«умумий эмиттер схемаси бўйича йиғилган биполяр транзисторни кириш ва чиқиш характеристикаларини аниқлаш»


Download 241.77 Kb.
Sana26.07.2023
Hajmi241.77 Kb.
#1662645
Bog'liq
МИ ишлш методикаси 1



ЎЗБЕКИСТОН РЕСПУБЛИКАСИ
РАҚАМЛИ ТЕХНОЛОГИЯЛАР ВАЗИРЛИГИ

МУХАММАД АЛ-ХОРАЗИМИЙ НОМИДАГИ


ТОШКЕНТ АХБОРОТ ТЕХНОЛОГИЯЛАРИ УНИВЕРСИТЕТИ
Электроника ва радиотехника кафедраси

“Электроника ва схемалар 2” фанидан


1- мустақил иш
Мавзу: «УМУМИЙ ЭМИТТЕР СХЕМАСИ БЎЙИЧА ЙИҒИЛГАН БИПОЛЯР ТРАНЗИСТОРНИ КИРИШ ВА ЧИҚИШ ХАРАКТЕРИСТИКАЛАРИНИ АНИҚЛАШ»
Бажарди: САЕ -001 гурух талабаси
Эшматов Тошмат

Тошкент 2023


Аввал биринчи қисм буйича маълумотлар (мавзуни номи.... , яъни режа.... асосий қисм....) кейин янги сахифадан иккинчи кисм ....бунда хам мавзу номи (мавзуниг номи МИ нинг биринчи бетида келтирилган) ишнинг мақсади..... охирида хулоса иккала қисм учун хам ва адабиётлар.
Кимда қанақа тушунмовчиликлар (саволлар) бўлса телеграмм гурух орқали ёзиб юборинглар.
Хамма пастда келтирилган наъмуна асосида ўзини (варианти бўйича) МИ ни бажариш керак.

Ишнинг мақсади: умумий эмиттер схемаси бўйича йиғилган 2N2369A биполяр транзисторининг кириш ва чиқиш характеристикаларини ўлчаш бўйича амалий кўникмаларни мустаҳкамлаш.


Вариантлар ва дастлабки маълумотлар: 2N2369A транзистори.


Хар ким ўзини варианти бўйича (транзисторни) ёзади
НАЪМУНА мустақил ишни 2 чи қисми учун..... (схемалар мультисим симуляторида йиғилади)
1. 2N2369A транзисторининг параметрларини тахлил қилиш

1.1 УЭ схемаси асосида 2N2369A транзисторининг кириш ва чиқиш статик характеристикаларининг графигини тузиш.


УЭ схемасига асосида 2N2369A транзисторининг кириш характеристикалари яъни Uкэ = 0 В ва Uкэ = 10 В бўлганида Iб = f(Uбэ) боғлиқлик оиласи графигини тузиш.
Транзисторнинг параметрларини аниқлаш учун схема йиғилади.
1- расм



1- расм. Транзисторнинг кириш характеристикалари оиласини аниқлаш

Аниқланган IБ ва UБЭ қийматларини 1- жадвалга киритамиз. Бу қийматлар асосида 2N2369A транзисторининг кириш характеристикалари оиласи графигини тузамиз.


2N2369A транзисторнинг УЭ схемасига мос равишда Uкэ = 0 В ва Uкэ = 10 В бўлганда Iб = f(Uбэ) кириш характеристикалари оиласи



1-жадвал

UКЭ=0В

UКЭ=10В

IБ, мкА

UБЭ, мВ

IБ, мкА

UБЭ, мВ

25

475

25

686

50

495

50

716

75

507

75

733

100

516

100

745

125

523

125

754

150

529

150

761

175

534

175

767

200

538

200

773

250

545

250

781

300

551

300

789

350

557

350

795

400

562

400

800

Берилган қийматлар асосида Iб = f(Uбэ) кириш характеристикалари оиласи графигини чизамиз (2- расм).





(2- расм). 2N2369A транзисторининг Iб = f(Uбэ) кириш характеристикалари оиласи графиги


УЭ схемасига асосан 2N2369A транзисторининг чиқиш характеристикалари, яъни Iб = const бўлганида Iк = f(Uкэ) боғлиқлик оиласи графигини тузиш.


Транзистор параметрларини аниқлаш учун 2 схема йиғилади (3- расм)



Ib = const

3- расм. Транзисторнинг чиқиш характеристикалари оиласини аниқлаш

База токининг Iб = 25 мкА; Iб = 50 мкА; Iб = 75 мкА; Iб = 100 мкА; Iб = 125 мкА; Iб = 150 мкА қийматларида транзисторнинг коллектор токи Iк ва коллектор ва эмиттер орасидаги кучланиш Uкэ олинган қийматларини 2-жадвалга киритамиз. Бу қийматлар асосида 2N2369A транзисторнинг чиқиш характеристикалари оиласи Iб = const бўлганда Iк = f(Uкэ) графиги тузилади.


2N2369A транзисторининг чиқиш характеристикалари оиласи


Iк = f(Uкэ)
2-жадвал



UКЭ

IБ=25 мкА бўлганда
IК

IБ=50мкА бўлганда
IК



IБ=75 мкА бўлганда
IК

IБ=100мкА бўлганда
IК

IБ=125 мкА бўлганда
IК

IБ=150мкА бўлганда
IК

0

-0,2609

-0,052726

-0,07986

-0,106091

-0,132894

-0,159651

0,5

2,307

5,440

8,310

10,91

13,296

15,496

1,0

2,313

5,456

8,335

10,943

13,337

15,545

2,0

2,327

5,489

8,385

11,009

13,418

15,639

3,0

2,341

5,522

8,436

11,084

13,499

15,733

4,0

2,362

5,554

8,487

11,152

13,58

15,827

5,0

2,379

5,588

8,540

11,218

13,662

15,922

6,0

2,394

5,618

8,588

11,284

13,743

16,017

7,0

2,407

5,654

8,637

11,35

13,824

16,112

8,0

2,421

5,687

8,693

11,418

13,906

16,207

9,0

2,434

5,720

8,741

11,484

13,985

16,3

10

2,450

5,752

8,789

11,552

14,067

16,396

15

2,517

5,919

9,043

11,884

14,472

16,868

20

2,590

6,086

9,307

12,218

14,882

17,344

Транзисторнинг чиқиш характеристикалари оиласи Iк = f(Uкэ) графигини тузамиз (4-расм).





4-расм.2N2369A транзисторнинг чиқиш характеристикалари оиласи
Iк = f(Uкэ) графиги

1.2 2N2369A транзисторининг умумий эмиттер схемаси учун олинган вольтампер характеристикасидан график усулда h– параметрини аниқлаш.


2N2369A транзисторининг кириш характеристикалари оиласи Iб = f(Uбэ) дан, h11э ни аниқлаймиз. Транзисторнинг статик режимини аниқловчи Uкэ=10 В га мос келувчи берилган база сокин токи Iбп=50 мкА қиймати ёрдамида “А” ишчи нуқтани аниқлаймиз.

“А” нуқтанинг координаталри: Iбп=50 мкА, Uбэп=716 мВ.


“А” ишчи нуқта яқинида бир хил масофада иккита ёрдамчи нуқталар аниқлаб оламиз ва оралиқ база токи ΔIб ва оралиқ кучланиш ΔUбэқийматини аниқлаб, қуйидаги ифода ёрдамида дифференциал қаршиликни топамиз::
5- расмдан Iб1=25 мкА, Iб2=75 мкА, Uбэ1=686 мВ, Uбэ2=733мВ қийматларни оламиз. У ҳолда h11эқуйидагича аниқланилади:




5- расм.h11э параметрини график усулда аниқлаш

2N2369A транзисторининг кириш характеристикалари оиласи


Iб = f(Uбэ) дан, h12э ни аниқлаймиз. Бунинг учун Uкэ=0В холатида олнган характеристикани кесишувчи “А” нуқтадан горизантал чизиқ ўтказиб оламиз.2N2369A транзисторининг эмиттер ва коллектор орасида кучланиш орттирмаси қуйидаги ифода ёрдамида аниқланади:

ΔUкэ= Uкэ2 – Uкэ1=10В – 0В=10В


ΔUкэ қийматига асосан транзисторнинг эмиттер ва базаси орасидаги кучланиши орттирмасини аниқлаймиз:


ΔUбэ= Uбэп4 – Uбэ3=716мВ – 495мВ=221мВ



6-расм.h12э параметрни график усулда аниқлаш

h12э параметрини қуйидаги ифода ёрдамида аниқлиймиз:





2N2369A транзситорининг чиқиш характеристикалари оиласи Iк = f(Uкэ)(Iб = const) дан h21э параметрини аниқлаймиз. Iбп = 50 мкА учун ВАХ ни чиқиш шахобчаси билан юкламаннг чизиқли кесишмаси (Ек = 5В, Rк = 620 Ом) сифатида тарнзисторнинг чиқиш характеристикасида “А” ишчи нуқтани аниқлаймиз
Iк токи ўқи бўйича Ек/ Rк = 8,06 мА қийматини ажратиб оламиз.
Uкэ кучланиши ўқи бўйича Ек = 5В қийматини ажратиб оламиз.



7-расм.h21э параметрини гарфик усулда аниқлаш

“А” ишчи нуқтаси учун қуйидаги координаталарни оламиз: Iкп =5,5 мА, Uкэ=1,6В. Iб1 = 25 мкА ва Iб3 = 75 мкА бўлганидаги ВАХ ни шахобчалари билан кесишгунига қаар ишчи нуқтадан тўғри верткал чизиқ ўтказамиз.


Берилган Iбпбаза токи қийматига яқин қийматда олиган ΔIб база токи орттирмасини қуйидаги ифода ёрдамида аниқлиймиз:

ΔIб = Iб3 – Iб1=75 мкА – 25 мкА=50мкА


Қуйидаги ифода ёрдамида аниқланадиган коллектор токининг орттирмаси, ΔIб база токи орттирмасига мос келади:


ΔIк = Iк2 – Iк1=8,4 мА – 2,4 мА = 6 мА


h21э параметри қуйидаги ифода ёрдамида аниқланади:





2N2369A транзисторнинг чиқиш характеристикалари оиласи Iб = 50 мкА бўлганида Iк = f(Uкэ) боғлиқликдан h22э параметрни аниқлаймиз. Бунинг учун Iбп = 50 мкА бўлганда характеристика шахобчасида “А” ишчи нуқта яқинида иккита бир хил масофалардаги ёрдамчи нуқталар танлаймиз ва транзисторнинг эмиттер ва коллектори орасидаги кучланишни орттирмасини аниқлаймиз:





8-расм. h22э параметрини график усулда аниқлаш

ΔUкэ= Uкэ2 – Uкэ1= 2,84В – 0,84В = 2 В


Бу Uкэ эса коллектор токини орттирмасини келтириб чиқаради:


ΔIк=Iк4 – Iк3=5,5мА – 5,45мА = 0,05 мА

У ҳолда h22э параметри қуйидагига тенг:





1.3.2N2369A транзисторининг кириш ва чиқиш қаршилигини қуйидаги ифода ёрдамида аниқлаймиз:


1.4. 2N2369A транзисторининг ток бўйича узатиш коэффициенти β ни аниқлаймиз:



ХУЛОСА
,,,,,,,,,,,,,,


Download 241.77 Kb.

Do'stlaringiz bilan baham:




Ma'lumotlar bazasi mualliflik huquqi bilan himoyalangan ©fayllar.org 2024
ma'muriyatiga murojaat qiling