Toshkent davlat texnika universeteti avtomatika va elektronika fakulteti

Tranzistorning elektr manbaiga UB sxemasida ulanishi.
Sxemadan ko’rish mumkinki, birinchi p–n o’tishga to’g’ri kuchlanish, ikkinchi p–n o’tishga teskari kuchlanish qo’yilgan. Teskari kuchlanishning qiymati, to’g’ri kuchlanish qiymatiga qaraganda bir necha marta katta. To’g’ri kuchlanish taʻsirida p–n o’tish orqali emitterdan baza tomon kovaklar oqimi asosiy tokni hosil qiladi.
Bu tokni IЭ - emitter toki deyiladi. emitterda asosiy tok tashuvchilar – kovaklardir.
Kovaklar bazaga o’tgach, qisman bazadagi asosiy tok tashuvchilar – elektronlar bilan rekombinatsiyalashadi. Odatda tranzistorni yasash vaqtida baza qalinligi boshqa sohalarga qaraganda yupqa qilib yasaladi. Shuning uchun emitterdan bazaga o’tgan kovaklarning taxminan bir foizigacha bazadagi elektronlar bilan rekombinatsiyalashadi. Kovaklarning qolgan qismi hech qanday qarshilikka uchramay bazadan kollektorga o’tadi. Maʻlumki 2 - p – n o’tishga teskari kuchlanish berilgan. Bu kuchlanish taʻsirida kovaklar bazadan kollektorga o’tib,Ik - kollektortokini hosil qiladi. Yuqoridagi mulohazalarga asoslanib kollektor tokini taxminanemitter tokiga teng deyish mumkin. ( I k  I э ). Agar tranzistorning emitterzanjiridagi kuchlanish biror qonuniyat asosida o’zgarib tursa, unga mos ravishdaemitter tokining qiymati Iэ ham o’zgaradi. emitter tokining o’zgarishi esa, kollektor.

2.1 Kanali induksiyalanadigan mdya tranzistorni hisoblash
TRANZISTOR ZANJIRI TAGIDAGI DIELEKTRIK VA KANAL UZUNLIGINI TANLASH: a) zanjir tagidagi dielektrikni tanlash: GaAs uchun dielektrik sifatida yuqori elektr mustahkamligiga ega bo’lganligi va sirt holatiga ko’ra ham uncha katta bo’lmagan mustahkamlik hosil qilganligi uchun Si3N4 tanlaymiz. b) zatvor tagidagi dielektrik qalinligini aniqlash: nuqsonli kuchlanishni kamaytirish va uzatish xarakteristikasi tikligini oshirish uchun zatvor tagidagi dielektrikni ingichkaroq qilish kerak. Mustahkamlik zahirasini hisobga olib quyidagi ifodaga ega bo’lamiz

v) kanal uzunligini tanlash: Uzun kanalli tranzistorning minimal uzunligini aniqlash uchun quyidagi nisbatdan aniqlash mumkin:

bu yerda xp n - istok va stokning p-n-o’tishi joylashishi chuqurligi, д  - zanjir ostidagi dielektrik qatlami qalinligi , dи va dc - istok va stokning p-n-o’tishi qalinligi, k - koeffisiyent ( k 8,62 mkm-1/3). Istok va stokning p-n-o’tishi qalinligini p-n-o’tishining aniq simmetrik bo’lmagan yaqinlashuvida hisoblaymiz:

2–rasm.
Aralashmalar konsentrasiyasining kiruvchi oqimdagi maksimakl kuchlanish bog’liqligi. Avval aniqlangan 16 10 NA  sm-3 aralashmalar konsentrasiyasidan kelib chiqib, olingan kuchlanishlarning eng kam qiymati . 25,3 U U проб проб c   V, ( max 20 Uси  V) masali shartini qoniqtirishini bilamiz.