Tranzistorlar turlari. Bipolyar tranzistorlarning tuzilishi, turlari, ishlashi, statik xarakteristikalari va parametrlari

Б
k
Э
i
i
i

+

=


---

8.3-rasm. Umumbaza sxemasida ulangan bipolyar tranzistorning ekvivalent sxemasi. 
Tranzistorlarda yuz beradigan jarayonlarni o’rganishda uning ekvivalent sxemasidan 
foydalaniladi. Umumbaza sxemasida ulangan bipolyar tranzistorning ekvivalent sxemasini 
asbobning strukturasi va uning ishlash printsipini hisobga olgan holda qurish mumkin. Tok
manbai va EYUK manbaiga ega bo’lgan bunday sxema 8.3-rasmda keltirilgan. Rasmda r
E 
- 
element emitter o’tishning to’g’ri yo’nalishdagi differentsial qarshiligini ifodalaydi. r
k
– kollektor 
teskari yo’nalishdagi differentsial qarshiligidir. r
b
-baza sohasining qarshiligi. Odatda 
tranzistorlarda bu qarshiliklarning taqribiy qiymatlari quyidagicha bo’ladi: r
E
=50 Om, r
k
=5.10
5
Om, r
b
=50-250 Om. ekvivalent sxemadagi tok manbai yoki E.YU.K manbaasi bipolyar 
tranzistorning kuchaytirish xossasini aks ettiradi. Haqiqatda agar emitter toki 
э
i
o’zgaruvchan 
tashkil etuvchiga ega bo’lsa, unda kollektor tokining o’zgaruvchan tashkil etuvchisi 
Э
i

ga teng 
bo’ladi. Uni ekvivalent sxemada kollektor zanjiriga ulangan r
k
ichki qarshilikka ega bo’lgan 
Э
i
I

=
tok manbai sifatida tasvirlash mumkin. Tok manbaini o’shanday ichki qarshilikli 
ekvivalent E.YU.K manbai bilan almashtirish mumkin.
Tranzistorning kollektor zanjiriga 
k
R
-rezistor ulanmaganda kollektor o’tishdagi kuchlanish, 
hattoki kollektor tokining o’zgaruvchan tashkil etuvchisi mavjud bo’lganda ham o’zgarmas 
saqlanadi va u tashqi manbaning EYUKga teng bo’ladi. Kollektor zanjiriga 
k
R
-rezistor ulanganda 
kuchlanishning o’zgaruvchan tashkil etuvchisi
k
k
k
R
i
U =
hosil bo’ladi. Bu holda yopiq kollektor 
o’tishning differentsial qarshiligi juda katta bo’lganligi uchun kollektorga katta qarshilikli rezistor 
ulab, uning chiqishidan tranzistor kirish kuchlanishiga nisbatan ancha katta amplitudali 
o’zgaruvchan kuchlanish olish mumkin. Tranzistorning ekvivalent sxemasida tobe manbaning tok 
kuchi kirish tokiga proportsional bo’ladi. Maydon tranzistorining ekvivalent sxemasida esa tobe 
manbaning tok kuchi kirish kuchlanishiga proportsional bo’ladi. Bu farq mazkur asboblardagi 
elektronlar oqimini boshqarish turlicha printsipda ekanligini anglatadi. elektron lampalar va 
maydon tranzistorlari elektr maydoni bilan, bipolyar tranzistorlar esa tok bilan boshqariladigan 
asboblar hisoblanadi. 
8.2. Bipolyar tranzistorlarning statik (tavsifnoma) xarakteristikalari. 
Tranzistorlardagi tok va kuchlanishlar orasida o’zaro bog’lanishlar hamda ularning asosiy 
parametrlarini tranzistorlarning statik xarakteristikalaridan foydalanib aniqlash mumkin. Statik 
xarakteristikalar tranzistorli sxemalarni hisoblash hamda tranzistorlarning xossalarini o’rganishda 
muhim hisoblanadi. Tranzistorlarda hamma vaqt to’rtta kattalik: 
2
1
, i
i
- 
2
1
,u
u
- kirish va chiqish 
tok va kuchlanishlari o’zaro bog’langan bo’ladi. Bitta xarakteristikalar oilasi bilan bu 
bog’lanishlarni ko’rsatish qiyin. Shuning uchun tranzistorlarda kirish 
)
(
1
1
U
f
i =
va chiqish 
)
(
2
2
U
f
i =
xarakteristikalar oilasi olinadi. Shuningdek, to’g’ri o’tish (bog’lanish) va teskari o’tish 
xarakteristikalari ham mavjud. Demak bipolyar tranzistorlar uchun 4 xil xarakteristikalar mavjud 
bo’lib ular quyidagilardan iborat: 
1. Kirish xarakteristikalari 
2. CHiqish xarakteristikalari 
3. To’g’ri o’tish (bog’lanish) xarakteristikalari 
4. Teskari o’tish xarakteristikalari 

---

Kirish xarakteristikalari tizimi, tranzistorning kirish tokining kirish kuchlanishiga 
bog’lanishini ifodalaydi. CHiqish tavsifnomalari tizimi esa chiqish tokining chiqish kuchlanishiga 
bog’lanishini ifodalaydi. Qolgan 2 ta to’g’ri va teskari (bog’lanish) xarakteristikalari sistemasi 
amaliyotda kam qo’llaniladi. Tranzistorli sxemalarni o’rganishda kirish va chiqish xarakte-
ristikalarii tizimi muhim ahamiyat kasb etadi. Tranzistorning har bir ulanish sxemasi uchun kirish 
va chiqish xarakteristikalari tizimi mavjud. 
Tranzistorning UB sxema uchun kirish xarakteristikasi deganda kollektor kuchlanishi 
o’zgarmas bo’lganda emitter tokining emitter kuchlanishiga bog’likligi tuShuniladi.
)
(
э
э
U
f
J
=
U
k
=const bo’lsa. 
Bunda U
k
va U
e
kuchlanishlarning qiymati – umumiy sim - bazaga nisbatan aniqlanadi. 
Kirish xarakteristikalari 2.12a- rasmda ko’rsatilgan. UB sxema uchun chiqish xarakteristikasi 
(tavsifnomasi) deganda, emitter toki o’zgarmas bo’lganda 
k
I
- kollektor tokining 
k
U
- kollektor 
kuchlanishiga bog’likligi tuShuniladi. 
)
(
k
к
U
f
I
=
agarda 
const
I
б
=
bo’lsa, 8.4-rasmda UB sxema ulangan tranzistorning 
chiqish tavsifnomalari oilasi ko’rsatilagn. Grafikdan kollektor tokining kollektor kuchlanishiga 
bog’liqligi juda sust ekanligini ko’rish mumkin. Bu kollektor o’tishning differentsial qarshiligi 
etarlicha katta ekanligini ifodalaydi.
UE sxema uchun ham tranzistorning kirish va chiqish xarakteristikalarini olish mumkin. Bu 
xarakteristikalardan foydalanib tranzistorning asosiy parametrlari va uning ish rejimlarini aniqlash 
mumkin. Bipolyar tranzistorlarning asosiy parametrlariga quyidagilar kiradi.