’rganishda kirish va chiqish xarakte-ristikalarii tizimi muhim ahamiyat kasb etadi. Tranzistorning har bir ulanish sxemasi uchun kirish va chiqish xarakteristikalari tizimi mavjud.
Tranzistorning UB sxema uchun kirish xarakteristikasi deganda kollektor kuchlanishi o’zgarmas bo’lganda emitter tokining emitter kuchlanishiga bog’likligi tuShuniladi.

J_э 
f (U_э )
U_k=const bo’lsa.

Bunda U_k va U_e kuchlanishlarning qiymati – umumiy sim - bazaga nisbatan aniqlanadi. Kirish xarakteristikalari 2.12a- rasmda ko’rsatilgan. UB sxema uchun chiqish xarakteristikasi (tavsifnomasi) deganda, emitter toki o’zgarmas bo’lganda
I_k - kollektor tokining U _k - kollektor kuchlanishiga bog’likligi tuShuniladi.

I_к 
f (U_k )
agarda
I_б  const
bo’lsa, 8.4-rasmda UB sxema ulangan

tranzistorning chiqish tavsifnomalari oilasi ko’rsatilagn. Grafikdan kollektor tokining kollektor kuchlanishiga bog’liqligi juda sust ekanligini ko’rish mumkin. Bu kollektor o’tishning differentsial qarshiligi etarlicha katta ekanligini ifodalaydi.
UE sxema uchun ham tranzistorning kirish va chiqish xarakteristikalarini olish mumkin. Bu xarakteristikalardan foydalanib tranzistorning asosiy parametrlari va uning ish rejimlarini aniqlash mumkin. Bipolyar tranzistorlarning asosiy parametrlariga quyidagilar kiradi.

1.