Tranzistorlar turlari. Bipolyar tranzistorlarning tuzilishi, turlari, ishlashi, statik xarakteristikalari va parametrlari

 
1. Emitter tokining o’tkazish koeffitsienti. 
э
k
J
J


=

agarda 
const
U
k
=
bo’lsa. (2.4) 
Odatda α
 
– koeffitsient UB sxema ulanishda tranzistorning tok bo’yicha kuchaytirish
koeffitsienti deb ham ataladi. Uning qiymati doimo birdan kichik bo’lib, yassi tranzistorlarda 
0,99ga etadi. 
2. Baza tokining o’tkazish koeffitsienti. Baza tokining o’tkazish koeffitsienti deb, 
kollektor toki o’zgarishini baza toki o’zgarishi nisbatiga teng kattalikka aytiladi. 
const
U
э
k
k
J
J
=


=

Ko’pincha  - parametr UE sxemasida baza tokini o’tkazish 
koeffitsienti yoki tok bo’yicha kuchaytirish koeffitsienti deb ham ataladi.  va  parametrlar 
o’zaro quyidagicha bog’langan: 



−
=
1
(2.5) 

---

 ning qiymati hamma vaqt birdan katta bo’ladi.  va  larning qiymatini tranzistor 
xarakteristikalaridan topish mumkin. Shuningdek ularning qiymatlari maʻlumotlarda ham berilgan 
bo’ladi. 
3. UE sxemaning kuchlanish bo’yicha kuchaytirish koeffitsienti. 
кир
H
б
k
u
R
R
U
U
К

=


=
(2.6) 
UK – ulanish sxemasi uchun esa
кир
H
б
э
u
R
R
U
U
K

=


=
bo’ladi. 
UE sxemaning kirish qarshiligi chiqish qarshiligidan kichik (R
kir
< R
chik
) ammo UB 
sxemaning kirish qarshiligidan kattaroq bo’ladi. Shuning uchun UE sxema kuchlanishni 
kuchaytirish xususiyatiga ega. UK sxemada esa kirish qarshiligi chiqish qarshiligidan katta 
bo’ladi. R
H
– qarshilik chiqish qarshiligi tartibida bo’lgani uchun u kuchlanish bo’yicha 
kuchaytirish xususiyatiga ega emas. Shunday qilib, UE sxema ham tok, ham kuchlanish bo’yicha 
kuchaytirish xususiyatiga ega. Shuning uchun bu sxemada quvvat bo’yicha eng katta 
kuchaytirishga erishiladi. 
Tranzistorlarning uch xil ulanishi uchun H, Y va R parametrlar deb ataldigan parametrlar 
haqida maxsus adabiyotlardan muhim maʻlumotlar olish mumkin. Bunday parametrlardan 
foydalanib tranzistor ish rejimlari aniqlanadi va tranzistorlarning ko’pgina xususiyatlari 
o’rganiladi.