Тошкент ахборот технологиялари университети урганч филиали компютер инжиниринги факултети

Emitter tokining o’tkazish koeffitsienti.

_{ } J_k
J_э
agarda ^U_k ^{ const}
bo’lsa. (2.4)

Odatda α – koeffitsient UB sxema ulanishda tranzistorning tok bo’yicha kuchaytirish koeffitsienti deb ham ataladi. Uning qiymati doimo birdan kichik bo’lib, yassi tranzistorlarda 0,99ga etadi.

2. 
   Baza tokining o’tkazish koeffitsienti. Baza tokining o’tkazish koeffitsienti deb, kollektor toki o’zgarishini baza toki o’zgarishi nisbatiga teng kattalikka aytiladi.
   

^{ } U_k const
Ko’pincha  - parametr UE sxemasida baza tokini

o’tkazish koeffitsienti yoki tok bo’yicha kuchaytirish koeffitsienti deb ham ataladi.
^ va  parametrlar o’zaro quyidagicha bog’langan:

  ^
1  
(2.5)

 ning qiymati hamma vaqt birdan katta bo’ladi.  va  larning qiymatini tranzistor xarakteristikalaridan topish mumkin. Shuningdek ularning qiymatlari maʻlumotlarda ham berilgan bo’ladi.

3. 
   UE sxemaning kuchlanish bo’yicha kuchaytirish koeffitsienti.
   

u
_{К } U_k
U_б
  ^RH
Rкир
(2.6)

UK – ulanish sxemasi uchun esa

K_u 
U_э
U_б
  ^{RH R}кир
bo’ladi.

UE sxemaning kirish qarshiligi chiqish qarshiligidan kichik (R_kir < R_chik) ammo UB sxemaning kirish qarshiligidan kattaroq bo’ladi. Shuning uchun UE sxema kuchlanishni kuchaytirish xususiyatiga ega. UK sxemada esa kirish qarshiligi chiqish qarshiligidan katta bo’ladi. R_H – qarshilik chiqish qarshiligi tartibida bo’lgani uchun u kuchlanish bo’yicha kuchaytirish xususiyatiga ega emas. Shunday qilib, UE sxema ham tok, ham kuchlanish bo’yicha kuchaytirish xususiyatiga ega. Shuning uchun bu sxemada quvvat bo’yicha eng katta kuchaytirishga erishiladi.
Tranzistorlarning uch xil ulanishi uchun H, Y va R parametrlar deb ataldigan parametrlar haqida maxsus adabiyotlardan muhim maʻlumotlar olish mumkin. Bunday parametrlardan foydalanib tranzistor ish rejimlari aniqlanadi va tranzistorlarning ko’pgina xususiyatlari o’rganiladi.

Maydon tranzistorlari ko’pincha unipolyar tranzistorlar deb ataladi. Maydon tranzistorlarida elektr toki bir xil tok tashuvchilar hisobiga hosil bo’ladi. Ularda chiqish toki boshqaruvchi elektrodning kuchlanishi hosil qiladigan elektr maydon orqali boshqariladi. Maydon tranzistorining ishlash tamoyili bipolyar tranzistorlardan farqli o’laroq, elektrovakuumli lampa – triodning ishlashiga o’xshash bo’ladi.

Maydon tranzistorining tuzilishi, elektr sxemaga ulanishi va radiosxemada belgilanishi 9.1-rasmda keltirilgan. Rasmda chap tomondagi elektrod oqim boshlanishi – istok deb, o’ngdagi elektrod esa oqim quyilishi – stok deb, o’rtadagi boshqaruvchi elektrod zatvor deb ataladi. Istok bilan stok oraligidagi qatlam kanal deb yuritiladi. Uning o’tkazuvchanligi n yoki r-tipli bo’lishi mumkin. Agar asos (plastinka) Yarim o’tkazgich n-tipli bo’lsa, zatvor qatlami r-tipli bo’lsa, zatvor qatlami n-tipli – Yarim o’tkazgichli materialidan qilinadi. Rasmda ko’rsatilgan tranzistorda asos qatlam n-tipli Yarim o’tkazgichdan iborat. Shuning uchun stoka istoka nisbatan musbat kuchlanish berilsa asosiy tok tashuvchilar, yaʻni elektronlar stoka tomon kanal bo’ylab harakat qiladi. Zatvorga kuchlanishi hamma vaqt teskari ulanishda beriladi. Chunki bunda p - n o’tish yopilishi kerak. Ko’riladigan holda zatvorga istoka nisbatan, manfiy kuchlanish berilgan. Shuning uchun p - n o’tish qatlami kengayib kanalni toraytiradi, yaʻni E₃ –zatvor kuchlanishning o’zgarishi hisobiga kanalning kesimi o’zgaradi. Bu esa stok tokining boshqarilishiga olib keladi.

Maydon tranzistorlarining yana bir turi zatvori himoyalangan (izolyatsiyalangan) tranzistor deb yuritiladi. Ularda metaldan yasalgan zatvor, asos qatlam – kanaldan dielektrik modda bilan ajratilgan bo’ladi. Shuning uchun bunday tranzistorlar MDYA (metal-dielektrik, Yarim o’tkazgich) turdagi maydon tranzistorlari deb ham ataladi. Ko’pincha dielektrik sifatida oksid materiallar ishlatiladi. Masalan, kremniy oksidi SiO₂ . Bu holda tranzistor MOYA (metal – oksid – yarim o’tkazgich) turdagi tranzistor deyiladi. MDYA turdagi tranzistor-ning tuzilishi 9.2-rasmda ko’rsatilgan. Zatvor bilan asos yarim o’tkazgich orasida elektr maydon hosil qilinganda maydon kuchlanganligi yo’nalishiga qarab asosiy tok tashuvchilar yo asos yarim o’tkazgichning sirtiga yo hajmiga tortiladi.

Agar asosiy tok tashuvchilar asos yarim o’tkazgichning sirtiga tortilsa, sirt qatlam – o’tkazuvchanlik kanalining o’tkazuvchanligi ortadi, hajm ichiga tortilganda esa, u kamayadi. MDYA turdagi tranzistorlarning ishlash printsipi murakkab bo’lib, unda stok tokining kattaligi va uning xarakteristikalari asos yarim o’tkazgich materialiga, tok tashuvchialr kontsentratsiyasiga va yasalish texnologiyasiga bog’liq bo’ladi. Shunga ko’ra bu tranzistorlar ikki turga: kanali induktsiyalanuvchi va kanali hosil qilingan tranzistorlarga bo’linadi .
2-jadvalda maydon tranzistorlarining sxemada belgilanishi ko’rsatilgan.
Maydon tranzistorining stok toki ikkita zatvor va stok kuchlanishlarining funktsiyasidir.